ECLI:NL:RBDHA:2018:10046

Uitspraak

vonnis

RECHTBANK DEN HAAG

Team handel

zaaknummer / rolnummer: C/09/542245 / HA ZA 17-1151

Vonnis van 22 augustus 2018

in de zaak van

de rechtspersoon naar buitenlands recht

NIKON CORPORATION,

gevestigd te Tokyo, Japan,

eiseres in conventie,

verweerster in het bevoegdheidsincident,

verweerster in reconventie,

procesadvocaat mr. L. Oosting te Amsterdam,

tegen

1. de naamloze vennootschap

ASML HOLDING N.V.,

2. de besloten vennootschap

ASML NETHERLANDS B.V.,

3. de besloten vennootschap

ASML SYSTEMS B.V.,

alle gevestigd te Veldhoven,

gedaagden in conventie,

eiseressen in het bevoegdheidsincident,

eiseressen in reconventie,

procesadvocaat mr. J.A. Dullaart te Naaldwijk.

Partijen zullen hierna Nikon en ASML genoemd worden. Voor Nikon is de zaak inhoudelijk behandeld door haar procesadvocaat en door mrs. R.M. van der Velden, L.W. Cortenraad, R.M. Kleemans, W. de Jong en K.A.J. Bisschop en mr. ir. Laddé, allen advocaat te Amsterdam, bijgestaan door de octrooigemachtigden mr. drs. A.J.W. Hooiveld, ir. M.H. Luten en ir. W.J. Slikker. Voor ASML is de zaak behandeld door mrs. W.A. Hoyng, G. Theuws, R.J.F. Grijpink en A.S. Friedmann, allen advocaat te Amsterdam, bijgestaan door de octrooigemachtigden D. Owen en M. de Baat.

1.De procedure

1.1.

Het verloop van de procedure blijkt uit:

de beschikking van de voorzieningenrechter van deze rechtbank van 26 april 2017 waarbij Nikon verlof is verleend ASML te dagvaarden in de versnelde bodemprocedure in octrooizaken (hierna: VRO-procedure);
de dagvaarding van 10 mei 2017;
de akte overlegging producties namens Nikon met producties EP1 t/m EP41

de conclusie van antwoord in conventie, tevens conclusie van eis in reconventie, tevens incidentele conclusie houdende exceptie van onbevoegdheid met producties GP1 t/m GP62;
de incidentele conclusie van antwoord in het bevoegdheidsincident namens Nikon;
de conclusie van antwoord in reconventie met producties EP42 t/m EP49;
de akte houdende overlegging aanvullende producties namens Nikon van 18 april 2018 met producties EP50 t/m 53;
de akte houdende overlegging aanvullende producties namens ASML van 18 april 2018 met producties GP63 t/m GP67;
de akte overlegging reactieve producties namens Nikon van 18 mei 2018 met producties EP54 t/m EP62;
de akte houdende overlegging reactieve producties namens ASML van 18 mei 2018 [gedateerd op de pleidooidatum] met producties GP68 en GP69;
de email van 8 juni 2018 van mr. Kleemans namens beide partijen betreffende een proceskostenafspraak;
de ter zitting van 15 juni 2018 door partijen gehanteerde pleitnotities, met dien verstande dat paragrafen 13 t/m 21, 24 t/m 28 en 150 onder 1), 2), 3), en 5) van de pleitnota van ASML zijn doorgehaald omdat deze niet zijn gepleit of zijn geweigerd (zie 1.2 hierna).

1.2.

ASML heeft ter zitting aangegeven haar bezwaar tegen het rapport van Nagasaka niet langer te handhaven. Nikon heeft ter zitting nog bezwaar gemaakt tegen het pleidooi van ASML over niet-technische weren omdat de afspraak was gemaakt dat alleen op de eerste VRO-zitting van deze 11 zaken de niet-technische verweren zouden worden bepleit. ASML heeft daar tegenin gebracht dat Nikon in deze procedure de uitspraak van het Landgericht Mannheim (zie hierna r.o. 2.19) heeft overgelegd (als aanvullende productie EP52) zodat daarop gereageerd mag worden. Het bezwaar van Nikon wordt verworpen voor zover het een reactie betreft op de uitspraak van het Landgericht Mannheim; voor het overige is het bezwaar gegrond en zijn de betreffende delen in de pleitnota doorgehaald.

1.3.

Een deel van de informatie die partijen hebben overgelegd en behandeld betreft bedrijfsvertrouwelijke informatie. Daarover is ter zitting niet nader gepleit. Er zijn in dit vonnis geen gedeelten die op de vertrouwelijke informatie betrekking hebben, zodat het niet nodig is art. 29 lid 4 Rv toe te passen.

1.4.

Vervolgens is vonnis bepaald op heden.

2.De feiten

2.1.

Nikon is de moedermaatschappij van de Nikon groep. Naast camera's, microscopen, brillenglazen en optische meetapparatuur, ontwikkelt, produceert en verkoopt Nikon (foto)lithografiemachines die gebruikt worden voor de productie van (computer)chips.

2.2.

ASML maakt onderdeel uit van de ASML groep. ASML is de grootste fabrikant ter wereld van lithografiemachines voor de fabricage van (computer)chips. Haar enige concurrent op de markt van (hierna te bespreken) immersie-lithografiemachines is Nikon.

2.3.

Nikon is houdster van Europees octrooi 2 765 595 (hierna: het octrooi of EP 595) voor: ‘
Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device’.Het octrooi is verleend op 14 december 2016 op een aanvrage daartoe van 3 februari 2005, onder inroeping van prioriteit van JP2004028092 van 4 februari 2004. Tegen (de verlening van) EP 595 is geen oppositie ingesteld. EP 595 is onder andere van kracht in Duitsland, Ierland en Nederland.

2.4.

EP 595 telt 21 conclusies. In de oorspronkelijke Engelse taal luiden de hier van belang zijnde conclusies als volgt:

1. An exposure apparatus configured for exposing a substrate by radiating an exposure light beam onto the substrate through a liquid of a liquid immersion area formed on a portion of a surface of the substrate, the exposure apparatus comprising:a projection optical system (PL);a first substrate stage which has a substrate-holding member (PH) for holding the substrate and which is movable;a flow passage forming member (70) which has liquid supply ports (12A, 12B) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate (P) and liquid recovery ports (22A, 228) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate; anda temperature adjustment system (60) arranged for adjusting temperature of the substrate-holding member (PH) and temperature of the liquid (LQ) to be supplied from the liquid supply ports of the flow passage forming member,wherein the temperature adjustment system has a first temperature adjusting unit (61) arranged for adjusting the temperature of the liquid to be supplied from the liquid supply ports,characterized in thatthe temperature adjustment system has a second temperature adjusting unit (62) arranged for adjusting the temperature of the substrate-holding member.

2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is configured to use the second temperature adjusting unit to adjust the temperature of the substrate-holding member so that heat transfer is reduced between the substrate and the liquid on the substrate.

3. The exposure apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a mark-detecting system for detecting an alignment mark on the substrate not through the liquid, wherein the temperature adjustment system is arranged to perform the temperature adjustment for the substrate-holding member so that a temperature of the substrate is not changed by the contact between the liquid and the substrate after detecting the mark by the mark-detecting system.

5. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the temperature adjustment system is arranged for adjusting the temperature of the substrate-holding member depending on a temperature of the liquid to be supplied onto the substrate.

6. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising a first temperature sensor for measuring the temperature of the substrate-holding member.

7. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a second temperature sensor for measuring the temperature of the liquid to be supplied from the liquid supply ports.

8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the second temperature sensor is provided in the flow passage forming member.

12. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 11, further comprising a second substrate stage which has a substrate-holding member for holding a substrate and which is movable.

13. The exposure apparatus according to claim 12, further comprising a measuring station in which measurement for the substrate held by one of the first and second substrate stages is performed.

15. An exposure method comprising:holding a substrate by a substrate-holding member of a substrate stage;forming a liquid immersion area on a portion of a surface of the substrate by supplying a liquid from liquid supply ports (12A, 12B) of a flow passage forming member (70) and by recovering the supplied liquid from liquid recovery ports (22A, 22B) of the flow passage forming member (70), the liquid supply ports and the liquid recovery ports being arranged to be opposite to the surface of the substrate (P);adjusting temperature of the liquid to be supplied from the liquid supply ports of the flow passage forming member by a first temperature adjusting unit (61) of a temperature adjustment system;adjusting temperature of the substrate-holding member (PH) by a second temperature adjusting unit (62) of the temperature adjustment system;andexposing the substrate held by the substrate-holding member by radiating an exposure light beam onto the substrate through the liquid of the liquid immersion area formed on the surface of the substrate.

16. The exposure method according to claim 15, wherein the temperature adjustment of the substrate-holding member by the second temperature adjusting unit is so as to reduce heat transfer between the substrate and the liquid on the substrate.

17. The exposure method according to claim 15 or 16, wherein the temperature of the substrate-holding member is adjusted so that no temperature change of the liquid is caused by contact between the liquid and the substrate.

18. The exposure method according to claim 17, wherein the temperature of the substrate-holding member is adjusted so that no temperature distribution is generated in the liquid.

19. The exposure method according to any one of claims 15 to 18, wherein the temperature of the substrate-holding member is adjusted so that no temperature change of the substrate is caused by contact between the liquid and the substrate.

20. The exposure method according to any one of claims 15 to 19, wherein the temperature of the substrate-holding member is adjusted so that the liquid and the substrate have substantially the same temperature.

21. A method for producing a device, comprising using the exposure apparatus as defined in any one of claims 1 to 14, or using the exposure method as defined in any one of claims 15 to 20.

2.5.

Deze conclusies luiden in de - niet bestreden - Nederlandse vertaling als volgt:

1. Een belichtingsinrichting geconfigureerd voor het belichten van een substraat door het stralen van een belichtingslichtbundel op het substraat door een vloeistof van een vloeistofdompelgebied gevormd op een gedeelte van een oppervlak van het substraat, de belichtingsinrichting omvattende:een optisch projectiesysteem (PL);een eerste substraatplatform dewelke een substraat-vasthoudelement (PH) heeft voor het vasthouden van het substraat en dewelke beweegbaar is;een stroomdoorgang vormend deel (70) dat vloeistoftoevoerpoorten (12A, 128) heeft, aangebracht om tegenoverliggend te zijn aan, in gebruik, het oppervlak van het substraat (P) en vloeistofrecuperatiepoorten (22A, 228), aangebracht om tegenoverliggend te zijn aan, in gebruik, het oppervlak van het substraat; eneen temperatuuraanpassingssysteem (60) ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van het substraat-vasthoudelement (PH) en de temperatuur van de vloeistof (LQ) die dient te worden geleverd van de vloeistoftoevoerpoorten van het stroomdoorgang vormend element,waarbij het temperatuuraanpassingssysteem een eerste temperatuuraanpassingseenheid (61) heeft, ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van de vloeistof die dient te worden geleverd van de vloeistoftoevoerpoorten,met het kenmerk,dat het temperatuuraanpassingssysteem een tweede temperatuuraanpassingseenheid (62) heeft, ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van het substraat-vasthoudelement.

2. De belichtingsinrichting volgens conclusie 1, waarbij de belichtingsinrichting is geconfigureerd om de tweede temperatuuraanpassingseenheid te gebruiken om de temperatuur van het substraat-vasthoudelement aan te passen zodat warmteoverdracht wordt verminderd tussen het substrat en de vloeistof op het substraat.

3. De belichtingsinrichting volgens conclusie 1 of 2, verder omvattende een markeringsdetectiesysteem voor het detecteren van een uitlijningsmarkering op het substraat niet door de vloeistof, waarbij het temperatuuraanpassingssysteem is ingericht om de temperatuuraanpassing uit te voeren voor het substraat-vasthoudelement zodat een temperatuur van het substraat niet wordt gewijzigd door het contact tussen de vloeistof en het substraat na het detecteren van de markering door het markeringsdetectiesysteem.

5. De belichtingsinrichting volgens een der conclusies 1 tot en met 4, waarbij het temperatuuraanpassingssysteem is ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van het substraat-vasthoudelement afhankelijk van de temperatuur van de vloeistof die dient te worden toegevoerd op het substraat.

6. De belichtingsinrichting volgens een der conclusies 1 tot en met 5, verder omvattende een eerste temperatuursensor voor het meten van de temperatuur van het substraat-vasthoudelement.

7. De belichtingsinrichting volgens een der conclusies 1 tot en met 6, verder omvattende een tweede temperatuursensor voor het meten van de temperatuur van de vloeistof die dient te worden geleverd van de vloeistoftoevoerpoorten.

8. De belichtingsinrichting volgens conclusie 7, waarbij de tweede temperatuursensor is voorzien in het stroomdoorgang vormende element.

12. De belichtingsinrichting volgens een der conclusies 1 tot en met 11, verder omvattende een tweede substraatplatform dat een substraat-vasthoudelement heeft voor het vasthouden van een substraat en dat beweegbaar is.

13. De belichtingsinrichting volgens conclusie 12, verder omvattende een meetstation waarin een meting voor het substraat gehouden door een van de eerste en tweede substraatplatformen wordt uitgevoerd.

15. Een belichtingswerkwijze omvattend:het vasthouden van een substraat door een substraat-vasthoudelement van een substraatplatform ;het vormen van een vloeistofdompelgebied op een gedeelte van een oppervlak van het substraat door het toevoeren van een vloeistof uit vloeistoftoevoerpoorten (12A, 128) van een stroomdoorgang vormend element (70) en door het recupereren van de toegevoerde vloeistof van vloeistofrecuperatiepoorten (22A , 228) van het stroomdoorgang vormende element (70), de vloeistoftoevoerpoorten en de vloeistofrecuperatiepoorten zijnde aangebracht om tegenoverliggend te zijn aan het oppervlak van het substraat (P);het aanpassen van temperatuur van de vloeistof die dient te worden toegevoerd van de vloeistoftoevoerpoorten van het stroomdoorgang vormende element door een eerste temperatuuraanpassingseenheid (61) van een temperatuuraanpassings-systeem;het aanpassen van de temperatuur van het substraat-vasthoudelement (PH) door een tweede temperatuuraanpassingseenheid (62) van het temperatuuraanpassings-systeem;enhet belichten van het substraat gehouden door het substraatvasthoudelement door het stralen van een belichtingslichtbundel op het substraat door de vloeistof van het vloeistofdompelgebied gevormd op het oppervlak van het substraat.

16. De belichtingswerkwijze volgens conclusie 15, waarbij de temperatuuraanpassing van het substraat-vasthoudelement door de tweede temperatuuraanpassingseenheid zodanig is om warmteoverdracht tussen het substraat en de vloeistof op het substraat te verminderen.

17. De belichtingswerkwijze volgens conclusie 15 of 16, waarbij de temperatuur van het substraat-vasthoudelement wordt aangepast zodat geen temperatuurverandering van de vloeistof wordt veroorzaakt door contact tussen de vloeistof en het substraat.

18. De belichtingswerkwijze volgens conclusie 17, waarbij de temperatuur van het substraat-vasthoudelement wordt aangepast zodat geen temperatuurverdeling wordt gegenereerd in de vloeistof.

19. De belichtingswerkwijze volgens een der conclusies 15 tot en met 18, waarbij de temperatuur van het substraat-vasthoudelement wordt aangepast zodat geen temperatuurverandering van het substraat wordt veroorzaakt door contact tussen de vloeistof en het substraat.

20. De belichtingswerkwijze volgens een der conclusies 15 tot en met 19, waarbij de temperatuur van het substraat-vasthoudelement wordt aangepast zodat de vloeistof en het substraat in hoofdzaak dezelfde temperatuur hebben.

21. Een werkwijze voor het produceren van een inrichting, omvattende het gebruik van de belichtingsinrichting zoals gedefinieerd in een der conclusies 1 tot en met 14, of het gebruik van de belichtingswerkwijze zoals gedefinieerd in een der conclusies 15 tot en met 20.

2.6.

In de beschrijving van EP 595 is onder meer het volgende opgenomen:

(…)BACKGROUND ART

(…)

[0005] In relation to the liquid immersion exposure apparatus, the following arrangement is conceived. That is, for example, when the position information about the substrate is measured, a detecting light beam is radiated onto the liquid, and the measurement is performed on the basis of the detecting light beam through the liquid. In such a situation, if the refractive index of the liquid is changed, for example, due to any temperature change, the measurement accuracy is deteriorated, for example, due to any fluctuation of the optical path for the detecting light beam. Similarly, if the refractive index of the liquid is changed, for example, due to any temperature change, the exposure accuracy is deteriorated, for example, due to any fluctuation of the image characteristic (state of formation of the image) to be obtained through the liquid.

(…)

BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS[0011]Fig. 1 shows a schematic arrangement illustrating an embodiment of an exposure apparatus of the present invention.Fig. 2 shows a magnified side view illustrating main parts to depict a substrate stage and a temperature adjustment system.

(…)

DETAILED DESCRIPTION

(…)

[0013] According to a first aspect, there is provided an exposure apparatus (EX) which exposes a substrate (P) by radiating an exposure light beam (EL) onto the substrate (P) through a liquid (LQ); the exposure apparatus comprising a substrate stage (PST) which has a substrate-holding member (PH) for holding the substrate (P) and which is movable while holding the substrate (P) by the aid of the substrate-holding member (PH); and a temperature adjustment system (60) which performs temperature adjustment for the substrate-holding member (PH).[0014] Accordingly, the substrate, which is held by the substrate-holding member, can be adjusted to have a desired temperature by performing the temperature adjustment by using the temperature adjustment system for the substrate-holding member which holds the substrate. Therefore, the temperature change is suppressed for the liquid which makes contact with the substrate, and it is possible to maintain the liquid to be in a desired temperature state. Therefore, for example, even when the exposure apparatus is constructed such that the detecting light beam is radiated onto the liquid to perform the measurement process on the basis of the detecting light beam through the liquid, it is possible to maintain the satisfactory measurement accuracy. Further, it is possible to maintain the satisfactory exposure accuracy, because the exposure light beam can be radiated onto the substrate through the liquid which is in the desired temperature state.

(…)

[0024] According to a fifth aspect, there is provided an exposure apparatus (EX) which exposes a substrate (P) by radiating an exposure light beam onto the substrate (P) through a liquid (LQ); the exposure apparatus comprising a liquid supply mechanism (10) which supplies the liquid (LQ); and a temperature sensor (80, 82, 83, 84) which measures a temperature of an object (P, 2, 50, 300, 401, 501 or the like) that makes contact with the liquid (LQ) supplied from the liquid supply mechanism (10); wherein the liquid supply mechanism (10) adjusts a temperature of the liquid to be supplied on the basis of a measurement result obtained by the temperature sensor (80, 82, 83, 84).[0025] Accordingly, the temperature of the object such as the substrate which makes contact with the liquid is measured, and the temperature of the liquid to be supplied is adjusted on the basis of the obtained result of the measurement. Therefore, it is possible to suppress not only the temperature change of the object, but it is also possible to suppress the temperature change of the liquid to be supplied onto the object. Thus, the temperature of the liquid can be maintained to be in the desired state. Therefore, it is possible to obtain the satisfactory measurement accuracy and the satisfactory exposure accuracy. The measurement of the temperature of the object to make contact with the liquid includes not only the case of the direct measurement of the temperature of the object, but also the case of the measurement of the temperature of the object which can be regarded to have approximately the same temperature as the temperature of the object to make contact with the liquid, and of the measurement of the temperature of the object for which the temperature of the object to make contact with the liquid can be predicted or estimated.

(…)

[0098] The illumination optical system IL is provided so that the mask M, which is supported on the mask stage MST, is illuminated with the exposure light beam EL. The illumination optical system IL includes, for example, an exposure light source, an optical integrator which uniformizes the illuminance of the light flux radiated from the exposure light source, a condenser lens which collects the exposure light beam EL emitted from the optical integrator, a relay lens system, and a variable field diaphragm which sets the illumination area on the mask M illuminated with the exposure light beam EL to be slit-shaped. The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light beam EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. Those usable as the exposure light beam EL radiated from the illumination optical system IL include, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) radiated, for example, from a mercury lamp, far ultraviolet light beams (DUV light beams) such as the KrF excimer laser beam (wavelength: 248 nm), and vacuum ultraviolet light beams (VUV light beams) such as the ArF excimer laser beam (wavelength: 193 nm) and the F2laser beam (wavelength: 157 nm). In this embodiment, the ArF excimer laser beam is used. As described above, the liquid LQ is pure water in this embodiment, through which even the ArF excimer laser beam as the exposure light beam EL is transmissive. Those also capable of being transmitted through pure water include the emission line (g-ray, h-ray, i-ray) and the far ultraviolet light beam (DUV light beam) such as the KrF excimer laser beam (wavelength: 248 nm).

(…)

[0127] Fig. 2 shows the temperature adjustment system 60 which performs the temperature adjustment for the substrate holder PH. With reference to Fig. 2 , the temperature adjustment system 60 includes the liquid temperature-adjusting unit 61 which adjusts the temperature of the liquid LQ supplied from the liquid supply section 11 to be a predetermined temperature, and a temperature-adjusting flow passage 62 which is formed in the substrate holder PH and through which the liquid LQ supplied from the liquid temperature-adjusting unit 61 flows. One end of the temperature-adjusting flow passage 62 is connected to the liquid temperature-adjusting unit 61 via a supply flow passage 63 and an internal flow passage 63' which is formed in the Z stage 52. The other end of the temperature-adjusting flow passage 62 is connected to the liquid recovery section 21 via a recovery flow passage 64 and an internal flow passage 64' which is formed in the Z stage 52. The liquid LQ, which is subjected to the temperature adjustment by the liquid temperature-adjusting unit 61, is supplied to the temperature-adjusting flow passage 62 via the supply flow passage 63 and the internal flow passage 63', and the liquid LQ is allowed to flow through the temperature-adjusting flow passage 62. The liquid temperature-adjusting unit 61 includes therein a heater and a temperature sensor. The liquid temperature-adjusting unit 61 is controlled on the basis of the control signal supplied from the control unit. The temperature of the liquid LQ is not specifically limited. However, the temperature of the liquid LQ is regulated or adjusted to about 23 °C ±0.01 which is approximately the same as the temperature in the chamber in which, for example, the projection optical system PL and the substrate stage PST are accommodated. The substrate holder PH is adjusted to have a desired temperature, for example, the same temperature as that of the adjusted liquid LQ, by the aid of the liquid LQ allowed to flow through the temperature-adjusting flow passage 62.[0128] The temperature-adjusting flow passage 62 is provided to have a helical form or a wavy form as viewed in a plan view in the Z direction. The temperature-adjusting flow passage 62 is capable of adjusting the substrate holder PH to have an approximately uniform temperature. This embodiment has been explained such that one temperature-adjusting flow passage 62 is provided. However, it is also allowable to provide a plurality of temperature-adjusting flow passages 62 for the substrate holder PH. This embodiment has been explained such that the temperature-adjusting flow passage 62 is formed in the substrate holder PH. However, the temperature-adjusting flow passage 62 may be provided under or below the substrate holder PH (on the contact surface between the substrate holder PH and the Z stage 52) or in the Z stage 52. Alternatively, a tube member, which forms the temperature-adjusting flow passage 62, may be provided on the circumference of the side surface of the substrate holder PH. Further alternatively, the temperature-adjusting flow passage 62 may be provided at any position on the upper surface of the substrate holder PH provided that the position, at which the temperature-adjusting flow passage 62 is provided, does not inhibit the holding of the substrate P.[0129] The substrate holder PH is preferably formed of a material having a high coefficient of thermal conductivity so that the substrate holder PH is subjected to the temperature control in accordance with the temperature of the liquid allowed to flow through the temperature-adjusting flow passage 62. The substrate holder PH may be formed of, for example, aluminum, titanium, stainless steel, duralumin, or any alloy containing the above. A plurality of pin-shaped projections are formed on the upper surface of the substrate holder PH in order to hold the substrate P. In this embodiment, the substrate P is formed of silicon carbide (SiC) having a high coefficient of thermal conductivity. Therefore, the substrate P, which is held by the substrate holder PH, can be regarded to have approximately the same temperature as the temperature of the substrate holder PH. The temperature of the substrate P can be adjusted by adjusting the temperature of the substrate holder PH. (…)

[0131] In this embodiment, the temperature adjustment system 60 performs the temperature adjustment for the substrate holder PH by using a liquid LQ which is same as the liquid LQ to be supplied onto the substrate P. The temperature adjustment system 60 uses the temperature-adjusted liquid LQ to perform the temperature adjustment for the substrate holder PH and perform the temperature adjustment for the liquid LQ for the liquid immersion exposure to be supplied onto the substrate P as well. Accordingly, the structure of the apparatus is simplified, and the temperature change can be suppressed for the substrate P to make contact with the liquid LQ and for the liquid LQ to make contact with the substrate P respectively. Further, approximately the same temperature can be ensured for the substrate holder PH, the substrate P held by the substrate holder PH, and the liquid LQ to make contact with the substrate P.

(…)

[0133] Temperature sensors 80, which measures the temperature of the substrate holder PH, are provided at a plurality of predetermined positions of the upper surface of the substrate holder PH respectively. As described above, the substrate holder PH can be regarded to have approximately the same temperature as that of the substrate P.

(…)

[0166] Further, it is also possible to avoid the temperature change and the thermal deformation of, for example, the substrate P, the reference member 300, and the optical element 2 which would be otherwise caused by the contact with the liquid LQ. The temperature adjustment, which is effected, for example, for the substrate P (substrate holder PH), the reference member 300, and the optical element 2, is not limited to the arrangement or system in which the liquid is used. The temperature adjustment may be effected by using a predetermined temperature-adjusting means (for example, heater or Peltier element) other than the arrangement or system in which the liquid LQ is used.

(…)

[0208] The factors to cause the temperature distribution and the temperature change of the liquid LQ include, for example, the temperature change of the optical element 2 and/or the substrate P which makes contact with the liquid LQ. The factors to cause the temperature change of the substrate P and the optical element 2 include, for example, the absorption of the thermal energy of the radiated exposure light beam EL by the optical element 2 and/or the substrate P (including the resist on the substrate P) and the heat transfer to the substrate P from the substrate stage PST which has the motor and the actuator (substrate stage-driving unit PSTD) as the heat-generating sources. Further, it is also considered that the liquid LQ itself undergoes the temperature change by being irradiated with the exposure light beam EL. When the difference appears among the temperature of the liquid LQ, the temperature of the substrate P which makes contact with the liquid LQ, and the temperature of the optical element 2 due to the factors as described above, the heat exchange (heat transfer) is effected therebetween. There is a possibility such that the temperature change and/or the temperature distribution arises in the liquid LQ with which the space between the substrate P and the optical element 2 is filled, and/or the temperature change and/or the thermal deformation of the substrate P and/or the optical element 2 is caused. In such a situation, there is such a possibility that the inconvenience may arise as follows. That is, the optical path for the exposure light beam EL is varied due to the temperature change as described above. The substrate P is thermally deformed. The optical element 2 is thermally deformed to cause the variation of the image characteristic to be obtained via the projection optical system PL and the liquid LQ. The accuracy is deteriorated for the overlay and the positional adjustment for the image of the pattern. Further, the following possibility may also arise. That is, the refractive index fluctuation and/or the refractive index distribution appears in the liquid LQ due to the temperature change (temperature distribution) of the liquid LQ. For example, the optical path for the detecting light beam La of the focus-detecting system 30 is varied to cause any measurement error in the focus-detecting system 30.

[0209] Further, there is such a possibility that the temperature of the liquid LQ supplied from the liquid temperature-adjusting unit 61 may be slightly changed with time. Also in such a situation, the temperature distribution and/or the temperature change is caused in the liquid LQ with which the space between the substrate P and the optical element 2 is filled.

[0210] Accordingly, the temperature adjustment system 60 performs the temperature adjustment for the liquid LQ, the optical element 2, and the substrate holder PH (as well as the substrate P) so that approximately the same temperature is ensured for the liquid LQ, the optical element 2, and the substrate P, while no temperature change is caused for the optical element 2, the substrate P, and the liquid LQ due to the contact between the liquid LQ and the substrate P and/or the contact between the liquid LQ and the optical element 2. Thus, it is possible to avoid the inconvenience which would be otherwise caused such that the measurement accuracy and the exposure accuracy are deteriorated.

[0211] In particular, the temperature adjustment system 60 performs the temperature adjustment for the substrate holder PH so that the heat transfer is reduced between the substrate P and the liquid LQ on the substrate P. Therefore, it is possible to effectively avoid the inconvenience which would be otherwise caused such that the substrate P is thermally deformed and/or the liquid LQ undergoes the temperature change and/or the temperature distribution due to the thermal energy transferred to the substrate P from the substrate stage PST which has the motor and the actuator as the heat-generating sources.

[0212] The temperature adjustment system 60 performs the temperature adjustment for the

optical element 2 so that the heat transfer is reduced between the optical element 2 and the liquid LQ which makes contact with the optical element 2. Therefore, it is possible to effectively avoid the inconvenience which would be otherwise caused such that the optical element 2 undergoes the temperature change and/or the thermal deformation and/or the temperature change and/or the temperature distribution arises in the liquid LQ due to the thermal energy transferred to the liquid LQ which makes contact with the optical element 2 from the optical element 2 which generates the heat by absorbing the thermal energy of the exposure light beam EL.

[0213] When the temperature distribution appears in the liquid LQ, and the refractive index distribution arises, then there is such a possibility that the focus-detecting system 30, which is constructed to radiate the detecting light beam La in the oblique direction (from the obliquely upward position) with respect to the substrate P, may undergo the considerable deterioration of the measurement accuracy. However, the temperature adjustment system 60 performs the temperature adjustment for the substrate holder PH and/or the temperature adjustment for the optical element 2 so that the temperature distribution is not caused in the liquid LQ. Accordingly, it is possible to avoid the deterioration of the measurement accuracy of the focus-detecting system 30.

[0214] Another liquid temperature-adjusting unit, which is distinct from the liquid temperature-adjusting unit 61 to be used for the temperature adjustment for the optical element 2 and the substrate holder PH, may be provided at an intermediate position of each of the supply tubes 13A, 13B when the temperature adjustment is performed for the liquid LQ of the liquid immersion area AR2. The temperature of the liquid LQ to be supplied from the liquid supply ports 12A, 12B may be adjusted, and/or the liquid supply amount per unit time may be adjusted on the basis of the measurement result obtained by the temperature sensor.

[0215] After the completion of the liquid immersion exposure for the substrate P, the control unit CONT uses the liquid recovery mechanism 20 or the predetermined liquid recovery mechanism provided distinctly from the liquid recovery mechanism 20 to recover the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 formed on the substrate P (Step SA5).

[0216] After the liquid LQ is recovered from the surfaces of the substrate P and the substrate stage PST, the control unit CONT exports (unloads) the substrate P having been subjected to the exposure, from the substrate stage PST (Step SA6).

[0217] As explained above, the substrate P, which makes contact with the liquid LQ, can be adjusted to have the desired temperature by the aid of the substrate holder PH by performing the temperature adjustment for the substrate holder PH which holds the substrate P, by using the temperature adjustment system 60. For example, the upper plate 401 and the optical element 2 through which the exposure light beam EL passes while making contact with the liquid LQ can be also subjected to the temperature adjustment by using the temperature adjustment system 60. Therefore, the liquid LQ, which makes contact with the substrate P and the optical element 2, can be maintained at the desired temperature as well. Additionally, it is also possible to avoid the temperature change and the thermal deformation of the substrate P and the optical element 2 making contact with the liquid LQ. Therefore, even in the case of the arrangement in which the detecting light beam La is radiated onto the liquid LQ to perform the measurement process on the basis of the detecting light beam La through the liquid LQ, it is possible to maintain the satisfactory measurement accuracy. The exposure light beam EL can be radiated onto the substrate P through the liquid LQ maintained at the desired temperature.

[0218] Therefore, it is possible to maintain the satisfactory exposure accuracy. Further, the temperature adjustment is performed, for example, for the substrate P (substrate holder PH), the optical element 2, and the reference member 300 which make contact with the liquid LQ. Therefore, it is also possible to avoid the temperature change and the thermal deformation of, for example, the substrate P, the optical element 2, and the reference member 300, which would be otherwise caused by the vaporization of the liquid.

[0219] For example, when a part of the liquid immersion area of the liquid LQ formed on the reference member 300 is arranged on the flat surface 51 as shown in Fig. 9, or when the edge area E (Fig. 1) on the substrate P is subjected to the exposure, then a part of the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ is arranged on the flat surface 51 in some cases. However, it is possible to avoid the inconvenience of the occurrence of the temperature change (temperature distribution) in the liquid LQ even when the liquid LQ makes contact with the flat surface 51, by effecting the temperature adjustment for the plate member 50 for forming the flat surface 51 around the substrate P as well.

[0220] For example, when the temperature adjustment is performed for the substrate P before performing the detection of the alignment mark 1 on the substrate P, or when the temperature adjustment is performed before starting the exposure for the substrate P, then the temperature adjustment can be also performed for the substrate P such that the liquid LQ, which is to be used for the exposure, is made to flow onto the substrate P for a certain period of time. In this procedure, when the liquid supply amount per unit time, which is brought about during the temperature adjustment, is made larger than the liquid supply amount which is brought about during the liquid immersion exposure. Accordingly, it is possible to adjust the substrate P to have the desired temperature more effectively in a short period of time. When the liquid supply amount is increased, it is appropriate to increase the liquid recovery amount in response to the liquid supply amount in order to avoid any outflow of the liquid LQ.

[0221] It is preferable that the temperature adjustment is performed so that the difference in temperature of the substrate P (or the liquid LQ or the optical element 2) is decreased as much as possible between the alignment process (Step SA3) and the liquid immersion exposure process (Step SA4) in order to improve the overlay accuracy of the pattern on the substrate P. However, there is such a possibility that the difference in temperature arises, for example, due the light radiation condition and the driving condition of the actuator. In such a situation, for example, the thermal deformation amount of the substrate P (variation amount of the linear expansion), which is caused by the difference in temperature between the alignment process and the liquid immersion exposure process, is previously determined. A correction amount, which is used to correct the variation amount, is determined beforehand. The positional relationship between the substrate P and the image of the pattern may be corrected on the basis of the correction amount when the overlay exposure is performed. (…)

[0229] Further, in the embodiment described above, the temperature-adjusting flow passage 62 is formed in the substrate holder PH in order to perform the temperature adjustment for the substrate P, and the temperature adjustment is performed for the substrate holder PH by making the temperature-adjusted liquid LQ to flow through the temperature-adjusting flow passage 62. However, a temperature-adjusting mechanism for the motor and/or the actuator provided in the substrate stage PST may be also used for the temperature adjustment for the substrate holder PH.

2.7.

Onder meer de volgende tekeningen maken deel uit van het octrooischrift van EP 595:

2.8.

De – niet bestreden – Engelse vertaling van de Oost-Duitse octrooiaanvrage DD 221 563 A1, op 14 september 1983 ingediend door VEB ZFT Mikroelektronik voor een “
Immersion objective for the gradual projection imaging of a mask structure” (hierna: "DD563"; GP7) bevat onder meer de volgende passages en tekening:

In de samenvatting op p. 1:

(57) The invention relates to an immersion objective for the gradual projection imaging of a mask structure onto semiconductor wafers for photolithographic methods for producing integrated semiconductor circuits. The aim of the invention consists in avoiding the trapped gas bubbles, streaking and wetting of the wafer table, edge and rear with immersion liquid which arise by means of the immersion objective of the conventional type. The problem according to the invention is solved by an attachment device on the objective, with the aid of which a quantity-dosed and pressure-dosed supply of liquid takes place during the exposure process and its subsequent suction both within the attachment device and on and from the semiconductor wafer. Various designs of the device allow different exposure variations. The invention can be implemented in the field of photolithography.

(…)

op blz. 5, regels 16 en 17:

The immersion liquid of the first and second immersion systems is thermostated during the exposure process and preferably at a temperature of temperature of 22 +/- 1ºC

(…)

op blz. 5, regels 30 en 31:

"
… whereby the immersion liquid is continuously supplied and discharged and kept at a constant temperature.

(…)

op blz. 7, regels 23-29:

The discharge line 18 arranged at the outer wall 7.1 on the left of the drawing has a filter and thermostatic device 8 whose outlet 8.1 is connected to the connection 14.1. The hollow space 4 present between the last optical component 2 and the optically neutral transparent disc 3 is completely filled with an immersion liquid 4.1 which is spread over the supply and discharge lines 17; 18 and the outlet 8.1 and the connection 14.1 and thus forms a closed first immersion system.

(...)

en op blz. 8, regels 28-30:

The immersion liquid 4.1 used according to Fig. 1 is thermostated both within the attachment device 7 and the surface of the coated photoresist 26; 27, with a temperature of 22+/- 1ºC preferably being kept constant.

2.9.

Nikon’s Japanse octrooiaanvrage PCT/JP99/01262 van 26 maart 1998 gepubliceerd gepubliceerd op 16 maart 1999 als WO99/49504 (EP43; hierna: WO 504) voor
“Projection exposure method and system”bevat in de Engelse vertaling onder meer het volgende:

Technical Field

The present invention relates to a projection exposure method and apparatus for use in transferring a mask pattern onto a photosensitive substrate in a lithography process performed to manufacture devices such as, for example, semiconductor devices, imaging devices (CCDs or the like), liquid crystal display devices, or thin film magnetic heads, and more particularly to a projection exposure method and apparatus using a liquid immersion method.

(…)

Op p. 3, r. 3-9:

In view of the above viewpoints, it is an object of the present invention to provide a projection exposure method capable of stably keeping the space between a projection optical system and a wafer filled with liquid when applying the immersion method even if the projection optical system and the wafer relatively move. It is another object of the present invention to provide a projection exposure apparatus capable of performing the projection exposure method, (…)

En op p. 13, r.29-35

Furthermore, the liquid 7 flows on the wafer W. Therefore, even if foreign matter (including scattered particles from the resist) adheres to the wafer W, there is the advantage that the foreign matter can be washed away by means of the liquid 7. In addition, the liquid 7 is controlled to a predetermined temperature by the liquid supply device 5. Therefore, the surface of the wafer W is temperature-controlled, which prevents a degradation of an overlay accuracy resulting from thermal expansion of the wafer caused during exposure.

2.10.

Octrooi US 5,738,165 van Nikon, verleend en gepubliceerd op 14 april 1998 (hierna: US 165) voor een “
Illuminating optic device” bevat de volgende passages:

(…)

BACKGROUND OF THE INVENTION

1. Field of the Invention

The present invention relates to a substrate holding apparatus, and more particularly to a substrate holding apparatus adapted for use in an apparatus for producing integrated circuits, substrates for liquid crystal display panels, thin film magnetic heads or the like.

2. Related Background Art

In the conventional apparatus of this sort, the substrate holding unit is provided therein with a temperature sensor for monitoring the temperature thereof. The substrate holding unit is further provided therein with heating means and cooling means, of which at least either is controlled by a control system, based on the information from said temperature sensor, in such a manner that the substrate holding unit is maintained within a predetermined temperature range.

Such conventional technology explained above has been associated with a drawback that the entire substrate holding unit does not show uniform temperature distribution. This drawback will be explained in the following, for the exemplary case, of step-and-repeat exposure in which each of plural shot areas is exposed by repetition of exposure and stepping operation. In the course of said step-and-repeat operation, the temperature rises in a part of the shot areas, and, because of the displacement of the exposed shot area in time, there is formed a non-linear temperature distribution within the entire area of the substrate holding unit.

Because the temperature distribution within the area of the substrate holding unit varies with time as a result of the step-and-repeat operation, it is not possible to exactly control the temperature of the substrate holding unit by a single temperature sensor and by a set of heating means and cooling means.

Also, in order to reduce the dust deposition onto the rear face of the substrate, the recent substrate holding apparatus is designed with a reduced contact area with the substrate. In such substrate holding apparatus designed with a reduced contact area, the air present between the non-contact portion of the apparatus and the substrate functions as heat-insulating material. For this reason, the heat of the substrate is transmitted only through the contact portions of the substrate holding unit. As a result, the substrate holding unit designed with a reduced contact area, even if provided therein with a temperature regulating member, is incapable of efficient temperature regulation due to the reduced contact area with the substrate.

Still a further drawback of conventional apparatus is that, the substrate holding unit itself becomes bulky because of the presence of the heating and cooling means therein. For this reason, the method of temperature regulation of the substrate by regulating the temperature of the substrate holding unit is incapable of prompt temperature control, thus resulting in a loss in the throughput.

SUMMARY OF THE INVENTION

In consideration of the foregoing, an object of the present invention is to enable exact and efficient control of the substrate temperature.

The above-mentioned object can be attained, according to the present invention, by a substrate holding apparatus comprising:

a plate-shaped substrate holding unit provided with a first surface having plural protruding parts to be maintained in contact with a substrate, and a second surface opposed to said first surface;

a temperature regulating unit provided in contact with said second surface and adapted to absorb the heat accumulated in said substrate holding unit; and

a temperature control unit for regulating the temperature of said temperature regulating unit.

According to the present invention, the protruding portions (contact layer) of the substrate holding unit are so limited in height as to realize a very small gap between the substrate and the non-contact areas (other than the protruding portions of the substrate holding unit), so that the heat generated on the substrate can be transmitted not only through the contact layer but also can be efficiently transmitted, by heat convection, to the substrate holding unit.

Also, the substrate holding unit is composed of a material of high thermal conductivity and is designed with a reduced thickness, so that the local heat distribution generated in the substrate can be cancelled on substantially real-time basis to attain a uniform temperature over the entire substrate holding unit. Furthermore, the heat uniformly transmitted to the substrate holding unit is transmitted to and absorbed by the temperature regulating unit on which the substrate holding unit is provided. As the temperature regulating unit is composed of a material of high thermal conductivity, it can efficiently absorb the heat generated in said substrate holding unit.

Furthermore, since said temperature regulating unit is sufficiently larger in volume than said substrate holding unit, the heat is uniformly transmitted to the entire temperature regulating unit, substantially without any temperature increase therein, and is then discharged by temperature-regulating fluid which is precisely temperature controlled.

As explained in the foregoing, the substrate holding apparatus of the present invention, being provided with a thin plate-shaped substrate holding unit having small protruding portions and a temperature regulating unit sufficiently larger in volume than the substrate holding unit, is capable of transmitting the uneven heat distribution, induced by local thermal change on the substrate, through the substrate holding unit and the temperature regulating unit in uniform manner. It is also capable of discharging the heat from the temperature regulating unit substantially without any temperature rise in the substrate holding unit. Furthermore, the separate structure of the substrate holding unit and the temperature regulating unit improves the efficiency of operations such as cleaning. Also, the substrate holding unit and the temperature regulating unit, being mutually fixed by vacuum, are free from the influence of distortion resulting from the difference in thermal expansion coefficients.

(…)

Exposing light, emitted from a light source 1, such as a mercury lamp or an excimer laser, illuminates a mask R (…)

a uniform intensity through a lens system 2 and a mirror 3.

2.11.

Octrooi US 5,864,386 van Nikon, verleend en gepubliceerd op 26 januari 1999 voor een “
Exposure apparatus” (GP31, hierna: US 386) bevat de volgende passages:

(…)

1. Field of the Present Invention

The present invention relates to an exposure apparatus for use in the manufacture of integrated circuits and liquid crystal displays, and more particularly, to maintaining thermal stability of a holding stage on which a substrate is positioned.

2. Discussion of the Related Art

(…)

Kolom 1 r. 29-38:

When exposure is initiated, energy of the exposing light is absorbed by a photosensitive material (such as a photoresist) coated onto a surface of the wafer102.A chemical change occurs in the photosensitive material, and heat is generated in the process. As shown by arrows in FIG. 6, the heat is transferred from the wafer102to the wafer holder104,and from the wafer holder104to the wafer table106.(…)

Kolom 1 r. 44-50:

Furthermore, the wafer stage100is driven by a driving means (not shown), such as a DC motor or a linear motor, and heat is also generated when the motor is in operation. Accordingly, even movement of the wafer stage100raises the temperature of the wafer table106,so that the temperaures of themoving mirror110and the fiduciary mark114increase.

2.12.

In het handboek "Semiconductor Manufacturing Technology" (Michael Quirk en Julian Serda, 2001) is het volgende opgenomen (blz. 404, GP22):

"
Temperature. It is critical to control temperature during photolithography. Temperature can adversely affect all aspects of aligners: mask stage, optical elements, light sources, wafer stage, and alignment systems. Temperatures are typically controlled to within a tenth of a degree Celcius. For this reason, the high-temperature illuminator and the heat generating power supplies are generally located away from the main body of the alignment and exposure tool".

2.13.

Ter beëindiging van wereldwijde octrooiprocedures hebben Nikon en ASML op 8 december 2004 na intensieve onderhandelingssessies een aantal overeenkomsten gesloten, waaronder een overeenkomst waarbij zij elkaar over en weer met ingang van 12 november 2004 wereldwijd licenties verleenden op alle lithografieoctrooien. Deze ‘cross-license-agreement’ wordt hierna in navolging van partijen aangeduid als CLA.

Carl Zeiss SMT AG (hierna: Zeiss) (en/of daaraan gelieerde ondernemingen) levert aan ASML de voor de kwaliteit van lithografiemachines zeer belangrijke verlichtingssystemen en optische projectiesystemen. Zeiss was ook betrokken bij de hiervoor genoemde octrooiprocedures en de (onderhandelingen over de) beëindiging daarvan. Tussen Nikon en Zeiss is tegelijk met de CLA een vergelijkbare kruislicentieovereenkomst gesloten (ter onderscheiding van de CLA zal deze overeenkomst worden aangeduid als Zeiss CLA).

2.13.1.

Op grond van de CLA verkreeg ASML een in tijd onbegrensde licentie voor zogenaamde Class A octrooien (octrooien met een prioriteits- of aanvraagdatum voor 1 januari 2003). Voor jongere Class B octrooien (aangevraagd op of na 1 januari 2003 en verleend gedurende de licentieperiode) eindigde de licentie op 31 december 2009. Na die tijd gold gedurende vijf jaar, dat wil zeggen van 1 januari 2010 tot en met 31 december 2014, een overgangsperiode (‘
Transition Period’). Nikon zegde toe om gedurende die periode geen procedures op basis van Class B en Class C octrooien jegens ASML aanhangig te maken. Class C octrooien zijn octrooien die, kort gezegd, zijn verleend tijdens de
Transition Periodaan die zijn aangevraagd na 31 december 2002.

2.13.2.

Na afloop van die periode hebben partijen het recht op schadevergoeding ten aanzien van het gebruik van Class B en C octrooien gedurende de
Transition Period.Die vergoeding is beperkt tot een redelijke royalty vergoeding die is gemaximeerd op een percentage van de netto verkoopprijs van de ‘
Licensed Products’(art. 2.9.2 van de CLA):

“2.9.2 Limitation of Remedies As To Transition Period. Nothing in Section 2.7 or in this Section 2.9 shall constitute any restriction or limitation on the Non-Asserting Party’s right and ability (a) to Sue the Defendant Party at any time after the Transition Period, or (b) to seek, after the Transition Period, any remedies with respect to any activities occurring during the Transition Period (including, without limitation, Lithography Activities), provided, however, that with respect to Lithography Activities occurring during the Transition Period, and only to the extent such Lithography Activities occur during the Transition Period, such remedies shall be limited to damages in the form of a reasonable royalty not to exceed *** percent (***%) of the Net Selling Price of the applicable Licensed Products or Optical Components.”

2.13.3.

In de CLA is voorts het volgende bepaald:

10.1

Limitation. Nothing contained in this Agreement shall be construed as:

(…)

10.1.3

a warranty or representation that any acts licensed hereunder will be free from infringement or other violation of Patents, copyrights, mask work rights, trade secrets or other intellectual property rights, other than infringement of those Licensed Patents under which licenses, rights and immunities have been expressly granted hereunder;”

Op de CLA (en gerelateerde overeenkomsten) hebben partijen het recht van de staat New York van toepassing verklaard (art. 10.3 CLA).

2.13.4.

Op grond van de CLA hadden partijen een optie om vijf Class B en C octrooifamilies met terugwerkende kracht te converteren naar Class A octrooien. Dit conversierecht kon uiterlijk op 20 juni 2015 worden uitgeoefend. Voor Zeiss gold een zelfde regeling.

2.14.

Op 1 mei 2015 hebben ASML en Zeiss een arbitrage procedure tegen Nikon aanhangig gemaakt (art. 10.4 van zowel de CLA als de Zeiss CLA is een arbitraal beding), onder meer stellende dat Nikon, in strijd met de in de CLA’s geïmpliceerde ‘
covenant of good faith’, Class B en C octrooien had aangevraagd die ‘
patentably indistinct’zijn ten opzichte van materie van de gelicentieerde Class A octrooien van Nikon.

2.15.

Het instellen van de arbitrage had als effect dat de conversiedeadline werd verschoven tot na de eindbeslissing in de arbitrage. Die beslissing is op 7 oktober 2016 beschikbaar gekomen. Daarbij is, voor zover hier van belang, geoordeeld dat geen sprake was van handelen in strijd met de ‘
covenant of good faith’.

Nikon, ASML en Zeiss hebben het conversierecht op 31 oktober 2016 uitgeoefend. EP 595 is daarbij niet geconverteerd (en was op dat moment ook nog niet verleend).

2.16.

De onderhandelingen tussen partijen over een nieuwe kruislicentieovereenkomst, gedeeltelijk met een mediator, hebben (vooralsnog) niet geresulteerd in een nieuwe licentieovereenkomst. Met name de duur van de licentie en de hoogte van een door ASML aan Nikon te betalen licentievergoeding vormen daarbij breekpunten.

2.17.

In haar, als beursgenoteerde vennootschap openbare, jaarverslagen heeft ASML de mogelijke gevolgen van het verlopen van de CLA met Nikon verschillende malen genoemd.

2.18.

ASML en Zeiss hebben voor – naar eigen zeggen – defensieve doeleinden een octrooipositie verworven op het gebied van digitale camera’s. ASML en Zeiss zijn in Japan en de VS eind april 2017, vier dagen nadat Nikon in Nederland, Duitsland en Japan procedures tegen ASML en/of Zeiss had ingesteld, octrooiprocedures tegen Nikon begonnen waarbij zij zich onder meer op octrooien uit het zogenoemde camera-octrooiportfolio beroepen.

2.19.

Het Landgericht Mannheim heeft op 23 maart 2018 geoordeeld dat Zeiss in Duitsland inbreuk maakt op Nikons octrooi EP 2 157 480. Zonder diepgaand op de ongeldigheidsargumenten van ASML in te gaan, achtte het Landgericht het weliswaar mogelijk maar niet voldoende waarschijnlijk dat EP 2 157 480 de ingestelde Nichtigkeitsklage bij het Bundespatentgericht niet zou overleven. Het Landgericht heeft voorts alle niet-technische verweren van ASML verworpen.

3.Het geschil

in conventie in het bevoegdheidsincident

3.1.

ASML vordert dat de rechtbank zich bij vonnis, uitvoerbaar bij voorraad, onbevoegd verklaart om kennis te nemen van de vorderingen van Nikon in de hoofdzaak, voor zover deze vorderingen zijn gebaseerd op beweerdelijk onrechtmatig handelen dat zou bestaan uit het bevorderen en faciliteren van beweerdelijk inbreukmakende handelingen buiten Nederland, het deelnemen aan deze handelingen en het daar voordeel uit trekken; zulks met veroordeling van Nikon in de kosten van het incident op de voet van art. 1019h Rv.

3.2.

Nikon voert verweer strekkende tot afwijzing van de vordering, dan wel, voor zover ten aanzien van Nikons vordering (ii) in de hoofdzaak een oordeel over de geldigheid van buitenlandse octrooien noodzakelijk wordt geacht, tot aanhouding van de behandeling van uitsluitend dat deel van Nikons vordering (ii) in de hoofdzaak totdat op de geldigheid van één of meer van de buitenlandse octrooien is beslist, een en ander met hoofdelijke veroordeling van ASML in de kosten van het incident in de zin van art. 1019h Rv.

in conventie in de hoofdzaak

3.3.

Stellende dat ASML met alle XT en NXT immersie-lithografiemachines (in)direct, letterlijk dan wel door equivalentie, inbreuk maakt op conclusies 1-3, 5-8, 12, 13 en 15-21 van EP 595, vordert Nikon, samengevat, dat de rechtbank bij vonnis, voor zover mogelijk uitvoerbaar bij voorraad:

(i) ASML beveelt in Nederland te staken iedere (in)directe (betrokkenheid bij) inbreuk op EP 595,

(ii) ASML beveelt te staken ieder onrechtmatig handelen jegens Nikon, in het bijzonder door het (in)direct bevorderen, faciliteren van, deelnemen aan en/of profiteren [van] de inbreuk in Nederland of elders op EP 595 en

(iii) ASML veroordeelt alle door Nikon als gevolg van de inbreuk op EP 595 en/of onrechtmatig handelen geleden en nog te lijden schade aan haar te vergoeden en de ten gevolge van de inbreuk en/of onrechtmatig handelen genoten winst (nader op te maken bij staat) af te dragen,

een en ander met nevenvorderingen (opgave, rectificatie) en op straffe van dwangsommen, met hoofdelijke veroordeling van ASML in de volledige proceskosten op de voet van art. 1019h Rv, te vermeerderen met wettelijke rente bij niet tijdige betaling.

Voorts vordert zij om bij wijze van voorlopige voorziening voor de duur van de procedure ASML de hiervoor bedoelde bevelen (i) en (ii) op te leggen, op straffe van dwangsommen.

3.4.

Aan haar vorderingen legt zij ten grondslag dat voornoemde immersie-lithografiemachines die ASML vervaardigt, in het verkeer brengt etc., voldoen aan de kenmerken van conclusie 1 (en de overige ingeroepen conclusies) van EP 595, zodat ASML daarop inbreuk maakt. Voor zover de machines niet in Nederland geassembleerd worden maar in het buitenland, bevordert en faciliteert ASML door het leveren van (vrijwel) alle onderdelen van die machines, inbreuk elders. Ook profiteert zijn daarvan doordat zij aanzienlijke winst maakt op de verkoop van de immersie-lithografiemachines.

3.5.

ASML voert verweer dat strekt tot afwijzing van de (provisionele) vorderingen, met veroordeling van Nikon in de kosten op de voet van art. 1019h Rv. Zij voert, voor zover hier van belang, aan dat zij geen inbreuk maakt omdat niet aan alle kenmerken van de conclusies is voldaan en sprake is van rechtsverwerking, of omdat haar een recht van voorgebruik toekomt dan wel omdat EP 595 nietig is wegens gebrek aan inventiviteit.

in (voorwaardelijke) reconventie

3.6.

ASML vordert om bij vonnis, uitvoerbaar bij voorraad:

Primair

A. Het Nederlandse deel van EP 2 157 595 B1 te vernietigen;^[2]

Subsidiair

voorwaardelijk, namelijk voor het geval de rechtbank tot de conclusie mocht komen dat EP 595 (geheel of gedeeltelijk) geldig is en dat ASML op dit octrooi (voor zover het geldig wordt geacht) inbreuk pleegt:

B. te verklaren voor recht dat ASML een recht van voorgebruik toekomt met betrekking tot het Nederlandse deel van EP 595 en dat Nikon
dientengevolge(naar zij heeft toegelicht) niet gerechtigd is om dit octrooi in Nederland jegens ASML in te roepen;

Alsmede

C. Nikon te veroordelen in de volledige en evenredige kosten van het geding in reconventie conform art. 1019h Rv;

3.7.

Ter onderbouwing van de vordering in reconventie volstaat ASML met verwijzing naar hetgeen zijn in conventie heeft aangevoerd.

3.8.

Nikon voert verweer strekkende tot afwijzing van de vorderingen, met hoofdelijke veroordeling van ASML in de proceskosten op de voet van art. 1019h Rv.

in conventie en (voorwaardelijke) reconventie

3.9.

Op de stellingen van partijen wordt hierna, voor zover van belang, nader ingegaan.

4.De beoordeling

in het bevoegdheidsincident en in de hoofdzaak in conventie en in (voorwaardelijke) reconventie

4.1.

De rechtbank is internationaal bevoegd kennis te nemen van de vorderingen in conventie op grond van art. 4 Brussel I-bis^[3], nu ASML gevestigd is in Nederland. Die bevoegdheid strekt zich in beginsel uit tot het treffen van grensoverschrijdende maatregelen. Bevoegdheid ten aanzien van de reconventionele vordering tot vernietiging van EP 595 bestaat op grond van art. 24 lid 4 Brussel I-bis. Dit geldt ook voor het verweer in conventie voor zover daar een beroep wordt gedaan op nietigheid van het Nederlandse deel van EP 595.

4.2.

ASML wijst er terecht op dat op grond van art. 24 lid 4 Brussel I-bis andere rechters dan de Nederlandse rechter bij uitsluiting bevoegd zijn een oordeel te geven over nietigheid(sverweren van ASML ten aanzien) van de buitenlandse delen van EP 595^[4]. Dat leidt echter, anders dan ASML betoogt, niet tot onbevoegdheid van de rechtbank ten aanzien van de grensoverschrijdende vordering tot het verbieden van onrechtmatig handelen door (kort gezegd) het betrokken zijn bij octrooi-inbreuk buiten Nederland. Voor de beoordeling van die vordering is (als de andere verweren van ASML tegen deze vordering niet slagen) een oordeel over de geldigheid van buitenlandse octrooien vereist, nu de gestelde onrechtmatigheid is gelegen in inbreuk daarop. De rechtbank is weliswaar bevoegd om die vordering te beoordelen maar dient het oordeel van de exclusief bevoegde buitenlandse rechters over die geldigheid af te wachten indien Nikon verzoekt om aanhouding en dient de vordering bij gebreke van een dergelijk verzoek af te wijzen^[5]. Nikon heeft (voorwaardelijk) om aanhouding verzocht, zodat de rechtbank gehouden is de beoordeling van de gestelde betrokkenheid bij octrooi-inbreuk op de buitenlandse delen van EP 595 aan te houden totdat de daartoe bevoegde buitenlandse rechters hebben beslist over de geldigheid van die delen.

4.3.

De Nederlandse rechter is eveneens bevoegd kennis te nemen van de gevorderde provisionele maatregelen. Uit het voorgaande volgt immers dat de rechtbank internationaal bevoegd is kennis te nemen van de vorderingen in de hoofdzaak in conventie, zodat zij ook bevoegd is kennis te nemen van voorlopige voorzieningen. Het Solvay/Honeywell arrest^[6]leert dat art. 24 lid 4 Brussel I-bis niet in de weg staat aan een onmiddellijke beoordeling van een voorlopige voorziening voor zover het de buitenlandse delen van EP 595 betreft, omdat daarbij slechts een voorlopige evaluatie wordt gegeven van de geldigheid van de buitenlandse delen van het octrooi en de rechtbank de gevorderde voorlopige voorziening niet toekent indien er naar haar oordeel een serieuze, niet te verwaarlozen kans bestaat dat het ingeroepen octrooi door de bevoegde rechter nietig wordt verklaard.

4.4.

De relatieve bevoegdheid van deze rechtbank volgt uit art. 80 lid 2 sub a resp. art. 80 lid 1 sub a ROW^[7]en is overigens door ASML niet bestreden.

4.5.

De slotsom is dat de rechtbank bevoegd is kennis te nemen van alle vorderingen in conventie. Daarbij dient de beoordeling in de hoofdzaak aangehouden te worden voor zover daarbij de geldigheid van de buitenlandse delen van EP 595 aan de orde komt, totdat daarop is beslist door de bevoegde buitenlandse rechters, nu Nikon om die aanhouding heeft verzocht. De rechtbank is zonder aanhouding bevoegd om te beslissen op de gevorderde provisionele voorzieningen, waarbij zij de geldigheid van zowel het Nederlandse als de buitenlandse delen van EP 595 bij een voorlopig oordeel kan betrekken. De incidentele vordering tot onbevoegd-verklaring zal derhalve worden afgewezen.

en voorts in conventie en (voorwaardelijke) reconventie

mededelingsverbod

4.6.

Nikon en ASML hebben over en weer een mededelingsverbod verzocht ten aanzien van het behandelde achter gesloten deuren en omtrent de inhoud van een aantal producties (thans art. 28 lid 1 sub a en b Rv). Ten aanzien van het verhandelde achter gesloten deuren volgt uit de wet (art. 28 lid 1 sub a Rv) dat het verboden is om daaromtrent mededelingen te doen aan derden. Het verzochte mededelingsverbod in de zin van art. 28 lid 1 sub b Rv ten aanzien van een aantal als vertrouwelijk aan te merken stukken wordt toegewezen, zoals in het dictum bepaald. Het verbod ziet op de (inhoud van de) volgende stukken van de zijde van Nikon:

Productie EP09
Productie EP41
Productie EP42, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: EP42-EP59 t/m EP42-EP63, plus de inhoud van die bijlagen
Productie EP48-80
Productie EP49, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: EP49-EP95 t/m EP49-EP99, plus de inhoud van die bijlagen
Productie EP51, voor zover delen daarin als vertrouwelijk zijn gemarkeerd, d.w.z. pars. 5.19 t/m 5.26, 6.20, 6.24 t/m 6.26 en 6.38

alsmede op de volgende stukken van de zijde van ASML:

Productie GP56;
Productie GP57;
Productie GP61, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: A, C en D, plus de inhoud van die bijlagen;
Productie GP65, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: C t/m H, J en K, plus de inhoud van die bijlagen;
Productie GP66, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: A en B, plus de inhoud van die bijlagen;
Productie GP67, randnummers 129-130 en voetnoot 141).

technische achtergrond

4.7.

De volgende inleiding op de techniek is ontleend aan onbetwiste gedeelten van de processtukken, op de door partijen overgelegde producties en hetgeen ter zitting is besproken.

4.8.

Het octrooi heeft betrekking op immersie-lithografiemachines, een bepaald type (foto)lithografiemachines. (Foto)Lithografiemachines zijn essentieel voor de productie van geïntegreerde schakelingen, ook wel aangeduid als chips. Kort gezegd worden in fotolithografiemachines patronen van elektronische schakelingen optisch afgebeeld op een lichtgevoelige laag de
"photoresist"die op een dunne schijf silicium, een zogenoemde
wafer, is aangebracht. Een wafer is normaalgesproken opgedeeld in meerdere belichtingsgebieden, ook wel
"shot areas"genoemd, waarvan het aantal overeenkomt met het aantal uit de wafer te vervaardigen chips. Wanneer het belichtingsproces is voltooid, wordt de wafer aan meerdere processtappen onderworpen, zoals ontwikkelen, etsen, doteren en metalliseren, om de uiteindelijke halfgeleiderschakelingen te vervaardigen. De elektronische schakelingen in een chip worden normaalgesproken uit vele tientallen lagen opgebouwd. Nadat alle lagen zijn gevormd en de processtappen van dotering en metallisatie zijn voltooid, wordt de wafer in stukken gezaagd waardoor de individuele chips, die zijn gecreëerd op de respectievelijke
shot areas, fysiek van elkaar worden gescheiden.

4.9.

In een fotolithografiemachine zijn de patronen van de te realiseren elektronische schakelingen opgenomen in zogenoemde "
reticles" (ook wel "
masks" of maskers genoemd). Een reticle bevat een donker patroon op een transparant substraat. Door de reticle te verlichten, wordt het reticle-patroon op één van de shot areas op de wafer geprojecteerd, normaalgesproken in verkleinde omvang. Dit geschiedt door middel van een optisch projectiesysteem. Dit proces (inclusief de daarbij behorende verwerkingsstappen) wordt doorgaans tientallen malen herhaald met verschillende reticles (die de patronen van de verschillende lagen van de elektronische schakeling bevatten) om op iedere shot area de elektronische schakeling in meerdere op elkaar aansluitende lagen op te bouwen.

4.10.

Het detailniveau en de nauwkeurigheid van de afbeelding van het patroon/de reticle is bepalend voor de minimale grootte van de te realiseren transistoren en daarmee voor de mate van integratie van elektronische schakelingen in een chip, waardoor de omvang en rekenkracht van de chip wordt bepaald. Een van de belangrijkste vereisten voor een fotolithografiemachine is dan ook precisie (en daarnaast de doorvoercapaciteit). Hoe preciezer de machine kan opereren, des te meer transistoren per oppervlakte-eenheid kunnen worden gerealiseerd en des te meer transistoren een chip van bepaalde omvang kan bevatten. Het scheidend vermogen (de resolutie) van een projectiesysteem bepaalt hoe goed dat projectiesysteem in staat is om kleine details nog steeds individueel te kunnen projecteren. Als de resolutie niet hoog genoeg is, dan vloeien de structuren als het ware samen. Fotolithografiemachines zijn zeer precieze machines.

4.11.

De resolutie die met het optische projectiesysteem kan worden behaald, wordt bepaald door de golflengte van het licht en de zogenoemde numerieke apertuur (NA) van het optische projectiesysteem. De numerieke apertuur is een dimensieloos getal dat aangeeft onder welke uiterste hoeken licht kan worden opgevangen. Hoe korter de golflengte van het licht, des te kleiner de afbeelding die kan worden belicht. Ook geldt dat hoe groter de NA is, des te kleiner de afbeelding kan zijn die wordt gevormd op de wafer.

4.12.

In de loop der tijd zijn lithografiemachines steeds preciezer geworden zodat daarmee steeds kleinere chips kunnen worden gemaakt. Daarbij is de golflengte van het licht afgenomen door laserlichtbronnen te gebruiken die hoogfrequent ultraviolet licht generen, dat wil zeggen licht met een kleinere golflengte. Daarnaast is de numerieke apertuur steeds groter geworden. Eind jaren negentig waren met name zogenoemde droge lithografiemachines waarbij gebruik werd gemaakt van licht met een golflengte van 193 nm de (commerciële) standaard. Verdere verbetering van de resolutie van fotolithografiemachines was mogelijk in twee richtingen. Ten eerste door de golflengte van het verlichtingslicht verder te verkleinen; daartoe werd onderzoek gedaan naar de mogelijkheid van het gebruik van licht met een golflengte van 157 nm. Ten tweede door vergroting van de NA van de optische projectiesystemen; daartoe werd onderzocht of het mogelijk was om de NA te verhogen door het licht door een vloeistof te projecteren, omdat een vloeistof een hogere brekingsindex heeft dan lucht en een hogere brekingsindex leidt tot een hogere NA en zo tot betere resolutie. Hoewel het verschijnsel dat vloeistof de projectie van kleinere kenmerken mogelijk maakt als zodanig bekend was, was er in de relevante stand van de techniek nog geen praktische toepassing van dit concept in fotolithografiemachines beschikbaar. Wel was bijvoorbeeld voorgesteld om een wafertafel te gebruiken met een bad (
"pool") van immersievloeistof, de zogenoemde
"pool technology".Ook was voorgesteld om de vloeistof alleen lokaal onder de lens aanwezig te doen zijn maar dat had op de prioriteitsdatum nog niet tot een werkbare lithografiemachine geleid.

4.13.

Bij de immersie-lithografiemachines die nu op de markt zijn wordt uitsluitend de ruimte tussen de (laatste) projectielens (het optische element dat zich het meest nabij de wafer bevindt) en het waferoppervlak gevuld met een zogenoemde immersievloeistof, in de praktijk een dun laagje stromend zuiver water (Ultra Pure Water). Lokaal op (een deel van) de wafer wordt daarbij een immersiegebied gevormd; de toe- en afvoer van vloeistof vindt continu plaats. Deze methode, waarbij alleen lokaal water aanwezig is, wordt aangeduid als de
local fillmethode. Daarmee wordt een hogere brekingsindex verkregen dan wanneer de ruimte wordt gevuld met lucht; water heeft een brekingsindex die 1,44 keer groter is dan die van lucht. In 2006 leverde Nikon de eerste commerciële immersie-lithografiemachine, de NSR-S609B, waarin deze methode werd toegepast. Deze machine doorbrak de barrière van NA gelijk aan 1,0 en bereikte een NA van 1,07. Tijdens het belichtingsproces van de wafer in een local fill-immersie-lithografiemachine wordt de wafertafel ten opzichte van het projectiesysteem bewogen zodat het immersiegebied boven een andere plek op de wafer terecht komt, die vervolgens wordt belicht. Dit wordt herhaald totdat alle shot areas op de wafer zijn belicht. De wafer stage beweegt hierbij met hoge snelheden en in steeds wisselende richtingen, terwijl het immersiegebied zo veel mogelijk stabiel onder het projectiesysteem blijft.

4.14.

Immersie-lithografiemachines die onderwerp van deze procedure zijn, bestaan, samenvattend, onder meer uit de volgende onderdelen:

i) een verlichtingssysteem met een deep ultraviolet (DUV) 193 nm laserlichtbron;
ii) een
iii) een optisch projectiesysteem, dat in het algemeen uit meerdere lenzen en spiegels bestaat, en dat ervoor zorgt dat het patroon aanzienlijk verkleind (in vergelijking met de grootte van het oorspronkelijke patroon op de
iv) een
v) meetsystemen (waaronder sensoren).

De onderdelen (i) tot en met (iv) zijn hieronder schematisch weergegeven, in een droge machine (dus zonder immersievloeistof).

EP 595

4.15.

Het octrooi dat in deze zaak centraal staat, EP 595, ziet op een immersiemachine van het
local filltype die onder meer is voorzien van een temperatuuraanpassingssysteem om ervoor te zorgen dat de temperatuur constant blijft. EP 595 leert dat beheersing van de temperatuur van belang is om de nauwkeurigheid van de immersie-lithografiemachine te waarborgen. Bij temperatuurverandering van de immersievloeistof verandert de breking coëfficiënt van het water en daarmee de precisie van de belichting [0007] . Ook thermische vervorming van de wafer als gevolg van temperatuursveranderingen van de wafer(houder) – bijvoorbeeld door het absorberen van thermische energie van het belichtingslicht of van warmte gegenereerd door de motoren (vgl. [0208] - gaat ten koste van de belichtingsnauwkeurigheid.

4.16.

In een inrichting volgens het octrooi wordt de wafer P (in het octrooi ook: substrate’) ondersteund door het substraat-vasthoudelement PH (in het octrooi: ‘substrate-holding member’, hierna: de waferhouder) die zich op zijn beurt bevindt in het substraat-platform PST (in het octrooi aangeduid als ‘substrate stage’, hierna: wafertafel) (vgl. [0013]). In figuur 2 van het octrooi (hieronder nogmaals weergegeven) zijn de wafer en de waferhouder aangegeven (met P en PH); de wafertafel is het gehele element onder de waferhouder en daaromheen. De vloeistof wordt in het immersiegebied LQ gevormd door toevoerpoorten 12A, 12B en afvoerpoorten 22A, 22B die volgens het hierna te benoemen kenmerk 1.d zijn opgenomen in een flow passage forming member (70), en wordt daar zo veel mogelijk gehouden. Zie figuur 2 van EP 595:

4.17.

EP 595 voorziet in een gecoördineerd temperatuurbeheersingssysteem waarin de temperatuur van de immersievloeistof en wafer (via de waferhouder) ieder op een gewenste temperatuur kunnen worden ingesteld. In het octrooi worden daartoe, voor zover hier van belang, twee temperatuuraanpassingseenheden beschreven om de temperatuur te beheersen. Beide eenheden worden in combinatie geclaimd in conclusie 1 van het octrooi.

4.18.

Conclusie 1 kan worden opgesplitst in de volgende kenmerken:

1.a An exposure apparatus configured for exposing a substrate by radiating an exposure light beam onto the substrate through a liquid of a liquid immersion area formed on a portion of a surface of the substrate, the exposure apparatus comprising:

1.b a projection optical system (PL);

1.c a first substrate stage which has a substrate-holding member (PH) for holding the substrate and which is movable;

1.d a flow passage forming member (70) which has liquid supply ports (12A,12B) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate (P) and liquid recovery ports (22A,2B) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate; and

1.e a temperature adjustment system (60) arranged for adjusting temperature of the substrate-holding member (PH) and temperature of the liquid (LQ) to be supplied from the liquid supply ports of the flow passage forming member,

1.f wherein the temperature adjusting system has a first temperature adjusting unit (61) arranged for adjusting the temperature of the liquid supplied form the liquid supply ports

1.g characterized in that the temperature adjusting system has a second temperature adjusting unit (62) arranged for adjusting the temperature of the substrate-holding member.

4.19.

De eerste temperatuuraanpassingseenheid, ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van de (immersie)vloeistof die door de vloeistoftoevoerpoorten wordt aangevoerd wordt beschreven in kenmerk 1.f. De tweede temperatuuraanpassingseenheid, die is ingericht voor het aanpassen van de temperatuur van de waferhouder, is opgenomen in kenmerk 1.g. Het aanpassen van de temperatuur van de waferhouder maakt een efficiënte regulering van de temperatuur van de wafer mogelijk omdat de waferhouder de te belichten wafer vasthoudt (kenmerk 1.c) en daarmee in contact staat.

4.20.

Het meest verstrekkende verweer van ASML tegen de inbreukvordering, is dat zij geen inbreuk kan maken op het octrooi omdat EP 595 nietig is. De rechtbank ziet aanleiding om dit verweer, tezamen met de in reconventie gevorderde vernietiging van het octrooi, eerst te behandelen.

conclusie 1 van EP 595 is niet inventief vanuit US 165 gecombineerd met algemene vakkennis

4.21.

Naar het oordeel van de rechtbank heeft ASML terecht aangevoerd dat EP 595 niet inventief is in het licht van Nikons eigen octrooiaanvrage US 165 gecombineerd met algemene vakkennis, waartoe als volgt wordt overwogen. Hierbij kan met Nikon worden uitgegaan van een gemiddelde vakman als een team dat zich bezighoudt met de ontwikkeling en productie van lithografiemachines (zie haar pleitnota nr. 2.10). Voor zover Nikon overigens daarbij pleit voor een beperking tot een vakman voor
immersielithografiemachines gaat de rechtbank daaraan voorbij omdat dit, zoals hierna zal blijken, ten onrechte de kennis van droge lithografiemachines zou uitsluiten terwijl, naar ASML onbetwist heeft aangevoerd, de op dat moment belangrijkste bedrijven op de lithografiemarkt (ASML, Canon en Nikon) hun (eerste) immersiemachines hebben gebouwd uitgaande van een droge machine. Hierbij komt dat – zoals in r.o. 4.12 reeds is vermeld – er destijds nog geen werkbare immersielithografiemachine beschikbaar was zodat daarvoor ook geen specifieke vakmensen zullen zijn geweest.

-
US 165 als uitgangspunt voor de PSA?

4.22.

US 165 beschrijft een droge lithografiemachine met een temperatuurbeheersingseenheid voor het beheersen van de temperatuur van de ‘substrate holding unit’. Naar het oordeel van de rechtbank is de ‘substrate holding unit’ aan te merken als de waferhouder in EP 595. Nikon heeft, onder aanvoering van een reeks hierna te bespreken argumenten, betoogd dat US 165 geen reëel uitgangspunt vormt voor toepassing van de problem-solution approach (hierna PSA). Zij wijst erop dat WO 504 (zie r.o. 2.9) of DD 563 (zie r.o. 2.8) een beter uitgangspunt zouden zijn, aangezien die documenten wel zien op een
local fillimmersielithografiemachine. Dat betoog wordt gepasseerd.

4.23.

Voor zover Nikon aanvoert dat US 165 niet als uitgangspunt kan dienen omdat het niet de meest nabije stand van de techniek is, kan dit haar niet baten. Het is immers vaste rechtspraak dat een geoctrooieerde uitvinding inventief moet zijn ten opzichte van ieder reëel uitgangspunt. Vgl. onder meer Rb Den Haag 26 oktober 2016, HA ZA 15-862, r.o. 4.2, Rb Den Haag 21 februari 2018, HA ZA 16-1056 en Rb Den Haag 18 oktober 2017, HA ZA 16-805, r.o. 4.7.

4.24.

De rechtbank acht US 165 een reëel uitgangspunt. Daarbij is van belang dat zowel het octrooi als US 165 zich richten op hetzelfde technische (en specialistische) vakgebied, te weten lithografiemachines voor kort gezegd (micro)chips , en beide bovendien zien op temperatuurbeheersing (van de wafer/waferhouder). Het betoog van Nikon dat stand van de techniek die ziet op een droge immersiemachine nooit als uitgangspunt kan dienen bij de beoordeling van de inventiviteit van een octrooi dat ziet op immersielithografie, wordt in zijn algemeenheid verworpen. Dit zal zich, wanneer die beoordeling zoals hier plaatsvindt met behulp van de PSA, moeten vertalen in de verschilkenmerken. In dit verband acht de rechtbank relevant dat ASML – zoals hiervoor overwogen – onbestreden heeft aangevoerd dat de op dat moment belangrijkste bedrijven op de lithografiemarkt (ASML, Canon en Nikon) hun eerste
local fillimmersiemachines hebben gebouwd uitgaande van een droge machine. Op de prioriteitsdatum was er voorts nog geen commercieel functionerende immersie-lithografiemachine beschikbaar (enkel droge lithografiemachines) en was de techniek rondom immersielithografie nog volop in ontwikkeling.

De door Nikon als reëler uitgangspunt genoemde prior art documenten (WO 504 en DD 563) hebben weliswaar betrekking op een immersie-lithografiemachine van het
local filltype, maar die zien anders dan US 165 en het octrooi, niet specifiek op temperatuurbeheersing. WO 504 is gericht op, kort gezegd, het op de plaats houden van het immersiegebied. DD 563 ziet daar eveneens op, alsmede op het oplossen van een aantal andere problemen zoals het voorkomen van luchtbellen.

4.25.| Nikon betoogt nog dat het probleem dat het octrooi oplost, niet zou spelen in een droge lithografiemachine, zodat US 165 en EP 595 niet zien op de oplossing van hetzelfde probleem en US 165 ook daarom geen reëel uitgangspunt zou zijn. Nikon legt aan dit betoog (sinds de conclusie van antwoord in reconventie) ten grondslag dat het probleem waarop EP 595 ziet uitsluitend is: het voorkomen van thermische vervorming van de wafer ten gevolge van het
verdampenvan de immersievloeistof. Ter onderbouwing daarvan beroept zij zich op de volgende passage uit [0128] van het octrooischrift:

“Therefore, it is also possible to avoid the temperature change and the thermal deformation of, for example, the substrate P, (…) which would be otherwisecaused by the vaporization of the liquid. [onderstreping toegevoegd, rechtbank]

Het verdampingsprobleem – dat Nikon naar zij aanvoert als eerste heeft onderkend – brengt mee dat de wafer anders dan in een droge machine niet alleen is onderworpen aan ongewenste verhitting maar ook aan koeling door verdamping. EP 595 biedt een oplossing voor dit koelprobleem door niet te volstaan met temperatuurbeheersing door de immersievloeistof, waarvan in de stand van de techniek (WO 504) wordt gesuggereerd dat dit bij een immersie-lithografiemachine voldoende is, maar daarnaast een tweede temperatuurbeheersingssysteem voor de waferhouder op te nemen. Zonder de onderkenning van het verdampingsprobleem zou de vakman, naar zij betoogt, het tweede temperatuurbeheersingseenheid juist weglaten om te zorgen dat de wafertafel zo licht mogelijk is.

4.26.

De rechtbank verwerpt het betoog van Nikon dat US 165 om die reden niet als reëel uitgangpunt kan gelden. Het probleem van thermische vervorming van de wafer door verdamping wordt weliswaar genoemd in EP 595, en dit probleem doet zich bij droge lithografiemachines niet voor, echter, de stelling dat het octrooi uitsluitend is gericht op oplossing van dit probleem, is niet houdbaar. Verdamping wordt slechts eenmaal terloops in het octrooi genoemd, terwijl de vakman verschillende malen wordt geleerd dat de tweede temperatuuraanpassingseenheid (onder meer) het probleem oplost van het thermisch vervormen van de wafer, als gevolg van de opname van warmte die gegenereerd wordt door onder meer het belichtingslicht en door de motoren en de ‘actuator’. Zie paragrafen [0208]:

“
The factors to cause the temperature change of the substrate P (…) include, for example, the absorption of the thermal energy of the radiated exposure light beam EL (…) and the heat transfer to the substrate P from the substrate stage PSTwhich has the motor and the actuator (substrate stage-driving unit PSTD) as the heat-generating sources.” [onderstreping toegevoegd, rechtbank]

en [0211]:

“
(…) Therefore, it is possible to effectively avoid the inconvenience which would be otherwise caused such that the substrate P is thermally deformed and/or the liquid LQ undergoes the temperature change and/or the temperature distribution due to the thermal energy transferred to the substrate P from the substrate stage PST which has the motor and the actuator as the heat-generating sources.”

4.27.

US 165 noemt als oorzaak van thermische vervorming alleen de warmte van het belichtingslicht en niet expliciet de warmte van de motoren. ASML heeft evenwel voldoende onderbouwd dat de gemiddelde vakman op de prioriteitsdatum wist dat ook de motoren van de wafertafel van een lithografiemachine, die nodig zijn om de wafertafel (snel) te verplaatsen, warmte genereren die beheerst moet worden. Dit geldt voor droge machines, maar de vakman op de prioriteitsdatum wist dat dit niet anders is voor immersie-lithografiemachines. Dit is toegelicht aan de hand van de eerste verklaring van ASMLs deskundige Professor Smeulders (GP52, paragrafen 27 t/m 29 en 31) en volgt ook uit bijvoorbeeld US 386 dat ziet op temperatuurbeheersing in een droge lithografiemachine (zie kolom 1, regels 31 t/m 37 en kolom 1, regels 44 t/m 46, vgl. r.o. 2.11). Ook in het handboek van Quirk en Serda (zie r.o. 2.12) is genoemd dat temperatuurcontrole, onder meer vanwege hitte genererende krachtbronnen en de belichting, bij fotolithografie “
critical” is en gewoonlijk op een tiende graad Celsius wordt gecontroleerd .

4.28.

Nu zowel US 165 als EP 595 (mede) als doel hebben temperatuurbeheersing van de waferhouder om thermische vervorming onder meer ten gevolge van motorwarmte en belichting te voorkomen, kan niet worden volgehouden dat het probleem dat de tweede temperatuuraanpassingseenheid van het octrooi oplost, niet speelt in droge machines zoals US 165. Dat EP 595 mede ziet op oplossing van het verdampingsprobleem maakt dit niet anders. Ook hierom geldt dat US 165 een reëel vertrekpunt vormt voor de PSA.

4.29.

Tot slot van haar betoog dat US 165 geen reëel vertrekpunt zou zijn voert Nikon onder verwijzing naar haar deskundige Nagasaka aan dat US 165 slechts zou zien op een lithografiemachine die werkt met een lichtbron van 365nm. De machine van US 165 zou daarom niet geschikt zijn om te worden omgebouwd naar een 193nm immersiemachine (vgl. par. 27 van de eerste verklaring van Nagasaka). Dit betoog strandt omdat het geen feitelijke basis heeft. Naar ASML terecht heeft aangevoerd, is US 165 niet beperkt tot het gebruik van licht met een golflengte van 365 nm. In kolom 3, regels 1 en 2 (laatste citaat in r.o. 2.10), noemt US 165 dat zowel een mercury lamp als een excimeerlaser gebruikt kunnen worden als lichtbron. Zoals Nagasaka zelf stelt in par. 15 van zijn eerste verklaring, heeft een excimeerlaser een golflengte van 248nm (van het type "KrF") of van 193nm (van het type "ArF"). Bovendien is EP 595 niet beperkt tot een optisch systeem ("optical projection system") met een golflengte van 193nm. De conclusies bevatten deze beperking niet en die beperking kan er ook niet op grond van de beschrijving in worden gelezen. De beschrijving noemt in (paragraaf [0098] een zeer breed scala aan lichtbronnen – met dienovereenkomstig verschillende golflengten – die in de geoctrooieerde uitvinding kunnen worden gebruikt, waaronder een "i-ray" van een "mercury lamp". Zoals Nagasaka stelt in paragraaf 15 van zijn eerste verklaring, heeft deze een golflengte van 365nm zodat ook die golflengte kennelijk onder het bereik van de uitvinding valt.

4.30.

Op grond van al het voorgaande is de rechtbank van oordeel dat US 165 een reëel uitgangspunt vormt voor de problem-solution approach.

-verschilkenmerken en probleem

4.31.

Partijen zijn het erover eens dat, kenmerken 1.b, 1.c en 1.g (de tweede temperatuuraanpassingseenheid) volledig in US 165 zijn geopenbaard en dat uitsluitend de maatregelen die zien op vloeistofimmersie volgens de
local fillmethode ontbreken. De ontbrekende kenmerken zijn 1.a (deels: “
through a liquid of a liquid immersion area formed on a portion of a surface of the substrate”), kenmerk 1.d (“
a flow passage forming member (70) which has liquid supply ports (12A,12B) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate (P) and liquid recovery ports (22A,22B) arranged to be opposite to, in use, the surface of the substrate”) en de eerste temperatuuraanpassingseenheid (kenmerken 1.e (deels) en 1.f). Het technische effect van voormelde verschilkenmerken tussen US 165 en EP 595 is volgens beide partijen dat de resolutie van de droge machine van US 165 wordt verbeterd. Het objectieve (dus zonder een pointer naar “nat”) technische probleem is dan: ”Hoe kan de resolutie van de lithografiemachine van US 165 worden verbeterd?”

-lag de oplossing voor de hand?

4.32.

Naar het oordeel van de rechtbank lag de oplossing voor dit probleem voor de hand. ASML heeft er onbestreden op gewezen dat op de prioriteitsdatum de hele industrie zich richtte op (het geschikt maken van een 193 nm droge lithografiemachine voor) immersie lithografie om de resolutie te verbeteren. Dat de immersielithografie de meest veelbelovende weg was om de resolutie te verbeteren behoorde destijds derhalve tot de algemene kennis van de gemiddelde vakman. Dit blijkt vooral uit de veelheid aan presentaties over de voordelen van immersietechnologie in de jaren net voor de prioriteitsdatum, die gegeven zijn tijdens verschillende belangrijke conferenties over lithografie (producties GP38 t/m GP50). Dat dit ook toen werd opgepikt door het vakgebied, is door Nikon niet bestreden en is bovendien af te leiden uit haar eigen opmerking in paragraaf 1.5 van de dagvaarding: "
In 2002 presenteerde Nikon een haalbaarheidsstudie, die de concurrentie bewoog om Nikon in haar voetspoor te volgen en te proberen immersielithografie te ontwikkelen." en in paragraaf 3.25 van de dagvaarding: "
In september 2002 presenteerde Nikon … positieve resultaten van een haalbaarheidsstudie van immersielithografie met een golflengte van 193 nm. De ontwikkeling van 193 nm immersiesystemen nam daarop een vlucht.". In de conclusie van antwoord in reconventie heeft Nikon er nog op gewezen dat de SPIE Microlithography conferentie van februari 2003 een keerpunt vormde, in die zin dat de focus van de industrie voor verbetering van de resolutie van lithografiemachines vanaf dat moment verschoof van het geschikt maken van een 193 nm droge lithografiemachine voor licht met een golflengte van 157 nm, naar 193 nm immersielithografie. In het overzichtsartikel uit 2008 (dit artikel is na de prioriteitsdatum maar het artikel zegt wel iets over de denkwijze destijds) van Owa en Nagasaka (productie GP06), wordt deze bevinding van de rechtbank nog eens bevestigd “
In February, 2003, positive feasibility study results of 193 nm immersion were presented at the SPIE microlithography conference. Since then, the development of 193 nm immersion exposure tools accelerated.”

4.33.

Op de prioriteitsdatum van het octrooi behoorde het eveneens onbestreden tot de algemene vakkennis dat in de markt reeds duidelijk een voorkeur bestond voor immersielithografie van het
local fillprincipe. Zie onder meer de presentaties van ASML, Canon, en Nikon van januari 2004 (d.w.z. vlak voor de prioriteitsdatum; vgl. producties GP47 t/m 50), waarin deze belangrijke spelers op het vakgebied
local fillimmersiemachines presenteerden. Zie hierover eveneens paragrafen 5 t/m 8 van de verklaring van dr. Ronse, deskundige van ASML (productie GP65B):

"8. While in the very beginning some (most notably dr. Burn Lin of TSMC) advocated immersing the entire wafer in immersion water, it was clear that the rapid wafer movements needed to meet the high throughput requirements for lithography tools required that the local fill concept should be used. I was not at all surprised to see that Nikon, Canon and ASML, when presenting their first developments of an immersion lithography tool, had all embraced local fill immersion."

Al in 1998, was, naar Nikon zelf heeft aangevoerd, duidelijk dat aan de pool technologie veel nadelen kleefden en dat de
local fillmethode de industriestandaard in immersielithografie werd.

4.34.

Ten slotte behoorde het op de prioriteitsdatum tot de algemene vakkennis dat de temperatuur van het
local fillimmersiewater zeer precies beheerst moest worden door een temperatuurbeheersing-eenheid, om de brekingsindex van die vloeistof niet te verstoren (en de daaruit resulterende overlay problemen te voorkomen). Dit blijkt uit de door ASML onbestreden aangevoerde vakkennis in haar conclusie van antwoord (paragrafen 165 t/m 189) en de al genoemde presentaties van Nikon (productie GP49 en GP50), Canon (productie GP48) en ASML (productie GP47). Die presentaties zijn van januari 2004. In die presentaties wordt zonder uitzondering opgemerkt dat het belangrijk is om de temperatuur van de immersievloeistof te beheersen en worden temperatuurbeheersing-eenheden getoond. Hetzelfde volgt uit paragrafen 32 t/m 39 van de eerste verklaring van professor Smeulders (productie GP52) en paragrafen 16 t/m 20 van de voornoemde verklaring van dr. Ronse. Beide deskundigen van ASML bevestigen dat het op de prioriteitsdatum algemene vakkennis was dat een temperatuurbeheersing-eenheid moest worden opgenomen om de temperatuur van de immersievloeistof te beheersen. Ook de Oost-Duitse aanvrage DD 563, openbaar gemaakt op 24 april 1985, bevat reeds een duidelijke pointer richting het gebruik van een temperatuurbeheersing-eenheid om de temperatuur van de immersievloeistof te beheersen (zie 2.8. blz. 5, regels 16 en 17 en 30 en 31, blz. 7, regels 23-29, blz. 8, regels 28-30). Dit een en ander heeft Nikon onvoldoende gemotiveerd bestreden.

4.35.

Een en ander brengt mee dat ervan moet worden uitgegaan dat de vakman, uitgaande van de voordehand liggende keuze voor
local fillimmersie om de resolutie van de lithografiemachine van US 165 te verbeteren, een temperatuuraanpassings-eenheid als bedoeld in kenmerken 1.e en 1.g zou opnemen. Het is voorts niet in geschil dat hij bij die (voordehand liggende) keuze voor
local fillimmersielithografie de verschilmaatregelen 1.a (deels) en 1.d zou toepassen. Aldus zou de gemiddelde vakman derhalve zonder inventieve denkarbeid immersielithografie van het
local filltype toepassen om de resolutie van de droge lithografiemachine van US 165 te verbeteren, met toepassing van alle verschilkenmerken, om op de in conclusie 1 van EP 595 uit te komen.

4.36.

Nikon brengt tegen de redenering dat daarmee conclusie 1 van EP 595 voor de hand lag het volgende in (i) dat er naast toepassing van immersielithografie van het
local filltype ook andere methoden waren om de resolutie te verbeteren, (ii) dat er vele aanpassingen aan een droge machine nodig zijn om deze geschikt te maken voor immersielithografie, (iii) dat de gemiddelde vakman de temperatuurcontrole-eenheid in de waferhouder van US 165 juist weg zou laten als hij op immersielithografie van het
local filltype zou overgaan en (iv) dat EP 595 het probleem oplost van verdamping van immersiewater. De rechtbank overweegt als volgt.

Ad (i) alternatieven om de resolutie te verbeteren

4.37.

Nikon heeft aangevoerd dat er ook andere methoden zijn om de resolutie te verbeteren. Zij noemt daarbij verhoging van de numerieke apertuur op andere wijze dan via de brekingsindex zoals door vergroting van de lenzen (voor het verkrijgen van een grotere sin θ (NA=n·sinθ)) en/of verkorting van de golflengte van het belichtingslicht.^[8]Dit betoog strandt omdat een (arbitraire) keuze uit mogelijke oplossingen die elk voor zich voor de hand liggen, geen inventiviteit kan verlenen.^[9]Bovendien blijkt uit het voorgaande dat immersielithografie van het
local filltype op de prioriteitsdatum sterk in de belangstelling stond en de belangrijkste bedrijven op het vakgebied die technologie toepasten of zouden gaan toepassen in hun lithografiemachines. Er bestond derhalve een duidelijke incentive voor de gemiddelde vakman die beschikte over de droge machine volgens US 165 om de immersietechnologie, en vooral die van het
local filltype, toe te gaan passen.

Ad (ii) vele aanpassingen nodig voor immersielithografie

4.38.

Hoewel aan Nikon kan worden toegegeven dat er vele aanpassingen nodig zijn en problemen moeten worden opgelost om een droge lithografiemachine zoals die van US 165 geschikt te maken voor immersielithografie van het
local filltype, wijst ASML er terecht op dat dit er niet toe doet bij de beoordeling van de geldigheid van conclusie 1 van EP 595. Die benodigde aanpassingen en oplossingen van problemen bij immersie zijn immers niet terug te vinden in concrete maatregelen/kenmerken in conclusie 1.^[10]Zonder nadere concrete invulling (die als gezegd ontbreekt) is onvoldoende in dit kader de algemene opmerking in de aanhef van de conclusie dat de exposure apparatus is
configured forimmersielithografie. Zoals hiervoor uiteengezet lag na de (voordehand liggende) keuze voor
local fillimmersielithografie toepassing van de expliciet geclaimde verschilkenmerken voor de hand.

Ad (iii) weglaten temperatuurcontrole-eenheid voor de waferhouder

4.39.

Nikon voert aan dat de gemiddelde vakman bij lezing van WO 504 zou begrijpen kort gezegd dat door het gebruik van temperatuur-gecontroleerde immersievloeistof, temperatuurcontrole van de wafer/waferhouder niet langer nodig is. De betreffende passage uit WO 504 (in onbestreden Engelse vertaling, p. 13-14) luidt als volgt:

In addition, the liquid 7 is controlled to a predetermined temperature by the liquid supply device 5. Therefore, the surface of the wafer W is temperature-controlled, which prevents a degradation of an overlay accuracy resulting from thermal expansion of the wafercaused during exposure. Therefore, even if there is a time difference between alignment and exposure such as in EGA (enhanced global alignment) system alignment, it is possible to prevent the degradation of the overlay accuracy resulting from the thermal expansion of the wafer.[onderstreping rechtbank]

4.40.

ASML stelt hier evenwel terecht tegenover dat deze passage de door Nikon daaraan verbonden conclusie niet kan dragen. De rechtbank stelt daarbij voorop dat het, uitgaande immers van US 165, gaat om de vraag of een gemiddelde vakman het in die machine al voorziene temperatuurcontrolesysteem van de waferhouder (dat wil zeggen de tweede temperatuuraanpassings-eenheid van EP 595, kenmerken 1.e en 1.g)
weg zou latenen niet om de vraag of een gemiddelde vakman die temperatuurcontrole zou introduceren^[11]in de door hem te ontwikkelen machine. Dat onderscheid is van belang omdat een aanzienlijk aantal van Nikons argumenten op dat laatste lijken te zijn geënt. Ten aanzien van de vraag of een gemiddelde vakman derhalve het temperatuurcontrolesysteem van de waferhouder
weg zou latengeldt ten eerste dat voormelde passage uit WO 504 ziet op de warmte die ontstaat bij exposure, gegenereerd derhalve door het verlichtingslicht. ASML heeft onvoldoende bestreden gesteld dat tot de algemene vakkennis van een gemiddelde vakman tevens behoort dat niet alleen het belichtingslicht maar ook (en vooral) de motoren zeer aanzienlijke warmtebronnen zijn (zie r.o. 4.26 hiervoor). Een gemiddelde vakman zal op basis van zijn vakkennis evenzeer onderkennen dat de warmte-ontwikkeling als gevolg van de motoren (en andere hittebronnen naast het belichtingslicht) zich op de wafer niet slechts onder het immersievloeistofgebied doen gevoelen maar over de hele wafer, en eveneens op de waferhouder en in de wafertafel. De bij die gemiddelde vakman eveneens algemeen bekende voor de nauwkeurigheid van de belichting desastreuse vervorming van de wafer zou zo, bij temperatuurcontrole van de wafer alleen door beheersen van de temperatuur van het immersiewater, nog altijd optreden, zo zou de vakman zonder meer onderkennen. De rechtbank is er daarom, indachtig tevens de opmerking in het handboek van Quirk en Serda dat temperatuurcontrole bij fotolithografie “critical” is en gewoonlijk op een tiende graad Celsius wordt gecontroleerd, niet van overtuigd dat een gemiddelde vakman door de betreffende passage in WO 504 zou worden bewogen om de temperatuurcontrole-eenheid in de waferhouder van US 165 weg te laten. Voor zover Nikon dit al suggereert (CvA in reconventie nr. 75) is ook de optie van luchtkoeling van de rest van de wafer (die niet door de immersievloeistof wordt bestreken) onvoldoende om de gemiddelde vakman te bewegen het in US 165 geopenbaarde temperatuurcontrolesysteem van de waferhouder te elimineren.

4.41.

Dat wordt niet anders door het bij pleidooi voor het eerst door Nikon gevoerde betoog dat een gemiddelde vakman zware wafertafels (een temperatuurcontrole-eenheid is relatief zwaar volgens Nikon), die kunnen leiden tot instabiliteit en vibraties (eenvoudig gezegd: als gevolg van de (klotsende) koelvloeistof) wilde vermijden. Daargelaten dat deze stellingen tardief zijn, overtuigen zij niet. Die overwegingen waren immers evenzeer van toepassing bij de droge machine van US 165. Die machine is volgens US 165 daarom ook minder “bulky” door toepassing van dun, goed geleidend materiaal in de waferhouder (kolom 1, regels 53-59 gelezen in samenhang met kolom 2, regels 18-23). Gelet op de hiervoor reeds genoemde vakkennis dat zeer precieze temperatuurcontrole vereist is (en vanzelfsprekend nog nauwer luistert bij hogere resoluties omdat de tolerantie voor vervorming dan afneemt) en dat temperatuurcontrole door het immersiewater ontoereikend zou zijn, zal de gemiddelde vakman niet de temperatuurcontrole van de waferhouder uit US 165 weglaten.

4.42.

Nikon heeft er in dit kader ook nog op gewezen dat de in WO 504 en DD 563 geopenbaarde machines geen temperatuuraanpassingseenheid in de waferhouder hadden en dat de eerste immersiemachine van ASML dit ook niet had, hetgeen (zoals in terugblik is te constateren) leidde tot allerlei overlayproblemen. ASML stelt daartegenover dat haar eerste immersiemachine (AT:1150i) – waarop zij bovendien haar voorgebruik baseert – wel degelijk een tweede temperatuuraanpassingseenheid in de zin van het octrooi had in de vorm van een “heat shield” net boven de motoren. Zie onderstaande figuur van ASML:

Het “heat shield” was volgens ASML voorzien van kanalen waardoorheen hetzelfde water van dezelfde temperatuur (22.000°C) stroomde als gebruikt wordt voor de controle van de lenstemperatuur. Ook het immersiewater werd op dezelfde temperatuur gecontroleerd.

In dit verband is van belang dat kenmerk 1.g anders dan Nikon betoogt, niet een temperatuuraanpassingseenheid
in, maar
voorde waferhouder openbaart. Echter, de rechtbank kan de juistheid van de door ASML opgeworpen, maar door Nikon bestreden, stelling laten rusten dat dit “heat shield” moet worden aangemerkt als een tweede temperatuuraanpassingseenheid in de zin van het octrooi. Wat daarvan ook zij, de inventiviteitsaanval in deze procedure is immers niet gebaseerd op die ASML-machine maar op US 165 waar die maatregel in ieder geval al in zat. Het gedachtenexperiment dat in de PSA en in het voorgaande wordt toegepast is – kort gezegd – dat wordt uitgegaan van US 165 als reëel uitgangspunt en waarbij vervolgens de vraag wordt beantwoord hoe een gemiddelde vakman bij die droge machine van US 165 het probleem van verbetering van de resolutie zou oplossen en of hij tot de geoctrooieerde oplossing zou worden gebracht. Dat ASML bij haar ontwikkeling van een mogelijk ongunstiger uitgangspunt (lees: een droge machine zonder – naar Nikon stelt – temperatuurregeling van de waferhouder) is vertrokken, maakt niet dat de hiervoor weergegeven oordeelsvorming niet deugt. Evenmin maakt het dat de gemiddelde vakman die temperatuurcontrole van de waferhouder in US 165 zou verwijderen of weglaten om het probleem van de verbetering van de resolutie op te lossen.

Ad (iv) verdamping immersiewater

4.43.

Hiervoor (in r.o. 4.26) is het standpunt van Nikon verworpen dat EP 595 er uitsluitend op ziet om de gevolgen van verdamping van bijvoorbeeld vloeistofdruppels die op de wafer achterblijven op te lossen. De rechtbank vermag niet in te zien dat het feit dat de tweede temperatuuraanpassingseenheid mede het verdampingsprobleem oplost, it aan het voorgaande iets afdoet. Ook hier geldt immers dat er geen enkele (specifieke) maatregel in conclusie 1 is te ontwaren ter ondervanging van het vedampingsprobleem. Kennelijk heeft de temperatuurregeling van de waferhouder door de tweede temperatuuraanpassingseenheid tevens tot gevolg dat de temperatuurveranderingen als gevolg van verdamping worden voorkomen. Voor zover Nikon in dit kader betoogt dat dit probleem slechts wordt ondervangen als de waferhouder niet alleen gekoeld maar ook verwarmd kan worden, gaat het mank op de omstandigheid dat de mogelijkheid tot verwarming (zo al niet inherent aan de algemeen bekende noodzakelijke precieze “temperatuurcontrole” want als de koeling even te ver doorschiet, bijvoorbeeld omdat de motoren of het belichtingslicht minder warmte afgeven, moet de temperatuur naar boven worden bijgesteld) expliciet in US 165, waarin de tweede temperatuuraanpassingseenheid is geopenbaard, is genoemd (kolom 1, regels 17-18 en 38-29): “
heating means and cooling means”. Ook dit verweer kan Nikon derhalve niet baten.

inventiviteit volgconclusies

4.44.

ASML heeft gemotiveerd gesteld dat de volgconclusies van EP 595 aan conclusie 1 niets inventiefs verlenen. Zij heeft er op gewezen dat de in volgconclusies 2, 3, 5 t/m 8 en 16 t/m 20 neergelegde aanvullende kenmerken in wezen zien op het voorkomen van warmteoverdracht tussen immersiewater en wafer. Zij stelt terecht dat die afstemming tot de algemene vakkennis behoort. Enerzijds is algemeen bekend om verandering van de brekingsindex van het immersiewater te voorkomen, welke zou ontstaan als de wafer een andere temperatuur zou hebben en het immersiewater daarmee in contact komt. Anderzijds is evenzo algemeen bekend om de temperatuur van de wafer te controleren teneinde expansie of krimp te voorkomen die zorgt voor overlay problemen. Die algemene vakkennis als zodanig heeft Nikon niet, althans onvoldoende betwist (zie r.o. 4.34 en 4.27). Voor zover Nikon aanvoert dat het droog meten van markering op de wafer niet bekend was uit de stand van de techniek, heeft zij dit een en ander onvoldoende nader gemotiveerd in het licht van hetgeen deskundige Ronse namens ASML daarover heeft gezegd in zijn verklaring (paragrafen 23 en 24 GP65B) en waarop ASML op het pleidooi heeft gewezen. Voor zover Nikon ook in dit kader stelt dat een gemiddelde vakman zou denken dat temperatuurcontrole door het immersiewater voldoende zou zijn, is dit in het voorgaande reeds verworpen (zie Ad (iii) hiervoor). De temperatuursensor van conclusie 6 is terug te vinden in US 165. Voor wat betreft conclusies 7, 8, 12 en 13 heeft Nikon geen gemotiveerd verweer gevoerd tegen de stelling van ASML dat deze conclusies geen inventieve maatregelen bevatten. Ten aanzien van werkwijzeconclusies 15-20 heeft Nikon tegenover de stellingen van ASML dezelfde argumenten als hiervoor reeds verworpen gevoerd, zodat ook deze als niet inventief zijn te beschouwen. Op het pleidooi heeft Nikon aangevoerd dat de geldigheid van conclusie 21 niet is betwist. ASML heeft dit op het pleidooi alsnog gedaan, waartegen Nikon bezwaar heeft gemaakt. Desgevraagd heeft Nikon evenwel niet aangegeven op welke wijze zij in haar verdediging is geschaad. Dit valt te minder in te zien nu deze vervaardigingsconclusie slechts terugverwijst naar gebruik van de belichtingsinrichting van conclusies 1-13 of de belichtingswerkwijze van conclusies 15-20. De conclusie voegt derhalve ten aanzien van de inventiviteitsvraag niets toe aan die conclusies. Conclusie 21 dient derhalve het lot van die conclusies te delen en worden vernietigd.

slotsom in conventie

4.45.

Het voorgaande brengt mee dat EP 595 volgens de ingeroepen conclusies nietig is, zodat daarop geen inbreuk kan worden gemaakt. De vorderingen in conventie worden dan ook afgewezen. Hetzelfde geldt voor de provisionele vorderingen, ook voor zover die zien op onrechtmatig handelen wegens het bevorderen en faciliteren van inbreuk buiten Nederland, nu de rechtbank voorshands oordelend aannemelijk acht dat ook de buitenlandse delen van EP 595 (voor zover ingeroepen) niet geldig zullen worden bevonden.

4.46.

Voor zover het gevorderde in de hoofdzaak verband houdt met (het bevorderen, faciliteren etc. van) inbreuk op andere nationale delen van EP 595 buiten Nederland (EP 595 is ook geldig in onder meer Ierland en Duitsland), is de beoordeling daarvan afhankelijk van het oordeel over de geldigheid van die nationale delen, op de nietigheid waarvan ASML zich beroept. Zoals in het kader van het bevoegdheidsincident reeds is overwogen, zal de rechtbank de beslissing op dit deel van de vorderingen aanhouden totdat over de nietigheid in de betreffende jurisdicties zal zijn beslist. De zaak zal worden doorgehaald, met dien verstande dat de meest gerede partij de zaak weer op de rol kan brengen voor voortprocederen over dit deel van deze vordering zodra duidelijkheid is verkregen omtrent de geldigheid van EP 595 in de betreffende landen.

proceskosten

4.47.

Nikon zal als de in het ongelijk gestelde partij in de proceskosten in de hoofdzaak worden veroordeeld op de voet van art. 1019h Rv, zoals gevorderd. Partijen hebben een prijsafspraak dat de kosten voor de technische kant van de zaak in totaal € 600.000 bedragen, inclusief verschotten. Tevens hebben zij een afspraak dat de kosten gelijkelijk over de conventie en de reconventie zijn te verdelen. De voorwaarde waaronder ASML nog aanvullende kosten terzake van door haar gevoerd niet-technisch verweer, als neergelegd in de e-mail van 8 juni 2018, is niet vervuld omdat in de eerste VRO-zaak (zaak-/rolnummer C/09/537395 / HA ZA 17-848) een inhoudelijke beoordeling van de reconventionele vorderingen heeft plaatsgevonden. De rechtbank begroot de kosten tot op heden aan de zijde van ASML daarom in conventie in de hoofdzaak op € 300.000.

4.48.

ASML wordt als de in het ongelijk gestelde partij in het bevoegdheidsincident veroordeeld in de proceskosten daarvan. De kosten aan de zijde van Nikon, die zij vordert op de voet van art. 1019h Rv, worden, bij het ontbreken van een proceskostenspecificatie die op het bevoegdheidsincident ziet, begroot volgens het liquidatietarief op € 543,-.

4.49.

Voor de kosten in het incident tot het treffen van voorlopige voorzieningen, waarin Nikon als in het ongelijk gestelde partij wordt veroordeeld, geldt dat deze evenmin apart gespecificeerd zijn en bovendien te verwaarlozen zijn. De kosten in dit incident aan de zijde van ASML begroot de rechtbank daarom eveneens op nihil.

en voorts in (voorwaardelijke) reconventie

4.50.

Bij pleidooi heeft ASML desgevraagd aangegeven dat zij haar vordering tot vernietiging van EP 595 voorwaardelijk wenst te maken. De rechtbank verstaat die voorwaarde aldus, dat mocht de rechtbank eerst de inbreuk, uitgaande van een geldig octrooi, beoordelen en bevinden dat daarvan geen sprake is, de rechtbank niet ook nog de geldigheid van het octrooi behoeft te beoordelen, maar dat als in conventie wordt geoordeeld dat geen sprake is van inbreuk omdat het octrooi niet geldig wordt geacht, ook op de reconventionele vordering tot vernietiging zonder meer kan worden beslist. Een andere uitleg zou betekenen dat aan een voorwaardelijk ingestelde reconventionele vordering tot vernietiging nooit wordt toegekomen wanneer ongeldigheid tevens als verweer is gevoerd en de inbreuk daarop strandt.^[12]

4.51.

De uitkomst in conventie brengt mee dat de vordering van ASML in reconventie tot vernietiging van het Nederlandse deel van EP 595 (vordering A) zal worden toegewezen voor zover deze ziet op de in conventie ingeroepen conclusies 1-3, 5-8, 12, 13 en 15-21. Hoewel de reconventionele vordering vernietiging van het gehele octrooi lijkt voor te staan, heeft ASML niet toegelicht waarom de overige conclusies vernietigd zouden moeten worden, zodat die conclusies ongewijzigd, dat wil zeggen zoals verleend, in stand blijven.

De voorwaarde waaronder de subsidiaire vordering sub B is ingesteld is niet vervuld.

4.52.

Nikon zal als de grotendeels in het ongelijk gestelde partij in de proceskosten in reconventie worden veroordeeld, conform voormelde afspraak van partijen te begroten op een bedrag van € 300.000.

5.De beslissing

De rechtbank

in conventie

in het bevoegdheidsincident

5.1.

wijst de vorderingen af,

5.2.

veroordeelt ASML in de proceskosten tot op heden aan de zijde van Nikon begroot op € 543,-,

in het incident tot het treffen van provisionele voorzieningen

5.3.

wijst de vorderingen af,

5.4.

veroordeelt Nikon in de proceskosten tot op heden aan de zijde van ASML begroot op nihil,

in de hoofdzaak

5.5.

wijst de vorderingen af, behoudens het in 5.6 bepaalde,

5.6.

houdt de beslissing over de vorderingen aan voor zover die zien op buitenlandse delen van EP 595,

5.7.

bepaalt dat de meest gerede partij de zaak op de rol kan plaatsen na het in r.o. 4.46, laatste zin, nader beschreven moment,

5.8.

veroordeelt Nikon in de proceskosten, aan de zijde van ASML tot op heden begroot op € 300.000,

5.9.

verklaart de proceskostenveroordeling uitvoerbaar bij voorraad,

in (voorwaardelijke) reconventie

5.10.

vernietigt het Nederlandse deel van EP 595 volgens conclusies 1-3, 5-8, 12, 13 en 15-21,

5.11.

verstaat dat de voorwaarde waaronder het sub B gevorderde is ingesteld, niet is vervuld,

5.12.

veroordeelt Nikon in de proceskosten, aan de zijde van ASML tot op heden begroot op € 300.000,

5.13.

verklaart de proceskostenveroordeling uitvoerbaar bij voorraad,

in conventie en (voorwaardelijke) reconventie

5.14.

verbiedt partijen op de voet van art. 29 lid 1 onder b Rv om mededelingen te doen aan derden over de inhoud van de in r.o. 4.6 genoemde stukken.

Dit vonnis is gewezen door mr. E.F. Brinkman, mr. M.E. Kokke en mr. ir. J.H.F. de Vries en in het openbaar uitgesproken op 22 augustus 2018.

ECLI:NL:RBDHA:2018:10046

Octrooiinbreukzaak tussen Nikon Corporation en ASML Holding N.V. en ASML Netherlands B.V. over de geldigheid van Europees octrooi EP 595

Uitspraak

RECHTBANK DEN HAAG

1.De procedure

2.De feiten

3.Het geschil

in conventie in het bevoegdheidsincident

4.De beoordeling

in het bevoegdheidsincident en in de hoofdzaak in conventie en in (voorwaardelijke) reconventie

5.De beslissing

Voetnoten