Uitspraak
1.De procedure
- de beschikking van de voorzieningenrechter van deze rechtbank van 26 april 2017 waarbij Nikon verlof is verleend ASML te dagvaarden in de versnelde bodemprocedure in octrooizaken (hierna: VRO-procedure);
- de dagvaarding van 10 mei 2017;
- de akte overlegging producties namens Nikon met producties EP1 t/m EP41
- de conclusie van antwoord, tevens conclusie van eis in reconventie, tevens incidentele conclusie houdende exceptie van onbevoegdheid met producties GP1 t/m GP45;
- de conclusie van antwoord in het bevoegdheidsincident;
- de conclusie van antwoord in reconventie, tevens akte houdende overlegging producties, met producties EP42 t/m EP45;
- de akte houdende overlegging aanvullende producties namens Nikon van 28 maart 2018 met producties EP46 t/m 49;
- de akte houdende overlegging aanvullende producties namens ASML van 28 maart 2018 met producties GP46 t/m GP53;
- de akte overlegging reactieve producties namens Nikon van 30 april 2018 (gedateerd op de pleidooidatum, 25 mei 2018) met producties EP50 t/m EP62;
- de akte houdende overlegging reactieve producties namens ASML van 30 april 2018 met producties GP54 en GP55;
- de ter zitting van 25 mei 2018 door partijen gehanteerde pleitnotities, met dien verstande dat paragrafen 37 t/m 41 van de pleitnota namens ASML zijn doorgehaald. Deze paragrafen zijn niet gepleit.
2.De feiten
Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device”.Het octrooi is verleend op 28 december 2016 op een aanvrage daartoe van 12 oktober 2004, onder inroeping van prioriteit van de Japanse octrooiaanvragen JP 2003350628 van 9 oktober 2003 en JP 2004045103 van 20 februari 2004. Tegen (de verlening van) EP 734 is geen oppositie ingesteld.
a substrate stage (PST) having a substrate holder (PH) for holding the substrate and which is movable while holding the substrate on the substrate holder;
a first detecting system (5) for detecting an alignment mark on the substrate held by the substrate stage not through liquid; and
a second detecting system (6) for detecting a projection position of the pattern image through liquid by using a reference provided on the substrate stage,
the exposure apparatus is configured such that the projection position is detected through liquid by using the second detecting system and the reference when the substrate or a dummy substrate (DP) is arranged on the substrate holder.
The exposure apparatus according to Claim 1, wherein the second detecting system is configured to use the reference to detect the projection position with light having passed via the projection optical system and a mask (M) having the pattern.
detecting through liquid with a second detecting system a projection position of the pattern image to be projected by using a reference (MFM) provided on the substrate stage;
the detection of the projection position through liquid by using the second detecting system (6) and the reference occurs when the substrate or a dummy substrate is arranged on the substrate holder.
BACKGROUND ART
[0008]Further, not only the reference mark but also various types of sensors and the like are arranged around the surface of the substrate stage. When such an instrument is used, it is necessary to avoid the leakage and the inflow of the liquid as much as possible. Any inconvenience may possibly arise as well due to the inflow of the liquid into the substrate stage. Therefore, it is necessary to avoid the inflow of the liquid.
Transition Period’). Nikon zegde toe om gedurende die periode geen procedures op basis van Class B en Class C octrooien jegens ASML aanhangig te maken. Class C octrooien zijn octrooien die, kort gezegd, zijn verleend tijdens de
Transition Periodaan die zijn aangevraagd na 31 december 2002.
Transition Period.Die vergoeding is beperkt tot een redelijke royalty vergoeding die is gemaximeerd op een percentage van de netto verkoopprijs van de ‘
Licensed Products’(art. 2.9.2 van de CLA):
covenant of good faith’, Class B en C octrooien had aangevraagd die ‘
patentably indistinct’zijn ten opzichte van materie van de gelicentieerde Class A octrooien van Nikon.
covenant of good faith’door Nikon. ASML en Zeiss hebben het conversierecht op 31 oktober 2016 uitgeoefend. EP 734 is daarbij niet geconverteerd.
3.Het geschil
in conventie in het bevoegdheidsincident
voorwaardelijk, voor het geval de rechtbank tot het oordeel zou komen dat sprake is van (dreigende) inbreuk op EP 734 [3] , het Nederlandse deel van EP 734 te vernietigen;
4.De beoordeling
in het bevoegdheidsincident
- Productie EP09
- Productie EP41
- Productie EP42, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: EP59 t/m 63, alsmede de inhoud van die bijlagen
- Productie EP46, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: EP80, EP95 t/m 99, alsmede de inhoud van die bijlagen
- Productie EP47, voor zover delen daarin als vertrouwelijk zijn gemarkeerd, d.w.z. pars. 5.19 t/m 5.26, 6.20, 6.24 t/m 6.26 en 6.38
- Productie GP45, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: A, C en D, alsmede de inhoud van die bijlagen
- Productie GP51, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: C t/m H, J en K, alsmede de inhoud van die bijlagen
- Productie GP52, voor zover wordt ingegaan op de volgende bijlagen: A en B, alsmede de inhoud van die bijlagen
- Productie GP53, randnummers 129-130 en voetnoot 141
"photoresist"die op een dunne schijf silicium, een zogenoemde
wafer, is aangebracht. Een wafer is normaalgesproken opgedeeld in meerdere belichtingsgebieden, ook wel
"shot areas"genoemd, waarvan het aantal overeenkomt met het aantal uit de wafer te vervaardigen chips. Wanneer het belichtingsproces is voltooid, wordt de wafer aan meerdere processtappen onderworpen, zoals ontwikkelen, etsen, doteren en metalliseren, om de uiteindelijke halfgeleiderschakelingen te vervaardigen. De elektronische schakelingen in een chip worden normaalgesproken uit vele tientallen lagen opgebouwd. Nadat alle lagen zijn gevormd en de processtappen van dotering en metallisatie zijn voltooid, wordt de wafer in stukken gezaagd waardoor de individuele chips, die zijn gecreëerd op de respectievelijke
shot areas, fysiek van elkaar worden gescheiden.
"reticles"(ook wel
"masks"of maskers genoemd). Een reticle bevat een donker patroon op een transparant substraat. Door de reticle te verlichten, wordt het reticle-patroon op één van de shot areas op de wafer geprojecteerd, normaalgesproken in verkleinde omvang. Dit geschiedt door middel van een optisch projectiesysteem. Dit proces (inclusief de daarbij behorende verwerkingsstappen) wordt doorgaans tientallen malen herhaald met verschillende reticles (die de patronen van de verschillende lagen van de elektronische schakeling bevatten) om op iedere shot area de elektronische schakeling in meerdere op elkaar aansluitende lagen op te bouwen.
"pool") van immersievloeistof, de zogenoemde
"pool technology". Ook was voorgesteld om de vloeistof alleen lokaal onder de lens aanwezig te doen zijn (de
local fillmethode) maar dat had op de prioriteitsdatum nog niet tot een werkbare lithografiemachine geleid.
local fillmethode. In 2006 leverde Nikon de eerste commerciële immersie-lithografiemachine, de NSR-S609B, waarin deze methode werd toegepast. Deze machine doorbrak de barrière van NA gelijk aan 1,0 en bereikte een NA van 1,07.
- i) een verlichtingssysteem met een deep ultraviolet (DUV) 193 nm laserlichtbron;
- ii) een
- iii) een optisch projectiesysteem, dat in het algemeen uit meerdere lenzen en spiegels bestaat, en dat ervoor zorgt dat het patroon aanzienlijk verkleind (in vergelijking met de grootte van het oorspronkelijke patroon op de
- iv) een
- v) meetsystemen (waaronder sensoren).
alignment’) van de belichting ten opzichte van de (shot area op de) wafer dient ertoe om twee of meer lagen op een chip met nanometer precisie op elkaar terecht te laten komen. Dit wordt ook wel aangeduid met de term ‘
overlay’. In de hieronder weergegeven linker figuur is de overlay goed: de lagen passen precies op elkaar zodat het contact daartussen goed is. In de rechter figuur is de overlay minder goed, hetgeen tot verminderde werking van de chip leidt.
substrate’). Dit detectiesysteem, hierna ook ‘
wafer alignment’genoemd, is afgebeeld in figuur 7 van EP 734 (zie 2.7). De detector van het wafer alignment systeem wordt in (die figuur van) het octrooi aangeduid met 5. Een tweede detectiesysteem (in EP 734 afgebeeld in figuur 8, waarin de detector is aangeduid met nummer 6) detecteert de projectiepositie van het masker of de reticle op (een shot area op) de wafer door gebruik te maken van een referentiemarkering MFM op de wafer stage (hierna: ‘
reticle aligment”). Wafer aligment vindt
off-axisplaats, dat wil zeggen niet onder of door de lens maar naast het projectiesysteem en dus niet door vloeistof, maar ‘in droge toestand’. Dit wordt gecombineerd met reticle aligment, die
on-axisof
through the lens(TTL) gebeurt en derhalve ‘in natte toestand’ aangezien zich in een immersie-lithografiemachine tussen de lens en de wafer water bevindt zodat meting door de vloeistof heen plaatsvindt. Dit is in de figuren hieronder geïllustreerd.
EDS Hardware TIS NXT3 Wet”, dat specificaties van het ontwerp voor een TIS MK6.0 en MK6.1 bevat (hierna: het TIS-document, GP 23.1). Daarin is onder meer het volgende opgenomen (waarbij “Alignment marks” in de figuur uitsluitend wordt gebruikt ter aanduiding van de wafer alignment referentie markeringen):
, except for the TIS detector areas on TIS mk6.1. (…) (onderstreping toegevoegd, rechtbank)
EDS Parallel ILIAS [11] Part II: Opto-Mechanics and Opto- Electronics MK4.x” (als respectievelijk bijlagen 2.A en 2.B bij de eerste verklaring van Stas, GP23) (hierna: het PARIS-document). In de latere versie van het PARIS-document is uiteengezet hoe verschillende versies van de PARIS, te weten de MK4.0, de MK4.2 en de MK4.3, gemaakt worden. Bij dit proces wordt eerst een Cr laag op het kwarts aangebracht, die ter plekke van de PARIS (en alignment) markering verwijderd wordt. Vervolgens wordt een laag TiN op de sensor aangebracht en bij het vervaardigen van de MK4.2/MK4.3, vervolgens een laag Lipocer coating over de gehele sensor. Tot slot worden alleen op de plaats van de PARIS markeringen de TiN en Lipocer lagen achtereenvolgens verwijderd [12] . De eindproducten MK4.0 (boven) en MK4.2/MK4.3 [13] (onder) zijn hierna afgebeeld. De – in rood weergegeven – lichtdoorlatende (en waterafstotende) Lipocer coating is wel aanwezig in de MK4.0 terwijl deze laag, die over de hele sensor wordt aangebracht, bij de nieuwere MK4.2 (en MK4.3) wordt verwijderd ter plaatse van de markeringen.
geeninbreuk maakt, maar dat de stelplicht, en in voorkomend geval de bewijslast, van inbreuk op haar, Nikon, rust. De omstandigheid dat het, naar Nikon heeft aangevoerd, voor haar onmogelijk of in ieder geval ondoenlijk is om dit bewijs te verzamelen omdat het gaat om machines die 80 miljoen euro kosten, en het derhalve – zeker voor concurrent Nikon aan wie ASML niet zal leveren – niet mogelijk is om een proefexemplaar te kopen en te onderzoeken, maakt dit niet anders. Die omstandigheid leidt – anders dan Nikon kennelijk bedoelt te betogen – niet tot een omkering van de bewijslast, temeer nu Nikon andere, minder kostbare en praktisch uitvoerbare bewijs vergarende middelen ter beschikking staan (waaronder het laten maken van een gedetailleerde beschrijving).
immersion hoodvan ASML is ontwikkeld om de hoeveelheid vocht die achterblijft op de wafer stage te minimaliseren en/of omdat de TIS- en PARIS-markeringen heel klein zijn. Het probleem van erosie van de Cr laag treedt wel in geringe mate op, maar dat deed zich ook al voor toen ASML nog coatings aanbracht op de TIS en PARIS markeringen. Om dit probleem op te lossen worden de TIS- resp. PARIS sensoren periodiek, d.w.z. na verloop van enkele jaren, vervangen. Er is geen enkele aanwijzing dat de nieuwe sensoren vaker vervangen moeten worden dan de oude, aldus Stas. Stas heeft toegelicht dat de huidige versie van de sensoren goed/beter werkt dan de oudere versies met coating.
work-around’in de nabije toekomst zal laten varen en weer sensoren zal gaan gebruiken die wel aan kenmerk 1.6 voldoen, strandt eveneens. Daaraan legt zij de hiervoor als onjuist beoordeelde stelling ten grondslag dat de thans gebruikte sensoren niet goed werken. Het feit dat het voorheen in de immersie-lithografiemachines van ASML toegepaste reticle alignment systeem binnen de beschermingsomvang van het octrooi viel, maakt dit, anders dan Nikon lijkt te suggereren, niet anders. Nikon heeft niet toegelicht waarom dit het geval zou zijn, terwijl er op het moment dat de gesteld inbreukmakende handelingen werden verricht, van inbreuk geen sprake kon zijn omdat het octrooi nog niet was verleend. Bij gebreke van een eerdere inbreuk kan evenmin het argument van Nikon gevolgd worden dat van een serieuze dreiging tot inbreuk sprake is omdat ASML niet heeft toegezegd (versterkt met boete) zich daarvan te zullen onthouden.
for review’boven), zodat daaruit niet kan worden afgeleid dat de beweerde wijziging in de structuur van de TIS en PARIS markeringen daadwerkelijk is doorgevoerd, laat staan dat daaruit blijkt dat dit vóór de verleningsdatum van EP 734 (28 december 2016) is gebeurd. ASML heeft toegelicht dat het in het computersysteem van ASML zoveel handelingen vereist om een document van review naar definitieve status om te zetten, dat dit normaal gesproken niet gebeurt. De overgelegde PARIS en TIS-documenten (die alle dateren van enige tijd voor de verleningsdatum) tonen dan ook de versies zoals die kort daarna zijn uitgevoerd en toegepast. Nikon moet worden nagegeven dat ASML de invoering van de wijziging duidelijker had kunnen preciseren dan met ‘in de loop van 2016’. Echter, op haar rust, zoals gezegd, niet de stelplicht. Mede gelet op de overgelegde verklaring van Stas en de bevestiging ter zitting dat de wijzingen twee jaar geleden zijn doorgevoerd, in combinatie met de stukken die ASML heeft overgelegd waaruit blijkt dat reeds in 2014 in de praktijk het probleem was onderkend dat de coating degradeerde onder invloed van het DUV licht, moet worden aangenomen, bij het ontbreken van aanwijzingen van het tegendeel, dat de wijzigingen in de TIS en PARIS sensoren voor de verleningsdatum zijn doorgevoerd.