Uitspraak
GERECHTSHOF DEN HAAG
1.De zaak in het kort
2.Procesverloop
- het dossier van het kort geding bij de rechtbank Rotterdam;
- het tussen partijen gewezen vonnis van 1 oktober 2021, met afwijzing van LONGi’s verzoek tot verbetering daarvan bij vonnis van 6 oktober 2021 en op verzoek van LONGi aangevuld bij vonnis van 5 november 2021 (hierna: het Vonnis);
- de dagvaarding in hoger beroep van 11 oktober 2021 van LONGi, met grieven en producties en een incidentele vordering tot schorsing van de tenuitvoerlegging van het Vonnis (hierna: MvG);
- de conclusie van antwoord in het incident, met producties, van 2 november 2021 van Hanwha;
- de memorie van antwoord, tevens memorie van grieven in incidenteel appel, met producties, van 16 november 2021 van Hanwha (hierna: MvA);
- de memorie van antwoord in het incidenteel appel van 30 november 2021 van LONGi (MvA Inc);
- de nadere producties van LONGi, overgelegd voor de hierna vermelde zitting;
- de pleitaantekeningen aan de hand waarvan de zaak ter zitting nader is toegelicht.
3.Feitelijke achtergrond
Method for manufacturing a solar cell with a surface-passivating dielectric double layer, and corresponding solar cell” is op 27 augustus 2014 verleend op een internationale aanvrage van 6 november 2008 die is gepubliceerd onder nummer WO 2009/062882. Bij de aanvrage is de prioriteit ingeroepen van Duitse octrooi-aanvrage DE 101007054384 van 14 november 2007. Het Octrooi is gevalideerd en van kracht in Oostenrijk, België, Bulgarije, Zwitserland, Duitsland, Spanje, Frankrijk, het Verenigd Koninkrijk, Griekenland, Hongarije, Italië, Kroatië, Liechtenstein, Portugal, Roemenië en Turkije. Het Octrooi is niet van kracht in Nederland.
Duitsland
Frankrijk
saisie-contrefaçon-procedure bewijsbeslag gelegd onder een distributeur van LONGi Nederland, S.A.S. Systosolar. Vervolgens heeft Hanwha op 19 en 22 maart 2021 bij het Tribunal Judiciaire de Paris een inbreukprocedure aanhangig gemaakt tegen LONGi, LONGi GmbH, LONGi HK Trading Limited en de distributeur. Er hebben wel zittingen plaatsgevonden, maar een vonnis is nog niet gewezen.
Verenigde Staten
p-n junction). De dwarsdoorsnede waarop de verschillende lagen zichtbaar zijn is hieronder weergegeven.
surface recombination losses) genoemd. Bij recombinatie worden door het licht losgemaakte elektronen en gaten, die in tegengestelde richting bewegen, weer met elkaar gecombineerd. Elke keer dat een elektron-gat-paar recombineert, gaan ladingsdragers voor de opgewekte stroom verloren, waardoor de efficiëntie van de zonnecel wordt verminderd.
dangling bonds). De siliciumatomen zijn in het siliciumsubstraat geordend in een kristalstructuur, waarbij ieder siliciumatoom is verbonden met vier ander siliciumatomen. Aan het oppervlak zijn er geen atomen om aan te binden, waardoor er
dangling bondsontstaan.
dangling bondsvast te leggen en ze minder ontvankelijk te maken voor vrije elektronen. Omdat de diëlektrische laag niet-geleidend is, zullen de vrije elektronen in de richting van de elektroden van de zonnecel stromen, waardoor zij bijdragen tot de elektrische stroom in plaats van te recombineren in het siliciumoppervlak. De efficiëntie van de zonnecel wordt hierdoor verbeterd.
dangling bondsaan het oppervlak van het siliciumsubstraat, waarmee wordt voorkomen dat recombinatie optreedt. Dit wordt elektrisch veld passivering genoemd. Een andere bekende manier is het laten reageren van de
dangling bondsmet waterstof uit de passiveerlaag (waartoe bijvoorbeeld waterstofhoudende SiO2 (siliciumdioxide), SiC (siliciumcarbide) en SiNx (siliciumnitride) gebruikt kan worden). Daardoor zijn de
dangling bondsniet meer chemisch reactief en kunnen zij geen ladingsdragers meer onttrekken aan de op te wekken elektrische stroom. Dit wordt chemische passivering genoemd.
- thermische oxidatie; bij dit proces veroorzaken hoge temperaturen (een reactie tussen het silicium aan het oppervlak en zuurstof in de omgeving, waardoor een diëlektrische laag van siliciumdioxide op het siliciumoppervlak wordt gevormd en
- chemische dampafzetting, waarbij een laag niet-geleidend materiaal (bv. siliciumnitride, siliciumcarbide) op het siliciumoppervlak wordt afgezet;
- Atomic Layer Deposition(ALD), waarbij een passiveringslaag zoals aluminiumoxide op het siliciumsubstraat kan worden aangebracht met behulp van atoomlaagafzetting.
- De bij thermische oxidatie gebruikte hoge temperaturen maakt de methode ongeschikt voor industriële toepassing, terwijl bovendien de hoge temperatuur nadelig is voor de kwaliteit van het substraat;
- Bij door chemische dampafzetting aangebrachte passiveerlagen vormen zich kleine gaatjes in het oppervlak (aangeduid als
- Bij de methode van atoomlaagafzetting wordt per processtap een enkele laag atomen aangebracht, waardoor dit proces erg langzaam is en voor het aanbrengen van dikkere lagen commercieel nadelig.
4.Vorderingen in eerste aanleg en beslissing van de voorzieningenrechter
5.Vorderingen in hoger beroep
6.Beoordeling door het hof in het principaal en incidenteel appel
primaireen aan LONGi op te leggen verbod om inbreuk te maken op het octrooi in alle landen waar dat van kracht is. Zij voert daartoe aan dat LONGi, door vanuit Nederland inbreukmakende zonnepanelen aan te bieden in, te distribueren naar en te verkopen in de landen waar het octrooi van kracht is en door deze zonnepanelen in die landen ter beschikking te stellen aan afnemers (die met het bedrijfsmatig gebruik daarvan in de desbetreffende landen inbreuk maken op het octrooi) inbreuk maakt op het octrooi in die landen.
nietigheidsverwerendie betrekking hebben op de niet-Nederlandse delen van het Europees octrooi. Uit het Roche-Primus-arrest van de Hoge Raad [2] volgt dat dit evenwel niet betekent dat de Nederlandse bodemrechter niet meer bevoegd is om kennis te nemen van de op octrooi-inbreuk gebaseerde grensoverschrijdende
verbodsvorderingen.
voorlopigoordeel geeft over de nietigheidsverweren met betrekking tot die buitenlandse delen.
in het licht van de belangenafweging(waarbij LONGi zeer beperkte schade ondervindt bij voortduren van het bewijsbeslag) de afwezigheid van vermelding als rechthebbende in een aantal octrooiregisters niet meebrengt dat een inbreuk op de rechten van Hanwha onvoldoende aannemelijk is
voor handhaving van het bewijsbeslag.
Onduidelijkheid over beschermingsomvang
reasons, dat onder meer de navolgende passages bevat:
There is nothing in the EPC to suggest that the intervention of an assumed infringer opens a new stage of proceedings which invalidates binding results of the proceedings to date. (…)
Juridisch en feitelijk complex
Gevolgen niet te overzien
a first dielectric layer (3) comprising aluminum oxide on a surface of the silicon substrate (1) remote from the incident light” moet worden uitgelegd. Volgens Hanwha sluit het octrooi niet uit dat zich tussen de eerste passiveerlaag en het siliciumsubstraat een tussenlaag bevindt. LONGi stelt zich op het standpunt dat ‘
on a surface’ betekent dat de eerste aluminiumoxidehoudende laag zich
directop (in contact met) het siliciumsubstraat moet bevinden.
directcontact is tussen de aluminiumoxidelaag en het substraat. De gemiddelde vakman was er op de prioriteitsdatum mee bekend dat bij toepassing van de in het octrooi beschreven werkwijze voor de vervaardiging van de geoctrooieerde zonnecel, zich onbedoeld een dunne laag siliciumoxide (ook aangeduid als SiOx) zal vormen. De gemiddelde vakman weet bovendien dat een dergelijke tussenlaag geen negatief effect heeft op de elektrisch veld passivering van de aluminiumoxide laag en de chemische passivering van de waterstofhoudende siliciumnitridelaag. Het doet daarom geen afbreuk aan het met de uitvinding bereikte technische effect van verbeterde passivering door deze combinatie van passiveerlagen. Daarom zal hij de conclusies van het octrooi aldus lezen dat het bestaan van zo’n tussenlaag niet is uitgesloten.
Summary of the Invention” wordt in paragraaf [0010] en [0011] beschreven dat de zonnecel volgens het octrooi voorziet in de behoefte aan een zonnecel waarbij goede passivering van de oppervlakte van het substraat wordt bereikt, terwijl de genoemde nadelen van bekende passiveerlagen ten minste gedeeltelijk worden vermeden, en die in een economisch rendabele manier op industriële schaal kan worden geproduceerd. Paragraaf [0015] beschrijft de essentie van de voordelen van de zonnecel volgens het octrooi als volgt:
plasma-enhanced ALDen, als variant daarop,
remote plasma ALDen
thermally enhanced deposition.
Detailed description of embodiments” wordt in par. [0039] – [0043] het proces voor het aanbrengen van de eerste passiveerlaag nogmaals (in iets meer detail) beschreven. Par. [0039] beschrijft de stap van het aanbrengen van de aluminiumhoudende laag en par. [0040] de oxidatiestap door middel van ALD. In par. [0042] wordt verduidelijkt dat de beschreven ALD variant de ‘
plasma-assisted ALD’ betreft en dat bijzonder goede oppervlakte passivering kan worden verkregen met ‘
remote plasma assisted ALD’. Par. [0043] vermeldt het alternatief van de
thermal ALD, met verwijzing naar de beschrijving daarvan in Ritala:
metal oxide semiconductor field effect transistors’. Hij benoemt het probleem dat optreedt bij de methode die in het octrooi wordt aangeduid als ‘
plasma-assisted ALD’ onder meer als volgt:
thermalALD’ :
dangling bondsaan het substraatoppervlak, op zeer effectieve wijze oppervlakterecombinatie kan worden tegengegaan, terwijl tegelijkertijd de uit de stand van de techniek bekende nadelen verbonden aan het aanbrengen van dergelijke passiveerlagen zoveel mogelijk worden vermeden, wat industriële toepassing mogelijk maakt. LONGi merkt ten onrechte het atomair vlakke Si/ Al2O3 grensvlak aan als sleutel van het door de uitvinding bereikte technische effect. Zoals ook vermeld in paragraaf [0015] is dat slechts een ‘ideaal’ (in paragraaf [0022] aangeduid als ‘
the best of cases’), maar geen vereiste.
plasma-assisted ALDeen aluminiumoxide-passiveerlaag aangebracht kan worden zonder dat daarbij een dunne SiOx tussenlaag wordt gevormd. In beide publicaties is immers, in de passage tussen haakjes, opgemerkt:
plasma-assisted ALDbeschreven, waarvan de gemiddelde vakman weet dat daarbij gemakkelijk een 1,5 nm dunne tussenlaag wordt gevormd. De
thermal ALDzoals beschreven in Ritala wordt alleen als mogelijk alternatief gepresenteerd. Bovendien is ook daarbij, zoals blijkt uit die publicatie, de vorming van een zeer dunne SiOx tussenlaag ook niet uitgesloten. Ten slotte beschrijft het octrooi geen voordelen verbonden aan direct contact tussen de aluminiumoxidelaag en het siliciumsubstraat, of nadelen als dat directe contact er niet is.
the oxide layer formed during the O2 plasma exposure in itself does not yield any surface passivation”), maar doet er ook geen afbreuk aan. Niettegenstaande de aanwezigheid van zo’n tussenlaag beschrijft Hoex 2006 de uitstekende oppervlaktepassivering door de Al2O3 laag door elektrisch veld passivering en voorts dat waterstofatomen door die laag diffunderen, waarmee ook effectieve chemische passivering aan het substraatoppervlak mogelijk is. Het bestaan van de SiOx tussenlaag staat aan dat alles niet in de weg, zo begrijpt de gemiddelde vakman.
plasma-assisted ALD-proces zich een SiOx tussenlaag zal vormen. Het octrooi beschrijft primair juist dat oxidatieproces. De in Ritala beschreven methode wordt slechts als alternatief gepresenteerd, maar niet als methode waarin dit (tot op zekere hoogte mogelijk) voorkomen kan worden. In de beschrijving wordt niet voorgeschreven noch op enigerlei wijze geïmpliceerd dat zo’n tussenlaag zou moeten worden vermeden of aan het te bereiken technische effect – de effectieve oppervlaktepassivering door een combinatie van elektrisch veld passivering en chemische passivering zoals in par. [0015] beschreven – in de weg staat. Daarom zal de gemiddelde vakman conclusie 1 daarom aldus begrijpen dat het bestaan van een dunne SiOx tussenlaag tussen het siliciumsubstraat en de eerste aluminiumoxide-passiveerlaag niet is uitgesloten.
dioxide passiveerlaag, waarvan in par. [0010] is opgemerkt dat beoogd wordt die te vermijden. De in par. [0003] beschreven passiveerlaag van siliciumdioxide (SiO2) is echter iets anders dan een onbedoeld ontstane siliciumoxide (SiOx)-laag. Een siliciumatoom kan een verbinding aangaan met twee zuurstofatomen en zo silicium
dioxide SiO2 vormen. Met SiOx wordt aangegeven dat een lager aantal zuurstofatomen dan zich zou kunnen binden aanwezig is, dus een molecuul met een zuurstofgebrek (zoals SiO, of Si2O3). De aan de siliciumdioxide-passiveerlaag verbonden nadelen worden bovendien veroorzaakt door de zeer hoge temperaturen (bijvoorbeeld boven 900°C) waarmee deze uit de stand van de techniek bekende passiveerlaag moet wordt aangebracht, waarvan bij
plasma-assisted ALDgeen sprake is.
The substrates received a standard RCA clean with a final HF dip prior to deposition to remove the native oxide”. Daarna beschrijft Hoex 2006 de vorming van de siliciumoxide tussenlaag tijdens het ALD-proces. Deze reinigingsstap ziet dus niet op het verwijderen van eventueel tijdens het ALD-proces gevormd siliciumoxide, zoals LONGi suggereert, maar op het verwijderen van oxide
voorafgaandaan het ALD proces. Verwijderen van de onbedoeld ontstane siliciumoxidelaag wordt nergens beschreven.
c-Si/Al2O3 interfacewordt ook gebruikt in publicaties waar nadrukkelijk sprake is van een tussenlaag, zoals in Hoex 2006 en houdt voor de gemiddelde vakman geen aanwijzing in dat beoogd is een siliciumoxide tussenlaag uit te sluiten. De in par. [0015] daarop volgende zinsnede “which is ideally atomically flat” maakt dat niet anders. Uit “ideally” volgt reeds dat dit geen noodzakelijk kenmerk is.
It may be advantageous in this regard that this molecular layer can be almost perfectly tight, i.e. (…) , the entire silicon surface is covered with molecules of the aluminium-containing compound” in par. [0022] wijst niet op de noodzaak van direct contact tussen de uiteindelijke aluminiumoxidelaag en het siliciumsubstraat. Zoals beschreven is het aanbrengen van de aluminiumhoudende laag (zonder oxide) de eerste stap van het ALD proces. Naar de gemiddelde vakman weet (en zoals ook in Ritala opgemerkt) verhindert die zeer dunne laag niet dat zich bij de tweede oxidatiestap van het ALD proces, waarbij aluminiumoxide wordt gevormd, een SiOx -tussenlaag kan vormen.
dioxide. Daardoor heeft deze, anders dan de onbedoeld ontstane siliciumoxidelaag, goede passiverende eigenschappen. De chemische passivering wordt verzorgd door de zuurstof uit de siliciumdioxidelaag. De waterstof in de tweede diëlektrische laag in de Producten heeft geen passiveringsfunctie. De siliciumnitridelaag dient slechts om reflectie van het zonlicht mogelijk te maken, aldus LONGi (par. 87/88 MvG).
dioxide in de overgangslaag (zoals door LONGi gesteld) onwaarschijnlijk moet worden geacht.
samplein enigszins schuine toestand is gemeten, waardoor ook de in naastliggende lagen aanwezige atomen wel zijn gemeten en niet alle in de overgangslaag aanwezige atomen. De metingen in het eerste rapport zouden alleen betrekking hebben gehad op de doorsnede (dikte) van de verschillende lagen, zodat daaruit geen betrouwbare conclusies kunnen worden getrokken voor de samenstelling van die lagen, aldus LONGi. Het hof gaat daarin niet mee. In het eerste rapport worden immers door Van Aken zelf aan de hand van die figuur 9 zelfs met nadruk conclusies verbonden aan de gemeten concentraties atomen (namelijk dat er
alleenzuurstof en
geen aluminiumin het overgangsgebied aanwezig is) voor de samenstelling van de tussenlaag, zonder enig voorbehoud te maken wat betreft de betrouwbaarheid van de gepresenteerde meetresultaten vanwege de schuine positie van het
sample:
dioxide, met de uit de literatuur bekende daaraan verbonden goede passiveringseigenschappen (zoals ook beschreven in par. 3 van het octrooi), voorbij moet worden gegaan. Het rapport van Lee, waarin het productieproces van producten van LONGi in de Verenigde Staten wordt beschreven, leidt niet tot een ander oordeel. Daarin wordt een productieproces beschreven waarbij thermische oxidatie leidt tot siliciumdioxide (SiO2). Dat kan niet worden verenigd met de samenstelling van de overgangslaag aan de achterzijde van een feitelijk Product van LONGi zoals blijkt uit figuur 9 uit het eerste rapport van Van Aken. Daaruit kan voorshands niet anders worden afgeleid dan dat het door Lee beschreven productieproces, als van de juistheid van het daar beschrevene moet worden uitgegaan, kennelijk niet wordt gebruikt voor de achterzijde van de voor de Europese markt gefabriceerde Producten.
dioxide in de tussenlaag, deze geen goede passiveringseigenschappen kan hebben. Dat standpunt – dat LONGi bij MvA leek te hebben verlaten (par. 95), maar ter zitting nadrukkelijk heeft bevestigd (par. 62 pleitnota) – is in overeenstemming met dat van haar deskundigen (Van Aken en Sundqvist), die verklaren dat onderscheid moet worden gemaakt tussen een door thermische oxidatie aangebrachte silicium
dioxidelaag en een onbedoelde siliciumoxidelaag en dat alleen aan een laag met hoofdzakelijk silicium
dioxide goede passiveringseigenschappen kunnen worden toegeschreven.
In vertikaler Richtung projizierten Konzentrationen der Elemente N (rot), O (grün) und Si (blau) einer TEM-Probe der Solarzelle von LONGI Solar (rechts). Das Konzentration-Abstand-Diagramm im Bereich 42 nm bis 44 nm verdeutlicht das Vorhandensein von Sauerstoff und Silizium bei gleichzeitiger Abwesenheit von Stickstoff.”.
voorzijde van een zonnepaneel van LONGi) is op te maken dat in het met cijfer 2 aangeduide overgangsgebied de concentratie zuurstofatomen (groen lijn) ongeveer tweemaal zo hoog is als de concentratie siliciumatomen (blauwe lijn), wat op de aanwezigheid van voornamelijk silicium
dioxide wijst. Uit de hiervoor in r.o. 6.61 weergegeven figuur 9 (die op de overgangslaag aan de
achterzijde van een LONGi zonncel ziet) blijkt dat daar juist een siliciumoxidelaag aanwezig is. Daaruit volgt dat de samenstelling van de passiveerlagen aan de voor- en achterzijde van de Producten van LONGi verschillend is. Volgens LONGi en haar deskundigen kunnen alleen aan een silicium
dioxidelaag passiveringseffecten worden toegeschreven. Aangezien zo’n laag alleen aan de voorzijde, maar niet aan de achterzijde van de LONGi Producten aanwezig is, biedt het Abou-Ras rapport geen steun voor de door LONGi gestelde verbeterde passiveringseffecten door een bewust aangebrachte passiveringslaag aan de achterzijde van haar Producten.
dangling bondsaan te gaan, zoals ook is beschreven in Hoex 2006 en welk mechanisme mede ten grondslag ligt aan het met de zonnecel volgens het octrooi bereikte passiveringseffect. Aldus vervullen de in de siliciumnitridelaag aan de achterzijde van de Producten aanwezige waterstofatomen wel degelijk een passiveringsfunctie.
onevenrediggrote schade zou berokkenen, onder meer door ontwrichting van haar distributiesysteem en verlies aan marktaandeel en reputatie, kan daarom niet worden aangenomen. Aldus wegen de belangen van LONGi bij het achterwege blijven van een verbod niet zwaarder dan de belangen van Hanwha bij toewijzing een inbreukverbod, waarop zij als octrooihouder in beginsel aanspraak kan maken. Niet valt in te zien waarom het belang van Hanwha bij het verkrijgen van een redelijke licentievergoeding voor het gebruik van haar uitvinding (naast de bescherming van de exclusiviteit van haar eigen producten waarin de uitvinding is toegepast) geen rechtens te beschermen belang zou zijn, zoals LONGi lijkt te betogen.
7.Beslissing
Wij zijn verplicht u te informeren dat het Gerechtshof Den Haag, Nederland, heeft beslist dat de door ons op de markt gebrachte zonnepanelen van het type Hi-MO3, Hi-MO3m, Hi-MO4, Hi-MO4m, Hi-MO5 en Hi-MO5m inbreuk maken op Europees octrooi EP 2 220 689 van Hanwha Solutions Corporation, en dat deze producten derhalve niet langer mogen worden vervaardigd, gebruikt, ten verkoop aangeboden, verkocht of voor deze doeleinden ingevoerd. Wij verzoeken u hierbij om die door ons verkochte producten niet langer aan te bieden (op uw website, in brochures e.d.) en alle door ons verkochte exemplaren die zich onder u bevinden aan ons te retourneren. Wij zullen dan onmiddellijk de aankoopprijs en alle kosten in verband met de retournering van dergelijke producten aan u vergoeden”.