ECLI:NL:RBDHA:2024:7439

Uitspraak

RECHTBANK Den Haag

Civiel recht

Zaaknummer: C/09/658707 / KG ZA 23-1096

Vonnis in kort geding van 16 mei 2024

in de zaak van

de rechtspersoon naar buitenlands recht

MAXEON SOLAR PTE. LTD.,

te Marina Bay Financial Centre (Singapore),

eisende partij,

hierna te noemen: Maxeon,

advocaat: mr. T. Douma te Amsterdam,

tegen

1.VDH SOLAR GROOTHANDEL B.V.,

te Hazerswoude-Dorp,

hierna te noemen: VDH,

advocaat: mr. R. Dijkstra te Amsterdam,
2.
EIRONN NETHERLANDS B.V.tevens handelend onder de naam
AIKO ENERGY,

te Rotterdam,

hierna te noemen: Eironn,

advocaat: mr. G. Kuipers te Amsterdam,

3.
LIBRA ENERGY B.V.,

statutair gevestigd te Castricum, kantoorhoudende te Velsen-Noord,

hierna te noemen: Libra,

advocaat: mr. R. Dijkstra te Amsterdam,

gedaagde partijen,

hierna samen te noemen: AIKO c.s.

1.De procedure

1.1.

Het verloop van de procedure blijkt uit:

- de op 3 januari 2024 betekende dagvaarding met daarbij ook de instructies van de voorzieningenrechter inhoudende een mini-procesreglement met termijnen voor het indienen van processtukken en producties;

- de akte overlegging producties waarmee Maxeon op 5 januari 2024 de producties EP01 tot en met EP15 in het geding heeft gebracht;
- de conclusie van antwoord van de zijde van VDH en Libra van 29 februari 2024 met daarbij productie GPLV01;

- de conclusie van antwoord van 29 februari 2024 met daarbij producties GP01 tot en met GP31, van de zijde van Eironn;
- de akte houdende reactie op geldigheidsbezwaren tevens houdende overlegging reactieve producties van 14 maart 2024 met daarbij producties EP16 tot en met EP25, van de zijde van Maxeon;

- de akte houdende overlegging reactieve producties tevens houdende gedeeltelijke reactie op de geldigheidsargumenten van 21 maart 2024, waarbij Eironn de producties GP32 tot en met GP38.3.15 heeft overgelegd;

- het bericht van 25 maart 2024 van de zijde van Maxeon, waarin zij – kort gezegd – bezwaar maakt tegen de door Eironn op 21 maart 2024 ingediende akte houdende overlegging reactieve producties, in het bijzonder het deel “gedeeltelijke reactie op de geldigheidsargumenten” en de daarbij overgelegde producties GP32, GP33 en GP38, en verzoekt die stukken te weigeren;

de akte houdende overlegging reactieve productie, ingediend op 26 maart 2024, waarmee Maxeon productie EP26 in het geding heeft gebracht;
de door ieder van partijen op 26 maart 2024 (vóór 10:00 uur) ingediende schriftelijke pleitnota’s, met in de pleitnota van Maxeon doorgehaald de paragrafen 20 (vanaf “Dat deze stellingen onjuist zijn (…))” tot aan NB2 op pagina 15 en de
de brief van de zijde van Eironn van 27 maart 2024, waarin zij heeft gereageerd op het door Maxeon gemaakte bezwaar en geformuleerde verzoek tot weigering van stukken, en waarin Eironn zelf voorwaardelijk bezwaar heeft gemaakt tegen toelating van de akte houdende reactie op geldigheidsbezwaren tevens houdende overlegging reactieve producties van de zijde van Maxeon van 14 maart 2024, en onvoorwaardelijk bezwaar heeft gemaakt tegen toelating van de door Maxeon ingediende akte houdende overlegging reactieve producties van 26 maart 2024 met productie EP26 en tegen haar pleitnotities;
de akte houdende overlegging reactieve productie, ingediend op 27 maart 2024, waarmee Eironn onder protest productie GP39 in het geding heeft gebracht;
de schriftelijke reacties op de pleitnota van Maxeon, ingediend op 27 maart 2024 (vóór 10:00 uur) door Eironn respectievelijk VDH en Libra, met in de pleitnota van Eironn doorgehaald de aanvulling (in rood) van randnummer 2.33 (zie ook hierna onder 1.3);
de door ieder van partijen overgelegde proceskostenspecificatie.

1.2.

Op 28 maart 2024 heeft de mondelinge behandeling in hybride vorm plaatsgevonden. Daarvan zijn door de griffier aantekeningen gemaakt, waaraan een (voor de mondelinge repliek) door Maxeon overgelegde pleitnota is gehecht. Op die pleitnota zijn de niet uitgesproken delen (randnummers 9-11, het citaat onder randnummer 15 vanaf “In this respect” tot en met “considered as high”, randnummer 16 vanaf “(see also T 495/91 etc.)”, randnummers 17 en 18, het citaat onder randnummer 19, onderdeel e) onder (i) tot aan “En in gelijke zin JP 830”, de drie blokken citaten op pagina 11 bovenaan en randnummers 23-25), zoals ter zitting met partijen vastgesteld, doorgehaald.

1.2.1.

Maxeon heeft zich tijdens de mondelinge behandeling in de rechtszaal laten vertegenwoordigen door [naam 1] , [naam 2] en [naam 3] , haar octrooigemachtigden [naam 4] en [naam 5] en haar advocaten mr. Douma voornoemd alsmede mrs. C.A. van Staveren, E. Zalewska en F. Uitterhoeve (allen advocaat te Amsterdam). Op afstand, via een audiovisuele verbinding, namen verder van de zijde van Maxeon deel aan de zitting [naam 6] (Exponent), [naam 7] (Exponent), [naam 8] (Exponent) en M. Hermle (deskundige).

1.2.2.

Aan de zijde van Eironn hebben aan de zitting deelgenomen [naam 9] (
senior intellectual property engineerbij AIKO), [naam 10] (
senior intellectual property engineerbij AIKO), [naam 11] (
chief engineer of research and development departmentbij AIKO), [naam 12] (
legal managerbij AIKO), [naam 13] (president van het

European AIKO Institute), haar octrooigemachtigden [naam 14] , [naam 15] en [naam 16] , haar advocaten mr. Kuipers voornoemd alsmede mrs. H.J. Ridderinkhof en F.F.J. Patijn (allen advocaat te Amsterdam) en [naam 17] (eveneens advocaat te Amsterdam, maar ter zitting niet in toga), en haar deskundige prof. E. Kessels. Op afstand hebben tevens deelgenomen, van de zijde van Eironn, [naam 18] (
senior intellectual property engineerbij AIKO) en [naam 19] (
legal directorbij AIKO), haar octrooigemachtigde [naam 20] , [naam 21] (SGS Fresenius Institut), [naam 22] (SGS Fresenius Institut), [naam 23] (Fraunhofer CSP) en haar deskundige prof. B. Hoex.

1.2.3.

VDH en Libra hebben zich in de rechtszaal laten vertegenwoordigen door [naam 24] (CEO van VDH) en [naam 25] (CFO van Libra), vergezeld van hun advocaat mr. Dijkstra voornoemd, alsmede mr. S.G. Peters (advocaat te Amsterdam).

1.2.4.

Daarnaast waren op afstand tolken aanwezig.

1.3.

Aan het begin van de mondelinge behandeling hebben partijen de mogelijkheid gekregen zich nader uit te laten over de – over en weer – gemaakte bezwaren, zoals hiervoor onder 1.1 verkort weergegeven. Vervolgens heeft de voorzieningenrechter, na een korte schorsing, op die bezwaren beslist. Het verzoek van Maxeon om de (reactieve) akte van Eironn te weigeren, is afgewezen, nu Maxeon – gelet op de aard van deze kortgedingprocedure – door het indienen daarvan niet in haar verdedigingsbelang is geschaad. Daarmee is de voorwaarde die Eironn aan haar voorwaardelijke bezwaar had gekoppeld, niet vervuld, zodat daarop niet behoefde te worden beslist. Ten aanzien van het onvoorwaardelijke bezwaar van Eironn tegen toelating van de vooraf uitgewisselde, schriftelijke pleitnota van Maxeon, in het bijzonder de daarin opgenomen ‘
snippets’ (afbeeldingen van tekstfragmenten afkomstig uit andere documenten), en tegen toelating van productie EP26, heeft de voorzieningenrechter ter zitting als volgt beslist. Genoemde
snippetszijn toegelaten, nu dit in feite slechts verwijzingen zijn naar eerder ingediende stukken. Dat geldt niet voor zover het gaat om
snippetsafkomstig uit documenten die niet (eerder) als productie in het geding zijn gebracht, zoals de in randnummer 24 van de schriftelijke pleitnota van Maxeon opgenomen
snippetvan een uittreksel uit het Handelsregister van de Kamer van Koophandel; daar zal de voorzieningenrechter dus geen acht op slaan. Ook de tegelijk met de schriftelijke pleitnota ingediende akte waarmee Maxeon als productie EP26 een nieuw (inbreuk)rapport heeft ingestuurd, zal de voorzieningenrechter als geweigerd buiten beschouwing laten. Die akte en productie zijn tardief en in strijd met de goede procesorde in het geding gebracht. Dat betekent dat ook productie GP39, die een reactie inhoudt op (de geweigerde) productie EP26, en die Eironn onder (uitdrukkelijk) protest heeft overgelegd bij de akte die zij tegelijk met haar schriftelijke reactie op de schriftelijke pleitnota van Maxeon heeft ingediend, (om dezelfde reden) niet bij de beoordeling zal worden betrokken. Bijgevolg zal de voorzieningenrechter geen acht slaan op in de schriftelijke pleitnota’s van partijen (inclusief de schriftelijke reactie van Eironn op de schriftelijke pleitnota van Maxeon) opgenomen verwijzingen naar/
snippetsvan producties EP26 (met name onder randnummer 20 van de schriftelijke pleitnota van Maxeon) en GP39 (met name randnummer 2.33 van de met de schriftelijke reactie op de schriftelijke pleitnota van Maxeon aangevulde schriftelijke pleitnota van Eironn).

1.4.

Ter gelegenheid van de (mondelinge) dupliek heeft AIKO c.s. bezwaar gemaakt tegen het overleggen door Maxeon van haar op schrift gestelde repliek. Dat bezwaar, waarop de voorzieningenrechter ter zitting nog niet had beslist, wordt verworpen. Nu met de repliek slechts wordt gereageerd op hetgeen door AIKO c.s. in de ingediende (aanvullende) schriftelijke pleitnotities naar voren is gebracht en de niet voorgedragen delen van die op schrift gestelde repliek zijn doorgehaald (zie hiervoor onder 1.2), valt niet in te zien, en zulks heeft AIKO c.s. ook niet gesteld, dat AIKO c.s. daardoor in haar verdedigingsbelang wordt geschaad.

1.5.

Aan het eind van de mondelinge behandeling heeft de voorzieningenrechter bepaald dat vandaag (16 mei 2024) vonnis wordt gewezen.

2.De feiten

Partijen

2.1.

Maxeon maakt onderdeel uit van de Maxeon-groep^[1]en houdt zich bezig met het ontwikkelen, produceren en op de markt brengen van zonne-energie-technologie, waaronder zonnepanelen. Zij verhandelt zonnepanelen onder de merken Maxeon® en SunPower®, en heeft verkoopactiviteiten in meer dan 100 landen.

2.2.

Eironn is een Nederlandse dochtervennootschap van de Chinese zonnepanelenfabrikant Shanghai AIKO Solar (hierna: Aiko). Aiko is een onderneming die wereldwijd actief is op het gebied van energietechnologie. Zij verhandelt over de hele wereld, waaronder in Europa, zonnepanelen. Het gaat onder meer om de door haar geproduceerde zogenaamde ‘
All Back Contact’ panelen, waaronder van het type met modelnummer A450-MAH54Mb, waarbij de contacten op de achterkant (de kant die niet naar de zon is gericht) van de zonnecel zijn geplaatst, in plaats van op de voor- en achterkant, zoals bij andere zonnepanelen.

2.3.

Aiko brengt haar zonnepanelen op de markt via diverse distributeurs in onder andere Europa en Azië. VDH en Libra zijn in Nederland gevestigde distributeurs van fotovoltaïsche systemen. Zij verhandelen onder meer via hun websites die beschikbaar zijn in het Nederlands, Engels en Duits – naast zonnepanelen van andere producenten – de in 2.2 genoemde
‘All Back Contact’panelen (hierna: de Aiko-panelen).

2.4.

Eironn is de Europese topvennootschap van de Aiko-groep en – als zodanig – de moedervennootschap van onder meer de Italiaanse en Franse Aiko-entiteiten. Eironn ondersteunt de marketing van de Aiko-panelen in Nederland en in Europa.

Het octrooi

2.5.

Maxeon beschikt over een uitgebreide octrooiportefeuille op het gebied van zonne-energie-technologie. Eén van de door Maxeon gehouden octrooien is EP 2 297 788 B1 (hierna: EP 788 of het octrooi). EP 788, getiteld ‘
Back-Contacted Solar Cells with Doped Polysilicon Regions Separated via Trench Structures and Fabrication Process Therefor’ is op 29 april 2009 aangevraagd onder inroeping van de prioriteit van de Amerikaanse octrooi-aanvrage US 60921 P (12 juni 2008, hierna: de eerste prioriteitsdatum) en de Amerikaanse octrooiaanvrage US 431684 (28 april 2009).

2.6.

Na onderzoek heeft het EOB^[2]op 29 april 2016 het octrooi verleend, welke beslissing op 25 mei 2016, de datum van publicatie van de vermelding van de verlening in het
European Patent Bulletin, van kracht is geworden. Tegen de verlening van EP 788 is geen oppositie ingesteld. Het octrooi heeft gelding in onder meer Nederland, Frankrijk, Italië en Duitsland.

2.7.

EP 788 bevat 11 conclusies die in de authentieke Engelse versie als volgt luiden:

1. A solar cell structure comprising:

a P-type doped region (101, 301) and an N-type doped region (102, 302) formed on a backside (106, 306) of a silicon substrate (103, 303), the P-type doped region and the N-type doped region comprising polysilicon, each of the P-type and N-type doped regions being formed over a first dielectric layer (113, 313), the substrate comprising an N-type or P-type silicon wafer;

a trench structure (104, 304) separating the P-type doped region (101, 301) and the N-type doped region (102, 302); and

characterized by

a diffused passivation region (112, 312, 315) in the substrate (103, 303) under the trench (104, 304), and the passivation region is doped with an N-type dopant when the substrate comprises N-type silicon wafer.

2. The structure of claim 1 wherein the silicon substrate (103, 303) comprises an N-type silicon substrate.

3. The structure of claim 1 wherein a surface (114, 314) of the trench is randomly textured.

4. The structure of claim 1 wherein the first dielectric layer (113, 313) comprises silicon dioxide formed to a thickness between 5 to 40 Angstroms.

5. The solar cell structure according to claim 1, wherein the silicon substrate (103, 303) having a front side (105, 305) configured to face the sun during normal operation and the backside (106, 306) opposite the front side;

the first dielectric layer (113, 313) is over the substrate and underneath each of the P-type doped region and the N-type doped region; and

a second dielectric layer (107, 307) formed in the trench.

6. The solar cell structure of claim 5 wherein the first dielectric layer (113, 313) comprises silicon dioxide formed to a thickness between 5 to 40 Angstroms on a surface of the silicon substrate (103, 303).

7. The solar cell structure of claim 5 wherein the trench (104, 304) has a textured surface configured to improve collection efficiency of solar radiation incident on the backside of the solar cell.

8. The solar cell structure of claim 5 further comprising interdigitated metal contact fingers (108, 109; 308, 309) electrically coupled to the P-type and N-type doped regions through the second dielectric layer.

9. A method of fabricating a solar cell, the method comprising:

forming a first dielectric layer (113, 313) on a solar cell substrate (103, 303);

forming a P-type doped region (101, 301) and an N-type doped region (102, 302) on a backside (106, 306) of the solar cell substrate (103, 303), the P-type and N-type doped regions being over the first dielectric layer (113, 313), the backside being opposite a front side (105, 305) of the solar cell that faces the sun during normal operation, the substrate comprising an N-type or P-type silicon wafer;

forming a trench (104, 304) separating the P-type doped region (101, 301) and the N-type doped region (102, 302);

depositing a second dielectric layer (107, 307) in the trench; and forming a diffused passivation region (112, 312, 315) in the substrate (103, 303) under the trench (104, 304), and the passivation region is doped with an N-type dopant when the substrate comprises N-type silicon wafer.

10. The method of claim 9 wherein the P-type doped region (101, 301) comprises polysilicon that is predoped with a P-type dopant prior to deposition over the first dielectric layer (113, 313) and the N-type doped region (102, 302) comprises polysilicon that is pre-doped with an N-type dopant prior to formation over the first dielectric layer.

11. The method of claim 9 wherein forming the P-type doped region (101, 301) comprises:

diffusing dopants from a dopant source to a polysilicon layer, the dopant source being a layer of material formed over the polysilicon layer.

2.8.

In de – onbestreden – Nederlandse vertaling luiden de conclusies van het octrooi als volgt:

1. Zonnecelstructuur, omvattende:

een P-type gedoteerde zone (101, 301) en een N-type gedoteerde zone (102, 302) die gevormd zijn op een achterzijde (106, 306) van een siliciumsubstraat (103, 303), waarbij de P-type gedoteerde zone en de N-type gedoteerde zone polysilicium omvatten, waarbij elke van de P-type en van de N-type gedoteerde zones gevormd is over een eerste diëlektrische laag (113, 313), waarbij het substraat een N-type of een P-type gedoteerde siliciumwafer omvat;

een groefstructuur (104, 304) die de P-type gedoteerde zone (101, 301) en de N-type gedoteerde zone (102, 302) van elkaar scheidt; en

gekenmerkt door

een gediffundeerde passivatiezone (112, 312, 315) in het substraat (103, 303) onder de groef (104, 304), en doordat de passivatiezone is gedoteerd met een N-type doteringsmiddel wanneer het substraat een N-type siliciumwafer omvat.

2. Structuur volgens conclusie 1, waarbij het siliciumsubstraat (103, 303) een N-type siliciumsubstraat omvat.

3. Structuur volgens conclusie 1, waarbij een oppervlak (114, 314) van de groef op willekeurige wijze van een textuur is voorzien.

4. Structuur volgens conclusie 1, waarbij de eerste diëlektrische laag (113, 313) siliciumdioxide omvat die gevormd is tot een dikte die gelegen is tussen 5 en 40 Angstrom.

5. Zonnecelstructuur volgens conclusie 1,
waarbij het siliciumsubstraat (103, 303) is voorzien van een voorzijde (105, 305) die geconfigureerd is om naar de zon gericht te zijn tijdens de normale werking, en van een achterzijde (106, 306) die tegenover de voorzijde is gelegen;

waarbij de eerste diëlektrische laag (113, 313) over het substraat is voorzien en onder elke van de P-type gedoteerde zone en N-type gedoteerde zone; en

een tweede diëlektrische laag (107, 307) die gevormd is in de groef.

6. Structuur volgens conclusie 5, waarbij de eerste diëlektrische laag (113, 313) siliciumdioxide omvat die gevormd is tot een dikte die gelegen is tussen 5 en 40 Angstrom, en dit op een oppervlak van het siliciumsubstraat (103, 303).

7. Zonnecelstructuur volgens conclusie 5, waarbij de groef (104, 304) in het bezit is van een van een [sic, vzr] textuur voorzien oppervlak, geconfigureerd om de opvangefficiëntie voor zonnestraling te verbeteren die invalt op de achterzijde van de zonnecel.

8. Zonnecelstructuur volgens conclusie 5, bovendien in elkaar grijpende metalen contactvingers (108, 109; 308, 309) omvattende die elektrisch verbonden zijn met de P-type en N-type gedoteerde zones door de tweede diëlektrische laag.

9. Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel, waarbij de werkwijze omvat:

het vormen van een eerste diëlektrische laag (113, 313) op een zonnecelsubstraat (103, 303);

het vormen van een P-type gedoteerde zone (101, 301) en van een N-type gedoteerde zone (102, 302) op een achterzijde (106, 306) van het zonnecelsubstraat (103, 303), waarbij de P-type en de N-type gedoteerde zones over de eerste diëlektrische laag (113, 313) voorzien zijn, waarbij de achterzijde tegenover een voorzijde (105, ) van de zonnecel is gelegen die aar [bedoeld zal zijn: naar, vzr] de zon is gericht tijdens de normale werking; en waarbij het substraat een N-type of een P-type siliciumwafer omvat;

het vormen van een groefstructuur (104, 304) die de P-type gedoteerde zone (101, 301) en de N-type gedoteerde zone (102, 302) van elkaar scheidt;

het afzetten van een tweede diëlektrische laag (107, 307) in de groef; en

het vormen van een gediffundeerde passivatiezone (112, 312, 315) in het substraat (103, 303) onder de groef (104, 304), waarbij de passivatiezone is gedoteerd met een N-type doteringsmiddel wanneer het substraat een N-type siliciumwafer omvat.

10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij de P-type gedoteerde zone (101, 301) polysilicium omvat dat voorgedoteerd is met een P-type doteringsmiddel, voorafgaand aan het afzetten over de eerste diëlektrische laag (113,313), en waarbij de N-type gedoteerde zone (102, 302) polysilicium omvat dat voorgedoteerd is met een N-type doperingsmiddel, voorafgaand aan de vorming over de eerste diëlektrische laag.

11. Werkwijze volgens conclusie 9, waarbij het vormen van de P-type gedoteerde zone (101, 301) omvat:

het diffunderen van doperingsmiddelen van een doperingsmiddelbron naar een laag polysilicium, waarbij de doperingsmiddelbron een laag materiaal is die gevormd is over de laag polysilicium.

2.9.

In de beschrijving van EP 788 is onder meer het volgende opgenomen:

BACKGROUND OF THE INVENTION

1. Field of the Invention

[0001]The present invention relates generally to solar cells, and more particularly but not exclusively to solar cell fabrication processes and structures.

2. Description of the Background Art

(…)

[0003]Solar cells are well known devices for converting solar radiation to electrical energy. They may be fabricated on a semiconductor wafer using semiconductor processing technology. A solar cell includes P-type and N-type doped regions. Solar radiation impinging on the solar cell creates electrons and holes that migrate to the doped regions, thereby creating voltage differentials between the doped regions. In a backside contact solar cell, both the doped regions and the interdigitated metal contact fingers coupled to them are on the backside of the solar cell. The contact fingers allow an external electrical circuit to be coupled to and be powered by the solar cell.

[0004]Efficiency is an important characteristic of a solar cell as it is directly related to the solar cell’s capability to generate power. Accordingly, techniques for increasing the efficiency of solar cells are generally desirable. The present invention allows for increased solar cell efficiency by providing processes for fabricating novel solar cell structures.

SUMMARY

[0005]A solar cell according to the invention is defined in claim 1. The trench structure may include a textured surface for increased solar radiation collection. Among other advantages, the resulting structure increases efficiency by providing isolation between adjacent P-type and N-type doped regions, thereby preventing recombination in a space charge region where the doped regions would have touched.

[0006]A method of fabricating a solar cell according to the invention is defined in claim 9. Further advantageous embodiments are defined in claims 2 - 8 and 10 - 11.

(…)

DETAILED DESCRIPTION

(…)

[0011]In solar cells with P-type and N-type doped regions in the substrate, the P-type and N-type doped regions may be formed with separate or abutting perimeters. The inventor discovered, however, that this is not true with polysilicon doped regions because recombination in the space charge region where the polysilicon doped regions touch is very high due to the lifetime of charge carriers in the polysilicon being very low. That is, the inventor discovered that touching polysilicon doped regions adversely affect efficiency. Embodiments of the present invention address this problem associated with polysilicon doped regions and formed doped regions in general.

[0012]FIG. 1 schematically shows a sectional view of a solar cell structure in accordance with an embodiment of the present invention. In the example of FIG. 1, the solar cell is a backside contact solar cell in that its doped regions 101 and 102 are on the backside 106 opposite to the front side 105. The front side 105 faces the sun during normal operation. The doped regions 101 and 102 are formed on a thin dielectric layer 113. The dielectric layer 113 may be formed to a thickness of 5 Angstroms to 40 Angstroms. In one embodiment, the dielectric layer 113 comprises silicon dioxide thermally grown on the surface of the substrate 103 to a thickness of 20 Angstroms. The dielectric layer 113 may also comprise silicon nitride. The dielectric layer 113 advantageously allows for surface passivation. The polysilicon of the doped regions 101 and 102 applies an electric field across the dielectric layer 113, which repels minority carriers and accumulates majority carriers at the dielectric interface.

[0013]In the example of FIG. 1, the doped region 101 is a P-type doped region, while the doped region 102 is an N-type doped region. A substrate 103 comprises an N-type silicon wafer in this example. As can be appreciated, the substrate 103 may also comprise a P-type silicon or other wafer with appropriate changes to the rest of the structure. There are several P-type and N-type doped regions in any given solar cell but only one of each is shown in FIG. 1 for clarity of illustration.

[0014]The doped regions 101 and 102 may comprise doped polysilicon formed to a thickness of about 2000 Angstroms by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The doped region 101 may comprise polysilicon doped with a P-type dopant (e.g., boron) and the doped region 102 may comprise polysilicon doped with an N-type dopant (e.g., phosphorus). The polysilicon may be deposited over the thin dielectric layer 113 and then doped by diffusion. The polysilicon may also be pre-doped prior to deposition on the dielectric layer 113. Polysilicon is the preferred material for the doped regions 101 and 102 for its compatibility with high temperature processing, allowing for increased thermal budget.

[0015]As shown in FIG. 1, the doped regions 101 and 102 are separated by a trench 104, which serves as a gap between the doped regions 101 and 102.

[0016]The trench 104 may be formed by laser trenching or conventional etching, for example. In one embodiment, the trench 104 is about 100 microns wide. The trench 104 may be formed before or after a diffusion step that dopes the polysilicon doped regions 101 and 102. If the trench 104 is formed before the diffusion step, the passivation region 112 may comprise an N-type passivation region formed during the diffusion step.

[0017]In one embodiment, the trench 104 is formed using a process that not only forms the trench 104 but also forms a randomly textured surface 114 on the surface of the trench 104. The randomly textured surface 114 improves solar radiation collection of light incident on the back of the solar cell, i.e. a bifacial configuration. A wet etch process comprising potassium hydroxide and isopropyl alcohol may be used to form the trench 104 and to texture the surface 114 with random pyramids. The trench 104 may be formed to dig 1 to 10 microns (e.g., 3 microns) into the substrate 103.

[0018]A dielectric in the form of a silicon nitride 107 is deposited in the trench 104. The silicon nitride 107 preferably has a relatively large positive fixed charge density to place the silicon surface under the trench 104 in accumulation and to provide good surface passivation. The positive fixed charge density of the silicon nitride 107 may naturally occur as part of the deposition process used to form the silicon nitride 107. In one embodiment, the silicon nitride 107 is formed to a thickness of about 400 Angstroms by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The resulting accumulation layer repels minority carriers, i.e. positively charged holes in N-type material. The trench 104 also prevents the space charge region from developing in the polysilicon. Instead, the space charge develops in the single crystal silicon underneath the P-type polysilicon. In this region, lifetime is not reduced due to grain boundaries, and hence the parasitic recombination is suppressed. A portion of this space charge region also intersects the surface of the wafer in the trench 104. The positive charge in the silicon nitride 107 reduces the impact of this region of space charge region as well narrowing the region.

[0019]An example process flow for fabricating the solar cell structure of FIG. 1 may include forming a thin dielectric layer 113 over a backside surface of the substrate 103, forming an undoped polysilicon layer over the thin dielectric layer 113, doping the polysilicon layer into P-type and N-type doped regions 101 and 102, etching the doped polysilicon layer to form the trench 104 and the textured surface 114, forming the passivation region 112, and forming the silicon nitride 107 in the trench 104. Rather than diffusing dopants on an undoped polysilicon layer, the doped regions 101 and 102 may also be formed by depositing pre-doped polysilicon on the dielectric layer 113 using conventional deposition, masking, and etching techniques. The silicon nitride 107 preferably has a planar,

as opposed to textured, surface. However, the planarity of the silicon nitride 107 is not critical and no additional planarization step is needed. For example, the planarity of the silicon nitride 107 may be as deposited. The trench 104 may be formed before or after doping of the doped regions 101 and 102.

[0020]Referring to FIG. 2, interdigitated metal contact fingers 108 and 109 may be formed through the silicon nitride 107 to make an electrical connection to the doped regions 101 and 102, respectively. External electrical circuits may be attached to the interdigitated metal contact fingers 108 and 109 to connect to and be powered by the solar cell. In the example of FIG. 2, the metal contact finger 108 may be connected to a positive electrical terminal and the metal contact finger 109 may be connected to a negative electrical terminal.

[0021]The trench structure of FIG. 1 addresses the aforementioned issues relating to polysilicon parasitic space charge recombination several ways. Firstly, the trench 104 separates the doped regions 101 and 102 so they are not physically in contact. This prevents the space charge region from existing in either polysilicon film. Secondly, the resulting accumulation layer under the trench 104 repels minority carriers to improve surface passivation. Thirdly, the textured surface 114 in the trench 104 increases solar radiation collection. These advantageously help increase solar cell efficiency.

(…)

[0024]A doped silicon dioxide layer 324 is formed over the silicon dioxide 323 and the polysilicon layer 322 (FIG. 6). The silicon dioxide 324 serves as a dopant source for a subsequently formed doped region, which is an N-type doped region 302 in this example (see FIG. 7A or 8B). The silicon dioxide 324 may thus be doped with an N-type dopant, such as phosphorus. The silicon dioxide 324 may be formed to a thickness of about 2000 Angstroms by APCVD.

[0025]The trench separating the doped regions may be formed after formation of the doped regions in a first trench formation process or before formation of the doped regions in a second trench formation process. FIGS. 7A and 8A illustrate process steps for the first trench formation process, while FIGS. 7B and 8B illustrate process steps for the second trench formation process. Both trench formation processes may proceed from FIG. 6 and continue on to FIG. 9.

[0026]In the first trench formation process, a thermal drive-in step diffuses dopants from the silicon dioxides 323 and 324 to the underlying polysilicon layer 322, thereby forming P-type and N-type doped regions in the polysilicon layer 322, which is accordingly relabeled as P-type doped region 301 and N-type doped region 302 (FIG. 7A). The thermal drive-in step may be performed by heating the sample of FIG. 6. The preferred drive conditions give a heavily doped, e.g., greater than 1e20cm-3, polysilicon layer that is uniform throughout the thickness of the film and has very little doping under the polysilicon, e.g., equal to or less than 1e18cm-3. The thermal drive-in step results in the polysilicon layer 322 under the silicon dioxide 323 forming the P-type doped region 301 and polysilicon layer 322 under the silicon dioxide 324 forming the N-type doped region 302.

[0027]The silicon dioxide 324, silicon dioxide 323, doped region 301, doped region 302, and thin dielectric layer 313 are etched to form a trench 304 (FIG. 8A). The trench etch may comprise a multi-step etch process, with the last etch step stopping on the substrate 303. The trench 304 may be about 100 microns wide, for example. However, there is no known limit to the minimum width as long as the P-type doped region 301 and N-type doped region 302 do not contact each other. The trench 304 may be formed by conventional etching processes including by laser trenching. In one embodiment, the trench 304 has a textured surface 314 for improved solar radiation collection efficiency. In one embodiment, a wet etch process comprising potassium hydroxide and isopropyl alcohol is used to form the trench 304 and to texture the surface 314 with random pyramids. The trench 304 may extend 1 to 10 microns, e.g., 3 microns, into the substrate 303.

[0028]A thin (less than 200 Angstroms, e.g., 100 Angstroms) passivation layer 310 may be formed on the surface 314 of the trench 304. The passivation layer 310 may comprise silicon dioxide thermally grown on the surface 314 or deposited silicon nitride layer, for example..

[0029]In the second trench formation process, the silicon dioxide 324, polysilicon layer 322, and thin dielectric layer 313 of the sample of FIG. 6 are etched to form the trench 304 (FIG. 7B). Textured surface 314 may be formed on the surface of the trench 304. The trench etch is essentially the same as in the first trench formation process except that the trench is formed before formation of the doped regions of the solar cell.

[0030]A thermal drive-in step is performed to diffuse dopants from the silicon dioxide layers 323 and 324 to the underlying polysilicon layer 322, thereby forming the doped regions 301 and 302 as in the first trench formation process (FIG. 8B). In this case, in the second trench formation process, a passivation region 315 is formed in the substrate 303 under the trench 304 during the diffusion process. The passivation region 315 may comprise diffused N-type dopants. In one embodiment, the passivation region 315 is formed by introducing POCI3 (phosphorus chloride oxide) in the diffusion furnace during the thermal drive-in. The passivation region 315 serves the same function as the passivation region 112 of FIG. 1.

[0031]In both the first and second trench formation processes, the trench 304 serves as a gap physically separating the P-type doped region 301 from the N-type doped region 302. The processing of the solar cell continues from either FIG. 8A or 8B to FIG. 9.

(…)

[0034]FIG. 11 shows dark I-V (i.e., current-voltage) curves comparing the performance of a conventional solar cell to a solar cell that is in accordance with an embodiment of the present invention. The I-V curves are "dark" in that they were measured with no direct solar radiation shining on the solar cells.

[0035]The I-V curves are for the diodes formed between an N-type silicon and a P-type doped region. In the example of FIG. 11, the horizontal axis represents voltage across the diode and the vertical axis represents the resulting current across the diode. Plot 401 is the IV curve for a conventional solar cell with touching P-type and N-type polysilicon doped regions, plot 402 is the I-V curve for a typical Sunpower Corporation A300™ solar cell, and plot 403 is for a solar cell having a trench between the P-type and N-type doped regions as in FIGS. 1 and 9. While the plot 402 is very close to the ideal I-V curve represented by the plot 404, the plot 403 is even closer. The plot 405 represents a guide for the eye of an ideal diode I-V characteristic, the slope of which is 60 millivolts per decade of current.

[0036]Referring now to FIG. 12, there is shown a flow diagram of a method 600 of fabricating a solar cell in accordance with an embodiment of the present invention. In the method 600, doped regions are formed in a polysilicon layer (step 601). The doped regions may be formed by depositing doped silicon dioxide layers over an undoped polysilicon layer and performing a diffusion step, by depositing pre-doped polysilicon layers, or by depositing an undoped polysilicon layer followed by a dopant implantation step, for example. The polysilicon layer where the doped regions are formed may be etched to form a trench separating the P-type doped region from the N-type doped region (step 602). Alternatively, the trench is formed before the doped regions are formed. The trench may include a textured surface for increased solar radiation collection. A passivation region, such as passivation layer or a diffused region in the substrate, may be formed to isolate trench material from the bulk of the substrate (step 603). A dielectric in the form of a silicon nitride layer may then be deposited in the trench (step 604). Interdigitated metal contact fingers may thereafter be formed to electrically connect to the P-type and N-type doped regions through the silicon nitride.

(…)

2.10.

EP 788 bevat onder meer de volgende figuren:

Correspondentie en andere procedures tussen partijen

2.11.

Bij brieven van 14 november 2023 heeft Maxeon AIKO c.s. gesommeerd de verhandeling van de Aiko-panelen te staken en gestaakt te houden, omdat de Aiko-panelen volgens Maxeon inbreuk maken op EP 788. AIKO c.s. heeft die sommatie naast zich neergelegd en het standpunt ingenomen dat van inbreuk geen sprake is en dat het octrooi van Maxeon ongeldig is.

2.12.

Maxeon heeft ook in Duitsland, bij het
Landgericht Mannheim, een (bodem)inbreukprocedure tegen Aiko en haar (Duitse) distributeurs ingeleid op basis van het Duitse deel van EP 788. Aiko heeft op haar beurt een nietigheidsactie bij het
Bundespatentgerichtingesteld. In beide procedures zijn (nog) geen inhoudelijke beslissingen genomen.

3.Het geschil

3.1.

Maxeon vordert, samengevat, AIKO c.s. op straffe van een hoofdelijk te verbeuren dwangsom te verbieden zelf of via derden, in het bijzonder de Europese dochtervennootschappen van Eironn (te weten AIKO Solar Italy S.R.L. en AIKO Solar France S.A.R.L.), in Nederland, Italië en Franrijk inbreuk op EP 788 te maken althans onrechtmatig te handelen, in het bijzonder door inbreuk uit te lokken, mogelijk te maken, te faciliteren, hiervan willens en wetens te profiteren en/of hieraan indirect deel te nemen. Verder heeft Maxeon een aantal nevenvorderingen ingesteld, waaronder een
recall- en opgave-verplichting, en vordert zij een op de voet van artikel 1019h Rv^[3]te begroten proceskostenveroordeling.

3.2.

Maxeon legt – verkort weergegeven – aan haar vorderingen ten grondslag dat AIKO c.s. met de verhandeling van de Aiko-panelen inbreuk maakt op de conclusies 1 en 9 (en de daarvan afhankelijke conclusies 2 t/m 8 en 10) van EP 788, althans onrechtmatig jegens haar handelt. Voor de onderbouwing van haar standpunt dat sprake is van inbreuk, steunt Maxeon op het door haar (als productie EP07) overgelegde rapport van de Amerikaanse onderzoeksinstelling Exponent waarin de bevindingen zijn neergelegd van een door Exponent uitgevoerde analyse van het Aiko-paneel met referentie-/serienummer AIKO-450-MAH54Mb (hierna: het Exponent-rapport).

3.3.

Eironn voert verweer en concludeert tot afwijzing van de vorderingen, met veroordeling van Maxeon in de op de voet van artikel 1019h Rv te begroten proceskosten, te vermeerderen met wettelijke rente. Daartoe voert zij, enerzijds, aan dat EP 788 ongeldig is, zodat alleen al daarom geen inbreuk wordt gemaakt op het octrooi, en, anderzijds, dat de Aiko-panelen niet onder de beschermingsomvang van het octrooi vallen.

3.4.

VDH en Libra hebben eveneens (zelfstandig) verweer gevoerd. Zij concluderen, mede onder verwijzing naar het door Eironn gevoerde verweer, tot afwijzing van de vorderingen onder bij uitvoerbaar bij voorraad te verklaren veroordeling van Maxeon in de op de voet van artikel 1019h Rv te begroten proceskosten.

3.5.

Op de stellingen van partijen wordt hierna, voor zover van belang, nader ingegaan.

4.De beoordeling

Bevoegdheid

4.1.

De (ook grensoverschrijdende) bevoegdheid van de voorzieningenrechter volgt uit artikel 4 Brussel I bis-Vo^[4], aangezien VDH, Eironn en Libra in Nederland zijn gevestigd. De rechter die krachtens die bepaling bevoegd is van het bodemgeschil kennis te nemen, is ook bevoegd voorlopige maatregelen te nemen. Artikel 24 lid 4 Brussel I bis-Vo staat daaraan in de gegeven omstandigheden niet in de weg, omdat de voorzieningenrechter, die op basis van genoemd artikel 4 bevoegd is kennis te nemen van een op inbreuk op een Europees octrooi gebaseerd grensoverschrijdend verbod, volgens vaste rechtspraak slechts een voorlopig oordeel geeft over de nietigheidsverweren met betrekking tot (ook) de buitenlandse delen van het Europees octrooi. De relatieve bevoegdheid volgt uit artikel 80 lid 2 onder a ROW 1995^[5].

Voorlopige voorziening

4.2.

Het gaat hier om een in kort geding gevorderde voorlopige voorziening. De rechter moet daarom eerst beoordelen of Maxeon ten tijde van dit vonnis bij die voorziening een spoedeisend belang heeft. Daarnaast geldt dat de rechter in dit kort geding moet beoordelen of de vorderingen in de bodemprocedure een zodanige kans van slagen hebben, dat vooruitlopend daarop toewijzing van de voorlopige voorziening gerechtvaardigd is. Als uitgangspunt geldt bovendien dat in deze procedure geen plaats is voor (nadere) bewijslevering.

Spoedeisend belang

4.3.

Het spoedeisend belang vloeit voort uit de aard van de vorderingen (een verbod ter beëindiging van een beweerdelijke inbreuk, althans onrechtmatig handelen, die/dat nog altijd voortduurt). Het (bestaan van) spoedeisend belang is door AIKO c.s. overigens ook niet bestreden.

Technische achtergrond

4.4.

De volgende beschrijving van de technische achtergrond volgens de stand van de techniek op de eerste prioriteitsdatum van het octrooi, is ontleend aan de niet of onvoldoende bestreden stellingen van partijen.

4.5.

Een zonnecel (ook wel fotovoltaïsche cel) is een cel die zonlicht omzet in elektriciteit. Dit werkt in hoofdlijnen, vereenvoudigd en theoretisch weergegeven, als volgt.

4.6.

De zon zendt straling uit in de vorm van fotonen, zogenaamde ‘stralingspakketten’. De energie van die stralingspakketten hangt af van de frequentie of golflengte van de respectieve straling. De golflengtes kunnen variëren en omvatten bijvoorbeeld korte ultraviolette golven, de regenboog(kleuren) van het zichtbare spectrum en lange infrarode golven. Wanneer de zon schijnt, bewegen de stralingspakketten in de richting van de aarde. Een zonnecel is ontworpen om zoveel mogelijk fotonen op te vangen (te absorberen) die het oppervlak van de zonnecel bereiken; een zonnecel maximaliseert de absorptie van fotonen en minimaliseert daarmee reflectie.

4.7.

Het actieve deel van een zonnecel is een
wafer(een dunne plak) van halfgeleidermateriaal die fungeert als substraat. Een halfgeleider is een materiaal dat elektrische stroom kan geleiden. Het werkelijke geleidingsvermogen van een halfgeleider hangt in de regel af van een aantal omstandigheden, waaronder met name dotering, temperatuur en foto-excitatie. Het halfgeleidermateriaal dat het meest wordt gebruikt voor zonnecellen is silicium (in het Engels "silicon") in de vorm van kristallijnsilicium (c-Si), dat hierna wordt aangeduid als siliciumsubstraat.

4.8.

Siliciumatomen hebben vier valentie-elektronen (elektronen die een binding met een ander atoom kunnen aangaan) die zich bevinden in de valentieband rond de kern van het atoom. In intrinsiek silicium (onbewerkt silicium) vormen de siliciumatomen vier verbindingen met de naburige siliciumatomen door de vier valentie-elektronen te delen. De siliciumatomen vormen daarmee een regelmatig patroon en maken zo deel uit van een kristalrooster (siliciumrooster).

4.9.

De absorptie van fotonen in een zonnecel leidt tot de verhuizing van een valentie-elektron (van het siliciumatoom) van de valentieband naar de zogenaamde geleidingsband; dat proces heet ‘foto-excitatie’. Hierdoor komt het geëxciteerde elektron (met een negatieve lading) vrij en blijft er een gebied met positieve lading – een ‘elektron gat’ of kortweg
‘gat’ – over op de plaats (in de valentieband) waar het (negatief geladen) elektron zich eerst bevond. Er ontstaat derhalve een ‘elektron-gat-paar’ (d.w.z. een ladingsdragerpaar omvattende een gat en een elektron). De negatief geladen elektronen en de positief geladen gaten kunnen zich vervolgens door het kristalrooster verplaatsen.

4.10.

Een zonnecel heeft twee metalen contacten (uitgangen/elektroden): een P-contact en een N-contact. Het P-contact moet de positief geladen gaten aantrekken, terwijl het
N-contact juist de negatief geladen elektronen zal aantrekken. Door het P-contact en het
N-contact door een draad met elkaar te verbinden komt een ‘stroom’ van elektronen op gang die vanuit het N-contact richting (de gaten aan de zijde van) het P-contact bewegen. Als de elektronen via dat externe circuit het P-contact bereiken, "vullen” zij een (daar aanwezig) gat. Elektronenstroom is elektrische stroom, die kan worden gebruikt om bijvoorbeeld een elektromotor die in het externe circuit is opgenomen, van elektriciteit te voorzien.

4.11.

In intrinsiek silicium zijn ‘vrije’ elektronen en gaten (elektronen en gaten die – als gevolg van foto-excitatie – vrij rond bewegen in het silliciumrooster) aanwezig in gelijke aantallen. Hoe meer vrije elektronen of gaten aanwezig zijn, hoe hoger de geleidbaarheid van het silicium.

4.12.

De geleidbaarheid van het siliciumsubstraat kan worden verhoogd door het opzettelijk toevoegen van onzuiverheden (
impurities) aan het siliciumrooster. Waar siliciumatomen vier valentie-elektronen hebben, hebben onzuiverheden ofwel één
valentie-elektron meer dan siliciumatomen (bijvoorbeeld fosforatomen: vijf valentie-elektronen) ofwel één minder (bijvoorbeeld booratomen: drie valentie-elektronen).

4.13.

Als bijvoorbeeld een siliciumatoom wordt gesubstitueerd (vervangen) door een fosforatoom (met vijf valentie-elektronen), zal het fosforatoom vier bindingen vormen door vier elektronen te delen met de naburige siliciumatomen (zoals te zien is in de hieronder weergegeven afbeelding). De thermische energie van het kristal is bij kamertemperatuur groot genoeg om het losjes gebonden vijfde valentie-elektron te verhuizen naar de geleidingsband, waardoor het vrij kan bewegen. Dit elektron wordt dan een vrij (ook wel mobiel) elektron genoemd. Doordat het elektron vrijkomt, is het aantal mobiele elektronen in het siliciumsubstraat verhoogd, en neemt derhalve de geleidbaarheid toe. Op dezelfde manier zal de substitutie van een siliciumatoom door bijvoorbeeld een booratoom (met drie valentie-elektronen) resulteren in een ontbrekend elektron (zie hieronder weergegeven in de afbeelding). Hierdoor komt er een gat vrij in het siliciumrooster, dat zich in de valentieband bevindt. Ook het gat kan zich – doordat het opgevuld wordt door een valentie-elektron van een ander, naastgelegen atoom – ‘verplaatsen’ in het kristalrooster en zo bijdragen aan elektrische geleiding.

4.14.

Het proces waarbij onzuiverheden opzettelijk worden gesubstitueerd in het siliciumrooster (dat wil zeggen dat zij de plaats innemen van een siliciumatoom in het kristalrooster), waardoor er meer elektronen in de geleidingsband en/of gaten in de valentieband komen en de geleidbaarheid van het substraat dus wordt verhoogd, wordt ‘doteren’ of ‘dotering’ (in het Engels ‘
doping’) genoemd. Als dit proces is uitgevoerd op het siliciumsubstraat, is het siliciumsubstraat gedoteerd (of in het Engels:
doped).

4.15.

Dotering moet onderscheiden worden van de loutere aanwezigheid van onzuiverheden in zogenaamde interstitiële posities (dat wil zeggen posities die zich niet in het kristalrooster bevinden). Dergelijke onzuiverheden (buiten het kristalrooster) leveren geen mobiele elektronen en gaten op in het kristalrooster en beïnvloeden de geleidbaarheid van het substraat daardoor niet. Bij het toevoegen van onzuiverheden die zich slechts in genoemde interstitiële posities bevinden, wordt niet van dotering gesproken.

4.16.

Onzuiverheden kunnen echter van interstitiële positie naar substitutionele posities (binnen het kristalrooster) bewegen door ‘activatie’. Voor de activatie van onzuiverheden kunnen verschillende techieken worden gebruikt. Een voorbeeld van een bekende techniek is gloeien (
annealing, een warmtebehandelingsproces) bij verhoogde temperaturen, waardoor onzuiverheden in staat worden gesteld substitutionele posities in te nemen.

4.17.

De atomen die kunnen worden gebruikt om onzuiverheden (in substitutionele posities) te creëren (het doteren), worden ook wel doteringsmiddelen (
dopants) genoemd. Atomen met vijf valentie-elektronen (bijvoorbeeld fosfor) worden ook wel N-type doteringsmiddelen genoemd, en atomen met drie valentie-elektronen (bijvoorbeeld boor) worden ook wel P-type doteringsmiddelen genoemd. Als silicium wordt gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, kan dit vervolgens worden aangeduid als N-type gedoteerd silicium. Hetzelfde geldt voor silicium dat wordt gedoteerd met een P-type doteringsmiddel; dat krijgt de aanduiding P-type gedoteerd silicium. Een siliciumsubstraat kan homogeen gedoteerd zijn. Er kan echter ook slechts een zone in het siliciumsubstraat gedoteerd zijn. Dit wordt dan een gedoteerde zone of een gedoteerd gebied genoemd.

4.18.

Het siliciumsubstraat in een zonnecel omvat in de regel (in ieder geval) twee zones: (a) een ‘N-type gedoteerde zone’ en (b) een ‘P-type gedoteerde zone’.

4.19.

Indien door het licht losgemaakte elektronen (die zich dan in de geleidingsband bevinden) en gaten (in de valentieband) elkaar binnen het siliciumsubstraat ontmoeten, worden deze weer met elkaar gecombineerd; het elektron valt terug in de valentieband en neemt zo een vaste plek in het kristalrooster in. Dit proces wordt ‘recombinatie’ genoemd. Elke keer dat een elektron-gat-paar recombineert, gaan ladingsdragers voor de geleiding van de opgewekte stroom verloren, waardoor de efficiëntie van de zonnecel wordt verminderd. Het rendement van een zonnecel kan sterk afnemen door recombinatie van vrijgekomen elektronen en gaten. Recombinatie vindt met name plaats aan het oppervlak van het siliciumsubstraat. Dit effect wordt ook wel oppervlakterecombinatie (‘
surface recombination’) genoemd.

4.20.

Zoals hiervoor genoemd, zijn de siliciumatomen in het siliciumsubstraat geordend in een kristalstructuur, waarbij ieder siliciumatoom is verbonden met vier andere siliciumatomen. Aan het oppervlak van het substraat zijn er minder (naastgelegen) atomen om aan te binden, waardoor er vrije valentie-elektronen (“
dangling bonds”) ontstaan (zoals ook te zien is in de afbeelding hierboven). Vanwege de aanwezigheid van die vrije
valentie-elektronen is er een hoge dichtheid van onzuiverheden (“
surface states”) aan het oppervlak van het substraat. Hierdoor is de recombinatiesnelheid hoger aan de oppervlakte van een substraat. De oppervlakte is dan ook de belangrijkste bron van ongewenste recombinatie in een zonnecel.

4.21.

Het tegengaan van recombinatie wordt ook wel passivering (of passivatie) genoemd. Er zijn twee fundamenteel verschillende technologische mogelijkheden om de recombinatie aan een halfgeleideroppervlak tegen te gaan:

(i) de reductie van de dichtheid van onzuiverheden aan de oppervlakte; en

(ii) de vermindering van de concentratie van één ladingsdrager-type (een elektron of een gat) aan de oppervlakte.

In elke kristallijnsiliciumzonnecel wordt gebruik gemaakt van een of meer methoden van oppervlaktepassivering gebaseerd op één van deze technieken.

4.22.

Om de dichtheid van defecten zoveel mogelijk te reduceren (de hiervoor in 4.21 onder (i) omschreven techniek), wordt er bij een typisch zonnecelontwerp gebruik gemaakt van zogenoemde passiveringslagen. Dit kan bijvoorbeeld door een (dunne) laag (
film)
niet-geleidend (of ‘diëlektrisch’) materiaal bovenop de oppervlakte van het kristallijnsilicium aan te brengen of te laten ‘groeien’. Hierdoor wordt recombinatie aan het oppervlak tegengegaan. De standaardmethode voor het passiveren van siliciumoppervlakten is het aanbrengen van thermisch gegroeide siliciumdioxide (SiO2). Ook siliciumnitride kan worden gebruikt als passiveringslaag.

4.23.

Aangezien bij het recombinatieproces één elektron en één gat betrokken zijn, kan oppervlakte-recombinatie ook worden tegengegaan door te bewerkstelligen dat de concentratie van één ladingsdragertype (elektronen of gaten) aan de oppervlakte verminderd wordt (de hiervoor in 4.21 onder (ii) omschreven techniek). Omdat elektronen en gaten elektrisch geladen zijn, kan de vermindering van de oppervlakteconcentratie van één ladingsdragertype gerealiseerd worden door het vormen van een intern elektrisch veld onder het halfgeleideroppervlak. Er bestaan twee verschillende technieken voor het vormen van een dergelijk intern elektrisch veld onder het halfgeleideroppervlak:

a. het doteren van een gebied in een siliciumsubstraat onder de oppervlakte, en;

b. het aanbrengen van een isolator met een ingebouwde elektrische lading.

4.24.

Bij de hiervoor onder a. omschreven techniek wordt een intern elektrisch veld onder het halfgeleideroppervlak gevormd door het vormen van een gedoteerde zone onder het oppervlak van het siliciumsubstraat. Deze gedoteerde zone wordt gevormd naast de al aanwezige homogene dotering van een P- of N-type siliciumsubstraat. Zo kan bijvoorbeeld een sterker gedoteerde zone van dezelfde geleiding als een N- of P-type silicium substraat worden gevormd in het substraat aan de achterzijde. Bij een N-type gedoteerd siliciumsubstraat is deze sterker gedoteerde zone gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, en bij een P-type siliciumsubstraat is de zone gedoteerd met een P-type doteringsmiddel. De overgang tussen het N- of P-type siliciumsubstraat en de gedoteerde zone kan dan een zogenaamde ‘
high-low junction’ vormen. Wanneer die
junctionaan de zijde van de zonnecel aanwezig is waar het zonlicht niet op valt dan wordt dat een
back surface field(BSF) genoemd.

4.25.

Of een
high-low junctionontstaat door de gedoteerde zone hangt af van een aantal factoren, bijvoorbeeld of de doteringsconcentratie aan de oppervlakte hoog (
high) genoeg is ten opzichte van de doteringsconcentratie van het homogeen gedoteerde P- of N-type siliciumsubstraat (
low). Niet elke (triviale) doteringsconcentratie leidt tot een voldoende sterk elektrisch veld dat passivatie kan veroorzaken.

4.26.

Het interne elektrische veld dat geassocieerd wordt met een
high-low junctionzorgt (als het elektrische veld sterk genoeg is) voor accumulatie (ophoping) van meerderheidsdragers (dat wil zeggen het ladingsdragertype dat in de meerderheid is; bij een N-type siliciumsubstraat zijn elektronen de meerderheidsdragers) aan de oppervlakte aan de achterzijde van het siliciumsubstraat, en maakt het moeilijk voor minderheidsdragers (dat wil zeggen het ladingsdragertype dat in de minderheid is; bij een N-type siliciumsubstraat zijn gaten de minderheidsdragers) die gegenereerd worden binnen het siliciumsubstraat om naar het oppervlak aan de achterzijde van het siliciumsubstraat te stromen. De concentratie van minderheidsdragers aan het oppervlak aan de achterzijde van het siliciumsubstraat wordt hierdoor verminderd, waardoor (de mogelijkheid tot) oppervlakterecombinatie afneemt.

4.27.

De andere, in 4.23 onder b. omschreven techniek voor het verminderen van de concentratie van één ladingsdragertype aan de oppervlakte van het siliciumsubstraat, is het aanbrengen van een isolator op dat substraat (zoals een diëlektrische laag) met een ‘ingebouwde’ elektrische lading. De positieve of negatieve elektrische lading van de isolator veroorzaakt een scheiding van elektronen en gaten in het siliciumsubstraat onder de oppervlakte. Zo trekt bijvoorbeeld een positieve lading van de isolator negatief geladen elektronen aan, hetgeen resulteert in accumulatie van elektronen aan de oppervlakte. Positief geladen gaten worden juist afgestoten. Zo wordt (de mogelijkheid tot) oppervlakterecombinatie verminderd.

4.28.

Op de eerste prioriteitsdatum was algemene vakkennis dat de hiervoor onder 4.21 onder (i) en (ii) weergegeven technieken voor oppervlaktepassivering vaak in combinatie (met elkaar) worden toegepast in kristallijnsiliciumzonnecellen. Op die manier wordt oppervlakterecombinatie zoveel mogelijk tegengegaan en wordt efficiëntieverlies beperkt.

Gemiddelde vakpersoon

4.29.

De gemiddelde vakpersoon voor dit octrooi is door geen van partijen gedefinieerd. De voorzieningenrechter gaat uit van een gemiddelde vakpersoon die een ingenieursopleiding heeft doorlopen of een gevorderde graad heeft in de elektrotechniek, technische natuurkunde, scheikunde of materiaalkunde en ten minste 5 jaar ervaring heeft op het gebied van het ontwerpen, vervaardigen en ontwikkelen van zonnecellen.

Conclusiekenmerken

4.30.

Partijen verdelen onafhankelijke conclusie 1 van EP 788 in de volgende kenmerken, welke onderverdeling de voorzieningenrechter volgt:

1.1

A solar cell structure comprising:

1.2

a P-type doped region (101, 301) and an N-type doped region (102, 302)

1.2.1

formed on a backside 106, 306) of a silicon substrate (103, 303),

1.2.2

the P-type doped region and the N-type doped region comprising polysilicon,

1.2.3

each of the P-type and N-type doped regions being formed over a first dielectric layer (113, 313),

1.3

the substrate comprising an N-type or P-type silicon wafer;

1.4

a trench structure (104, 304) separating the P-type doped region (101, 301) and the N-type doped region (102, 302); and

characterized by

1.4.1

a diffused passivation region (112, 312, 315) in the substrate (103, 303) under the trench (104, 304), and

1.4.2

the passivation region is doped with an N-type dopant when the substrate comprises N-type silicon wafer.

4.31.

Bij de hiervoor gegeven kenmerkindeling van conclusie 1 zij aangetekend dat AIKO c.s. de laatste twee kenmerken (na
characterized by) die Maxeon, zoals hierboven overgenomen, aanduidt als kenmerk 1.4.1 en 1.4.2, heeft vernummerd tot 1.5 en 1.5.1, omdat die kenmerken volgens haar geen sub-kenmerken van kenmerk 1.4 zijn. Wat daar verder ook van zij, de voorzieningenrechter ziet bij gebreke van een nadere toelichting, in de door partijen gehanteerde (afwijkende) nummering van de laatste twee kenmerken geen voor de in dit geval te maken beoordeling relevant verschil.

4.32.

Voor onafhankelijke conclusie 9 van EP 788 zal de voorzieningenrechter, in navolging van partijen, de volgende kenmerkindeling hanteren:

9.1

A method of fabricating a solar cell, the method comprising:

forming a first dielectric layer (113, 313) on solar cell substrate (103, 303); forming a P-type doped region (101, 301) and an N-type doped region (102, 302) on a backside (106, 306) of the solar cell substrate (103, 303), the P-type and N-type doped regions being over the first dielectric layer (113, 313), the backside being opposite a front side (105, 305) of the solar cell that faces the sun during normal operation, the substrate comprising an N-type or P-type silicon wafer;

9.2

forming a trench (104, 304) separating the P-type doped region (101, 301) and the N-type doped region (102, 302); depositing a second dielectric layer (107, 307) in the trench; and

9.3

forming a diffused passivation region (112, 312, 315) in the substrate (103, 303) under the trench (104, 304), and the passivation region is doped with an N-type dopant when the substrate comprises N-type silicon wafer.

Inbreuk

4.33.

De voorzieningenrechter laat in het midden het antwoord op de door AIKO c.s. opgeworpen vraag of (de conclusies 1 en 9 van) EP 788 voorshands ongeldig moet(en) worden geacht (omdat (die conclusies van) het octrooi toegevoegde materie zou(den) bevatten, althans niet inventief en/of nawerkbaar zou(den) zijn), zoals AIKO c.s. omstandig heeft aangevoerd.

4.34.

De beweerdelijke uitvindingsgedachte van EP 788 in oorspronkelijke vorm zag volgens AIKO c.s. op het fysiek scheiden van twee N- en P-type gedoteerde gebieden door middel van een groefstructuur die recombinatie beoogt te voorkomen, waardoor de efficiëntie van de zonnecel wordt verhoogd. Dit stuitte echter op nieuwheids- en inventiviteitsbezwaren van de
Examinervan het EOB, waarna het octrooi vervolgens is toegeschreven op het kenmerk van een
‘diffused passivation region’onder de groef, aldus nog steeds AIKO c.s., en, na aanpassing van de conclusies aan nog enkele duidelijkheidsbezwaren van de
Examiner, vervolgens is verleend. Deze gang van zaken is door Maxeon niet weersproken. Hoe dit ook zij, als er met Maxeon al van uit zou worden gegaan dat het octrooi geldig is, komt de voorzieningenrechter tot de conclusie dat in deze procedure niet voldoende aannemelijk is gemaakt dat de Aiko-panelen onder de beschermingsomvang van EP 788 vallen, zodat de vorderingen van Maxeon om die reden al niet voor toewijzing in aanmerking komen. Dat wordt als volgt toegelicht.

4.35.

Over de vraag wanneer sprake is van inbreuk, bestaat de nodige rechtspraak. De voorzieningenrechter zal in dit kort geding uitgaan van de criteria die door het gerechtshof te Den Haag zijn ontwikkeld.^[6]

4.35.1.

Artikel 69 lid 1 EOV^[7]houdt in dat de beschermingsomvang van een octrooi wordt bepaald door de conclusies van het octrooischrift, waarbij de beschrijving en de tekeningen dienen tot uitleg van die conclusies.

4.35.2.

Artikel 1 van het bij artikel 69 EOV behorende uitlegprotocol (hierna: het Protocol) luidt:

Artikel 69 mag niet worden uitgelegd in de zin als zou de beschermingsomvang van het Europees octrooi worden bepaald door de letterlijke tekst van de conclusies en als zouden de beschrijving en de tekeningen alleen maar mogen dienen om de onduidelijkheden welke in de conclusies zouden kunnen voorkomen op te heffen. Het mag evenmin worden uitgelegd in die zin, als zouden de conclusies alleen als richtlijn dienen en als zou de bescherming zich ook mogen uitstrekken tot datgene wat de octrooihouder, naar het oordeel van de deskundige die de beschrijving en de tekeningen bestudeert, heeft willen beschermen. De uitleg moet daarentegen tussen deze twee uitersten het midden houden, waarbij zowel een redelijke bescherming aan de aanvrager als een redelijke rechtszekerheid aan derden wordt geboden.

4.35.3.

Bij de toepassing van artikel 69 EOV en het Protocol zal de voorzieningenrechter de zogenaamde twee-stappen benadering hanteren.

4.35.4.

De
eerste stapvan die benadering wordt wel aangeduid als de beoordeling van ‘letterlijke inbreuk’. In die stap wordt aan de hand van een uitleg van de octrooiconclusie bepaald of het product of de werkwijze van een derde voldoet aan alle kenmerken van die octrooiconclusie. Met die uitleg wordt niet gedoeld op het in artikel 1 van het Protocol bedoelde uiterste waarbij de beschermingsomvang van het Europees octrooi strikt wordt bepaald door de letterlijke tekst van de conclusie, maar op een uitleg van de octrooiconclusies in het licht van onder meer de beschrijving en tekeningen vanuit het perspectief van de gemiddelde vakpersoon met zijn kennis van de stand van de techniek (artikel 69 lid 1 EOV en het midden van artikel 1 van het Protocol). Bij die uitleg kunnen diverse gezichtspunten een rol spelen.

4.35.5.

Als de octrooiconclusie niet zo kan worden uitgelegd dat alle kenmerken daarvan ‘letterlijk’ terugkomen in het product of de werkwijze, wordt in een
tweede stapbepaald of het element dat afwijkt van een in de conclusie opgenomen kenmerk equivalent is aan dat kenmerk en of het passend is om het product of de werkwijze om die reden toch onder de beschermingsomvang van het octrooi te laten vallen. Bij de tweede stap gaat het om de vraag of in de perceptie van de gemiddelde vakpersoon de conclusies, gelezen in het licht van de beschrijving en de tekeningen, ruimte laten voor equivalenten, gelet op enerzijds een billijke bescherming van de octrooihouder en anderzijds een redelijke mate van rechtszekerheid voor derden.^[8]

4.36.

Partijen twisten onder meer over de vraag of de Aiko-panelen en het fabricageproces van die panelen voldoen aan de hiervoor onder 4.30 respectievelijk 4.32 genoemde kenmerken 1.4.1 en 1.4.2 respectievelijk kenmerk 9.3 van conclusie 1 respectievelijk conclusie 9 van EP 788.

4.37.

Ter onderbouwing van haar stelling dat de Aiko-panelen aan genoemde kenmerken voldoen, beroept Maxeon zich in de kern op het hiervoor onder 3.2 genoemde Exponent-rapport. In dat rapport worden de resultaten van een zogenaamd ToF-SIMS onderzoek (
Time-of-Flight-Secondary Ion Mass Spectroscopy) getoond. Volgens Maxeon wordt daarmee geïllustreerd dat fosfor (dat wil zeggen N-type doteringsmiddel) aanwezig is in het siliciumsubstraat onder de groef. De structuur van de dotering onder de groef toont aan dat de fosforconcentratie het hoogst is aan het oppervlak van het substraat en afneemt met toenemende diepte vanaf het substraatoppervlak. Die (afnemende) fosforconcentratie duidt op de aanwezigheid van een gediffundeerde passivatiezone, aldus Maxeon. Dat betekent volgens haar tevens dat de Aiko-panelen direct verkregen producten zijn van de werkwijze van conclusie 9.

4.38.

AIKO c.s. betwist dat in de Aiko-panelen onder de groef een ‘gediffundeerde passivatiezone’ aanwezig is die is gedoteerd met fosforatomen, meer in het bijzonder dat sprake is van enige dotering uitgaande boven de homogene dotering van het substraat onder de groef.

4.38.1.

Daartoe heeft AIKO c.s. erop gewezen dat EP 788 in paragraaf [0030] in het kader van het tweede groefformatieproces beschrijft dat tijdens een
thermal drive-in stepN-type doteringsmiddelen kunnen worden gediffundeerd in het substraat onder de groef, waardoor een passivatiezone wordt gevormd. Daarbij wordt beschreven dat de passivatiezone in een uitvoeringsvoorbeeld wordt gevormd door fosfor chlorideoxide te introduceren in de diffusieoven tijdens de
thermal drive-in step. Dit is geïllustreerd in Fig. 7B-8B van het octrooi, hiervoor onder 2.10 weergegeven, waarbij het gediffundeerde gebied is aangegeven met verwijzingsnummer 315. Volgens AIKO c.s. begrijpt de gemiddelde vakpersoon daaruit – en gelet op zijn algemene vakkennis – dat het begrip ‘
diffused’ (gediffundeerd) in kenmerk 1.4.1 inhoudt dat doteringsmiddelen (zoals bijvoorbeeld N-type doteringsmiddelen) worden geïntroduceerd in het substraat onder de groef, door middel van diffusie. Het begrip ‘
passivation’ (passivatie) is voor de gemiddelde vakpersoon bekend op basis van zijn algemene vakkennis als een techniek die wordt gebruikt voor het voorkomen van oppervlakterecombinatie. Door oppervlakterecombinatie te voorkomen kan de efficiëntie van een zonnecel worden verhoogd (zie hiervoor onder 4.19 e.v.). De gemiddelde vakpersoon zou dus begrijpen dat het begrip ‘
passivation’ ziet op de technische functie van kenmerk 1.4.1, namelijk het voorkomen van oppervlakterecombinatie. Nu uit het octrooi blijkt dat de
passivation regionwordt gevormd met het doel “
to isolate trench material from the bulk of the substrate” (par. [0036]) en dat deze zone wordt gevormd door het diffunderen van (N-type) doteringsmiddelen in het substraat onder de groef (par. [0030]), begrijpt de gemiddelde vakpersoon op basis van zijn algemene vakkennis dat kenmerk 1.4.1 doelt op oppervlaktepassivering door het vormen van een intern elektrisch veld in het substraat waarmee de concentratie van één type ladingsdrager aan de oppervlakte (onder de groef) wordt verminderd, zoals hiervoor omschreven onder 4.21 onder (ii), meer specifiek door het aanbrengen van doteringsmiddelen (in een laag) in het substraat (onder de groef) door middel van diffusie, zoals hiervoor bedoeld onder 4.23 onder a (en nader omschreven onder 4.24, 4.25 en 4.26). Kortom, de gemiddelde vakpersoon zou op basis van zijn algemene vakkennis weten dat kenmerk 1.4.1 moet worden uitgelegd als het vormen van een
high-low junctiondie ontstaat door doteren met een N-type doteringsmiddel van een zone dichtbij de oppervlakte in een N-type siliciumsubstraat waarbij de doteringsconcentratie zo is dat er een intern elektrische veld (de
high-low junction) ontstaat dat de concentratie minderheidsdragers, in dat geval gaten, aan de oppervlakte vermindert en aldus oppervlakterecombinatie voorkomt, aldus AIKO c.s.

4.38.2.

Vervolgens heeft AIKO c.s. betoogd dat de door Maxeon aan haar inbreukbetoog ten grondslag gelegde SIMS-meting^[9]niet kan aantonen dat in de Aiko-panelen sprake zou zijn van een ‘gediffundeerde passivatiezone die is gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, in het substraat onder de groef’. In dat verband voert zij ten eerste aan dat een SIMS-test daarvoor niet geschikt is; die test kan slechts de aanwezigheid van (in dit geval: fosfor-) atomen vaststellen, hetgeen een noodzakelijk, maar geenszins voldoende voorwaarde voor de aanwezigheid van de kenmerken 1.4.1 en 1.4.2 is, maar niet of het substraat gedoteerd is en de atomen door middel van diffusie zijn aangebracht, welke lezing volgens haar door de eigen deskundige van Maxeon, professor Celano^[10], wordt bevestigd.

4.38.3.

In de tweede plaats betoogt AIKO c.s., ondersteund door de verklaring van haar deskundige professor Kessels^[11], dat de gemeten fosfor-concentratie als weergegeven in het Exponent SIMS-rapport onjuist is en het gevolg van aanzienlijke analytische gebreken. In dit verband voert zij aan dat het ruwe oppervlak van de geteste groef ertoe leidt dat oppervlaktecontaminatie wordt “uitgesmeerd”.

4.38.4.

AIKO c.s. betwist ook dat van een verhoogde fosforconcentratie in het substraat onder de groef sprake is. Daartoe heeft zij door SGS Fresenius Institut een eigen
SIMS-rapport laten opstellen^[12]waarin een SIMS-meting vanaf de voorkant van het paneel (zonkant / andere zijde dan de zijde waar de groef aanwezig is) van het substraat is uitgevoerd (en waardoor het probleem dat door de groef en de N- en P-gedoteerde gebieden, de contacten heen moet worden gegaan, met risico’s van contaminatie etc., niet ontstaat), en waaruit van een verhoogde concentratie fosfor, niet blijkt.

4.38.5.

AIKO c.s. heeft bovendien nog een, ook door SGS Fresenius Institut opgesteld, rapport overgelegd, waarin (de resultaten van) een SRP-meting (‘
Spreading Resistance Profiling’) (zijn) is weergegeven.^[13]Een SRP-meting, waarmee de geleidbaarheid wordt gemeten, is immers wel geschikt om dotering vast te stellen, maar uit dit rapport, aldus nog steeds AIKO c.s., volgt dat van (aanvullende) dotering met een N-typedoteringsmiddel in het substraat onder de groef in de Aiko-panelen geen sprake is; de daar gemeten geleiding is niet anders dan in het substraat.

4.38.6.

Tot slot heeft AIKO c.s. met referte aan een overgelegde verklaring over het fabricageproces van de Aiko-panelen, uiteengezet dat zij in de Aiko-panelen gebruikmaakt van een andere maatregel voor passivatie, te weten een negatief geladen diëlektrische laag (zoals hiervoor onder 4.27 omschreven). Onder verwijzing naar de overgelegde verklaring van haar deskundige professor Kessels^[14], heeft AIKO c.s. gesteld dat het technisch onzinnig is om een N-type gedoteerde passivatiezone in het substraat onder de groef aan te brengen, omdat die zone slechts afbreuk zou doen aan de passivatie die wordt veroorzaakt door die aangebrachte diëlektrische laag die een ingebouwde negatieve lading heeft.

4.39.

Naar het oordeel van de voorzieningenrechter heeft Maxeon haar bij dagvaarding ingenomen, summiere, stellingen ter zake – in het licht van de hiervoor weergegeven, uitvoerig gemotiveerde betwisting door AIKO c.s. – onvoldoende nader onderbouwd en daardoor niet, althans onvoldoende, aannemelijk gemaakt dat de Aiko-panelen beschikken over een gediffundeerde passivatiezone in het substraat onder de groef die is gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, terwijl deze kortgedingprocedure zich niet leent voor (nadere) bewijslevering op dit punt. Daarbij stelt de voorzieningenrechter voorop dat Maxeon de door AIKO c.s. gegeven uitleg van de kenmerken 1.4.1 en 1.4.2 (met name het begrip ‘gediffundeerde passivatiezone’, zoals hiervoor onder 4.38.1 weergegeven) niet of onvoldoende heeft bestreden. Gelet op die uitleg had het naar het oordeel van de voorzieningenrechter op de weg van Maxeon gelegen om al bij dagvaarding – door middel van ter zake relevante en concludente rapporten en deskundigenverklaringen – aannemelijk te maken dat aan alle elementen uit genoemde kenmerken wordt voldaan. Het lijdt weinig twijfel dat Maxeon daar niet voor heeft gekozen, maar eerst het (inhoudelijke) verweer van AIKO c.s. heeft afgewacht, daarmee haar kruit droog houdende en ertoe leidend dat het debat pas zeer kort voor of – in dit geval – ten tijde van de mondelinge behandeling (alleen nog bedoeld voor re- en dupliek en vragen van de voorzieningenrechter) tot ‘volle’ wasdom zou komen. In dat verband acht de voorzieningenrechter illustratief dat Maxeon eerst tegelijk met de ingediende schriftelijke pleitnotities het als tardief beoordeelde (en daarom geweigerde) rapport van een door Exponent uitgevoerde zogenaamde
micro-hall-meting als productie EP26 heeft willen overleggen, daarmee toen pas reagerend op de stelling van AIKO c.s. dat in haar panelen geen sprake is van een dotering met fosfor in het substraat onder de groef, terwijl het SRP-testrapport van SGS Fresenius Institut bij de op voorhand genomen conclusie van antwoord eind februari 2024 is overgelegd.

Bij akte houdende overlegging reactieve producties heeft Maxeon nog wel tijdig een aanvullend rapport van Exponent en een tweetal deskundigenverklaringen overgelegd. Dat aanvullend rapport gaat echter hoofdzakelijk weer over de SIMS-metingen (met een reactie op de kritiek van AIKO c.s. op het Exponent-rapport, de eigen kritiek van Maxeon op de door SGS Fresenius Institut uitgevoerde SIMS-meting en korte kritiek op de door AIKO c.s. overgelegde SRP-meting van hetzelfde onderzoeksinstituut) en komt – gechargeerd
gezegd – niet veel verder dan twijfel zaaien over de betrouwbaarheid van de rapporten van AIKO c.s. Veelzeggend in dat verband is dat Maxeon er niet voor heeft gekozen een eigen SRP-rapport over te leggen (ter weerlegging van de uitkomsten zoals opgenomen in het door AIKO c.s. overgelegde SRP-rapport van SGS Fresenius Institut). Bovendien zijn de door Maxeon overgelegde deskundigenverklaringen in reactie op de door (de deskundigen van) AIKO c.s. geuite kritiek op het Exponent-rapport, in het bijzonder de daarin beschreven SIMS-meting, niet concludent:

- dr. Hermle over de SIMS-meting van SGS Fresenius Institut^[15]: “
It is my view that the presented measurement methodology of the SGS Report cannot rule out the presence of a phosphorus profile in the trench”;

- professor Celano^[16]: “
SIMS is a primary compositional analysis technique, thus it does not have the ability to estimate quantitatively the activated carrier, i.e. the fraction of dopants atoms that are incorporated into the Si lattice and do contribute to modify its conductive properties(…)
I see no convincing reason why these dopants would not be activated in a crystalline silicon solar cell”.

Tegenover die verklaringen heeft AIKO c.s. (andersluidende) deskundigenverklaringen en een reactie van SGS Fresenius Institut gesteld. Bij die stand van zaken kan de voorzieningenrechter in dit geding, zonder nadere bewijslevering waartoe het bestek van een kort geding zich niet leent, niet aannemelijk achten dat de Aiko-panelen en het fabricageproces, i.e. de werkwijze van conclusie 9, voldoen aan de conclusiekenmerken 1.4.1 en 1.4.2 respectievelijk 9.3. Dat AIKO c.s. met de verhandeling van de Aiko-panelen letterlijk inbreuk maakt op conclusies 1 of 9 van EP 788 of op één van de daarvan afhankelijke overige conclusies van EP 788, is dan ook niet althans onvoldoende aannemelijk gemaakt. Dat sprake zou zijn van inbreuk bij wege van equivalentie, heeft Maxeon niet gesteld, laat staan toegelicht, zodat de voorzieningenrechter die vraag (en dus de hiervoor onder 4.35.5 genoemde ‘tweede stap’) verder onbeoordeeld kan laten.

4.40.

Gelet op hetgeen hiervoor is overwogen valt, zonder nadere toelichting, die ontbreekt, evenmin in te zien dat en waarom AIKO c.s. onrechtmatig jegens Maxeon zou handelen, zodat die grondslag de vorderingen ook niet kan dragen.

Vorderingen

4.41.

Dat betekent dat de vorderingen van Maxeon zullen worden afgewezen.

4.42.

Maxeon zal als de in het ongelijk gestelde partij worden veroordeeld in de op de voet van artikel 1019h Rv te begroten proceskosten aan de zijde van AIKO c.s. Eironn heeft daartoe een – onbestreden – proceskostenspecificatie overgelegd, die sluit op een bedrag van € 538.590,26, waarvan € 448.031,- aan salaris advocaat, € 425,24 aan verschotten en € 90.134,02 aan deskundigenkosten. VDH en Libra hebben hun proceskosten gespecificeerd op € 64.949,10 (salaris advocaat en € 300,10 aan verschotten).

4.43.

Om de redelijkheid en evenredigheid van de gevorderde advocaatkosten te kunnen beoordelen, pleegt de voorzieningenrechter, conform de door de Hoge Raad gegeven regels, aansluiting te zoeken bij de toepasselijke Indicatietarieven in octrooizaken (versie 1 september 2020). De voorzieningenrechter is van oordeel dat in dit geval sprake is van een ‘zeer complex kort geding’ waarvoor, volgens genoemde indicatietarieven, een maximum geldt van € 120.000,-. Daarbij is gelet op de in punt 8 onder a van de Indicatietarieven genoemde criteria. In dit geval is in het bijzonder relevant de omvang van het verweer, het aantal relevante producties, met name de technische rapportages die AIKO c.s. ter onderbouwing van haar verweer heeft laten maken en het financiële belang van de zaak, daarbij ook in aanmerking genomen de proceskostenopgave aan de zijde van Maxeon.

4.44.

De Indicatietarieven betreffen uitsluitend de werkzaamheden van de advocaat/advocaten. Nu de door VDH en Libra gevorderde advocaatkosten (ruimschoots) onder het voor een ‘zeer complex’ kort geding geldende maximum blijven, zal het door hen gevorderde bedrag van € 64.649,00 volledig worden toegewezen.

4.45.

Voor de door Eironn gemaakte advocaatkosten geldt niet dat zij onder het hiervoor genoemde maximum blijven. De voorzieningenrechter ziet echter geen aanleiding om, nu de zaak is ingedeeld in de hoogste categorie, van de indicatietarieven af te wijken. Met die indeling is er ook sprake van een voldoende en significant en passend deel van de redelijke kosten dat voor vergoeding in aanmerking komt. De advocaatkosten van Eironn worden aldus begroot op een bedrag van € 120.000,-.

4.46.

De aan VDH en Libra en aan Eironn toe te wijzen bedragen zullen worden vermeerderd met het door hen betaalde griffierecht van € 688,-, de – onbestreden – gevorderde verschotten van € 300,10 (VDH en Libra) respectievelijk € 425,24 (Eironn) en de nakosten van € 178,- (plus de verhoging zoals vermeld in de beslissing). Verder zullen aan Eironn de door haar gevorderde en door Maxeon onbestreden gelaten deskundigenkosten van € 90.134,02 worden toegewezen.

4.47.

Het totaalbedrag aan toe te wijzen proceskosten aan de zijde van VDH en Libra komt daarmee op € 65.815,10. Aan de zijde van Eironn komt het totaalbedrag op € 211.425,26. De (enkel) door Eironn gevorderde wettelijke rente over de proceskosten zal worden toegewezen zoals vermeld in de beslissing.

4.48.

Nu dat door zowel Eironn als VDH en Libra onbestreden is gevorderd, zullen de proceskostenveroordelingen uitvoerbaar bij voorraad worden verklaard.

5. De beslissing

De voorzieningenrechter

5.1.

wijst de vorderingen van Maxeon af,

5.2.

veroordeelt Maxeon in de proceskosten, aan de zijde van VDH en Libra op dit moment begroot op € 65.815,10, te betalen binnen veertien dagen na aanschrijving daartoe, te vermeerderen met € 92,00 plus de kosten van betekening als Maxeon niet tijdig aan de veroordeling voldoet en het vonnis daarna wordt betekend;

5.3.

veroordeelt Maxeon in de proceskosten, aan de zijde van Eironn op dit moment begroot op € 211.425,26, te betalen binnen veertien dagen na aanschrijving daartoe, te vermeerderen met € 92,00 plus de kosten van betekening als Maxeon niet tijdig aan de veroordeling voldoet en het vonnis daarna wordt betekend;

5.4.

veroordeelt Maxeon tot betaling aan Eironn van de wettelijke rente als bedoeld in artikel 6:119 BW^[17]over de hiervoor onder 5.3 genoemde proceskosten, als deze niet binnen veertien dagen na aanschrijving zijn voldaan, tot de dag van volledige betaling;

5.5.

verklaart de hiervoor onder 5.2, 5.3 en 5.4 uitgesproken proceskostenveroordelingen, uitvoerbaar bij voorraad.

Dit vonnis is gewezen door mr. J.Th. van Walderveen, voorzieningenrechter, bijgestaan door mr. J.J. de Jong, griffier, en in het openbaar uitgesproken op 16 mei 2024.

ECLI:NL:RBDHA:2024:7439

Inbreuk op octrooi voor zonnepanelen in kort geding

Uitspraak

RECHTBANK Den Haag

1.VDH SOLAR GROOTHANDEL B.V.,

1.De procedure

2.De feiten

3.Het geschil

4.De beoordeling

Voetnoten